Optical properties of Y2O3 thin films doped with spatially controlled Er3+ by atomic layer deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 12, 2007, Pages

  Hoang, J ^a   Van, T T ^a   Sawkar Mathur, M ^a   Hoex, B ^b   Van De Sanden, M C M ^b   Kessels, W M M ^b   Ostroumov, R ^a   Wang, K L ^a   Bargar, J R ^c   Chang, J P ^a  

^a University of California   (United States)

^b EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^c SLAC NATIONAL ACCELERATOR LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DOPING (ADDITIVES); OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; YTTRIUM COMPOUNDS;

CAVITY RING DOWN SPECTROSCOPY; FILM COMPOSITION; RADICAL ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION; RARE EARTH DOPED OXIDE MATERIALS;

THIN FILMS;

EID: 34547267434     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2748629     Document Type: Article

References (52)

1. M. Haurylau, G. Q. Chen, H. Chen, J. Zhang, N. A. Nelson, D. H. Albonesi, E. G. Friedman, and P. M. Fauchet, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 12, 1699 (2006).
2. P. Kapur and K. C. Saraswat, Physica E (Amsterdam) 16, 620 (2003).
3. G. Chen, H. Chen, M. Haurylau, D. Albonesi, P. M. Fauchet, and E. G. Friedman, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 3, 2514-2517 (2005).
4. M. J. Kobrinsky, Intel Technol. J. 08, 129 (2004).
5. P. Kapur, R. D. Kekatpure, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1713 (2005).
6. P. G. Kik and A. Polman, MRS Bull. 23, 48 (1998).
7. W. H. Loh and A. J. Kenyon, IEEE Photonics Technol. Lett. 18, 289 (2006).
8. M. Wojdak, Phys. Rev. B 69, 233315 (2004).
9. F. Priolo, G. Franzo, D. Pacifici, V. Vinciguerra, F. Iacona, and A. Irrera, J. Appl. Phys. 89, 264 (2001).
10. A. J. Kenyon, C. E. Chryssou, C. W. Pitt, T. Shimizu-Iwayama, D. E. Hole, N. Sharma, and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys. 91, 367 (2002).
11. M. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 71, 1198 (1997).
12. L. Dal Negro, J. H. Yi, L. C. Kimerling, S. Hamel, A. Williamson, and G. Galli, Appl. Phys. Lett. 88, 183103 (2006).
13. C. Strohhofer and A. Polman, Appl. Phys. Lett. 81, 1414 (2002).
14. V. Y. Timoshenko, M. G. Lisachenko, B. V. Kamenev, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, J. Heitmann, M. Schmidt, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 84, 2512 (2004).
15. M. Schmidt, M. Zacharias, S. Richter, P. Fischer, P. Veit, J. Blasing, and B. Breeger, Thin Solid Films 397, 211 (2001).
16. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Blasing, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
17. J. Wang, M. J. Zhou, S. K. Hark, Q. Li, D. Tang, M. W. Chu, and C. H. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 221917 (2006).
18. K. Suh, J. H. Shin, S. J. Seo, and B. S. Bae, Appl. Phys. Lett. 89, 223102 (2006).
19. H. Mertens, A. Polman, I. M. P. Aarts, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 86, 241109 (2005).
20. A. Polman, J. Appl. Phys. 82, 1 (1997).
21. G. N. van den Hoven, R. Koper, A. Polman, C. van Dam, J. W. M. van Uffelen, and M. K. Smit, Appl. Phys. Lett. 68, 1886 (1996).
22. N. Managaki, M. Fujii, T. Nakamura, Y. Usui, and S. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 88, 042101 (2006).
23. F. Lu, R. Carius, A. Alam, M. Heuken, A. Rizzi, and C. Buchal, Thin Solid Films 425, 171 (2003).
24. T. T. Van, J. R. Bargar, and J. P. Chang, J. Appl. Phys. 100, 023115 (2006).
25. A. Okeefe and D. A. G. Deacon, Rev. Sci. Instrum. 59, 2544 (1988).
26. I. M. P. Aarts, B. Hoex, A. H. M. Smets, R. Engeln, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Appl. Phys. Lett. 84, 3079 (2004).
27. W. M. M. Kessels, I. M. P. Aarts, J. P. M. H. Gielis, and M. C. M. van de Sanden, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 862, A14.3.1 (2005).
28. L. Winkless, R. H. C. Tan, Y. Zheng, M. Motevalli, P. B. Wyatt, and W. P. Gillin, Appl. Phys. Lett. 89, 111115 (2006).
29. T. T. Van and J. P. Chang, Appl. Surf. Sci. 246, 250 (2005).
30. T. T. Van and J. P. Chang, Surf. Sci. 596, 1 (2005).
31. S. M. Webb, Phys. Scr., T T115, 1011 (2005).
32. E. A. Stern, in X-ray Absorption: Principles, Applications, and Techniques of EXAFS, SEXAFS, and XANES, edited by, D. C. Koningsterger, and, R. Prins, (Wiley, New York, 1988).
33. M. Newville, FEFF6L and IFEFFIT 1.2.7, Consortium for Advanced Radiation Sources (CARS), University of Chicago, IL.
34. T. T. Van, J. Hoang, R. Ostroumov, K. L. Wang, J. R. Bargar, J. Lu, H. O. Blom, and J. P. Chang, J. Appl. Phys. 100, 073512 (2006).
35. Z. S. Xiao, F. Xu, G. A. Cheng, and T. H. Zhang, Phys. Lett. A 327, 332 (2004).
36. A. Polman, J. Appl. Phys. 82, 1 (1997).
37. P. Kisliuk, W. F. Krupke, and J. B. Gruber, J. Chem. Phys. 40, 3606 (1964).
38. K. Arai, H. Namikawa, K. Kumata, T. Honda, Y. Ishii, and T. Handa, J. Appl. Phys. 59, 3430 (1986).
39. E. Desurvire, Erbium-Doped Fiber Amplifiers (Wiley, New York, 1994).
40. T. T. Van and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett. 87, 011907 (2005).
41. W. J. Miniscalco, J. Lightwave Technol. 9, 1991 (1991).
42. D. E. McCumber, Phys. Rev. 134, A299 (1964).
43. M. J. F. Digonnet, E. Murphy-Chutorian, and D. G. Falquier, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1629 (2002).
44. O. Humbach, H. Fabian, U. Grzesik, U. Haken, and W. Heitmann, J. Non-Cryst. Solids 203, 19 (1996).
45. K. M. McNamara, B. E. Williams, K. K. Gleason, and B. E. Scruggs, J. Appl. Phys. 76, 2466 (1994).
46. A. C. R. Pipino, Phys. Rev. Lett. 83, 3093 (1999).
47. A. C. R. Pipino, J. W. Hudgens, and R. E. Huie, Rev. Sci. Instrum. 68, 2978 (1997).
48. A. C. R. Pipino, J. P. M. Hoefnagels, and N. Watanabe, J. Chem. Phys. 120, 2879 (2004).
49. I. M. P. Aarts, A. C. R. Pipino, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 90, 161918 (2007).
50. I. M. P. Aarts, A. C. R. Pipino, J. P. M. Hoefnagels, W. M. M. Kessels, and M. C. M. van de Sanden, Phys. Rev. Lett. 95, 166104 (2005).
51. S. C. Xu, Y. L. Liu, J. C. Xie, G. H. Sha, and C. H. Zhang, J. Phys. Chem. A 105, 6048 (2001).
52. S. C. Homitsky, S. M. Dragulin, L. M. Haynes, and S. Hsieh, J. Phys. Chem. A 108, 9492 (2004).