Liquid injection atomic layer deposition of Ti Ox films using Ti [OCH (C H3) 2] 4

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 6, 2007, Pages

  Watanabe, Takayuki ^a   Hoffmann Eifert, Susanne ^a   Yang, Lin ^a   Rüdiger, Andreas ^a   Kügeler, Carsten ^a   Hwang, Cheol Seong ^b,c   Waser, Rainer ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^b Seoul National University   (South Korea)

^c ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

LIQUID INJECTION; RESIDUAL WATER; TITANIUM TETRAISOPROPOXIDES; VAPORIZERS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DISSOLUTION; HEXANE; REACTION KINETICS; TITANIUM OXIDES; VAPORIZATION; WATER;

OXIDE FILMS;

EID: 34547159401     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2724126     Document Type: Article

References (33)

1. H. A. Durand, J. H. Brimaud, O. Hellman, H. Shibata, S. Sakuragi, Y. Makita, D. Gesbert, and P. Meyrueis, Appl. Surf. Sci., 86, 122 (1995).
2. M. Keshmiri and T. Troczynski, J. Non-Cryst. Solids, 324, 289 (2003).
3. T. Inoue, A. Fujishima, S. Konishi, and K. Honda, Nature (London), 277, 637 (1979).
4. H. Kim, G. P. Kushto, C. B. Arnold, Z. H. Kafafi, and A. Pique, Appl. Phys. Lett., 85, 64 (2004).
5. K. M. Kim, B. J. Choi, B. W. Koo, S. Choi, D. S. Jeong, and C. S. Hwang, Electrochem. Solid-State Lett., 9, G343 (2006).
6. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, S. Choi, J. H. Oh, C. Rohde, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys., 98, 033715 (2005).
7. B. J. Choi, S. Choi, K. M. Kim, Y. C. Shin, C. S. Hwang, S.-Y. Hwang, S.-S. Cho, S. Park, and S.-K. Hong, Appl. Phys. Lett., 89, 012906 (2006).
8. D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser, Appl. Phys. Lett., 89, 082909 (2006).
9. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, L. Lee, and W. Joe, Nature (London), 401, 682 (1999).
10. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 86, 262907 (2005).
11. Y. H. Do, K. W. Jeong, C. O. Kim, and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc., 48, 1492 (2006).
12. G. Snider, Appl. Phys. A, 80, 1165 (2005).
13. L. Niinistö, J. Päiväsaari, J. Niinistö, M. Putkonen, and M. Nieminen, Phys. Status Solidi A, 201, 1443 (2004).
14. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2231 (2003).
15. R. L. Puurunena, J. Appl. Phys., 97, 121301 (2005).
16. G. Y. Jung, S. Ganapathiappan, D. A. A. Phlberg, D. L. Olynick, Y. Chen, W. M. Tong, and R. S. Williams, Nano Lett., 4, 1225 (2004).
17. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, and P. Haussalo, Chem. Mater., 5, 1174 (1993).
18. Y. Otani, N. Abe, M. Miyake, S. Okamura, and T. Shiosaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 5133 (2005).
19. C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc., 149, G585 (2002).
20. A. Nagai, J. Minamidate, G. Asano, C. J. Choi, C.-R. Cho, Y. Park, and H. Funakubo, Electrochem. Solid-State Lett., 9, C15 (2006).
21. T. Watanabe, S. Hoffmann-Eifert, C. S. Hwang, and R. Waser, J. Electrochem. Soc., 153, F199 (2006).
22. W. D. Kim, G. W. Hwang, O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, D. S. Jeong, S. W. Lee, M. H. Seo, C. S. Hwang, Y.-S. Min, and Y. J. Chob, J. Electrochem. Soc., 152, C552 (2005).
23. K. L. Siefering and G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc., 137, 814 (1990).
24. K. L. Siefering and G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc., 137, 1206 (1990).
25. M. Ritala, M. Leskelä, and E. Rauhala, Chem. Mater., 6, 556 (1994).
26. Y.-M. Wu, D. C. Bradley, and R. M. Nix, Appl. Surf. Sci., 64, 21 (1993).
27. D. C. Bradley, Chem. Rev. (Washington, D.C.), 89, 1317 (1989).
28. S. I. Cho, C. H. Chung, and S. H. Moon, Thin Solid Films, 409, 98 (2002).
29. A. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, M. Ritala, and M. Leskelä, Appl. Surf. Sci., 161, 385 (2000).
30. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeong, D.-S. Suh, Y. S. Joung, and I. K. Yoo, Appl. Phys. Lett., 85, 5655 (2004).
31. The International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, San Jose, CA (2005).
32. L. F. Pender and R. J. Fleming, J. Appl. Phys., 46, 3426 (1975).
33. H. Pagnia and N. Sotnik, Phys. Status Solidi A, 108, 11 (1988).