Rate equation model of the negative characteristic temperature of InAs/GaAs quantum dot lasers

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 10, 2007, Pages

  Tong, C Z ^a   Yoon, S F ^a   Liu, C Y ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER LIFETIME; ELECTRON ENERGY LEVELS; INDIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS;

CARRIER ESCAPE RATE; CARRIER RECOMBINATION LIFETIME; NEGATIVE CHARACTERISTIC TEMPERATURE; RATE EQUATION MODEL; WETTING LAYER;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34249930363     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2722248     Document Type: Article

References (36)

1. Y. Qiu, P. Gogna, S. Forouhar, A. Stintz, and L. F. Lester, Appl. Phys. Lett. 79, 3570 (2001).
2. I. R. Sellers, Electron. Lett. 40, 1412 (2004).
3. O. B. Shchekin and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 80, 3277 (2002).
4. D. G. Deppe, D. L. Huffaker, S. Csutak, Z. Zou, G. Park, and O. B. Shchekin, IEEE J. Quantum Electron. 35, 1238 (1999).
5. A. E. Zhukov, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 4216 (1997).
6. I. P. Marko, N. F. Masś, S. J. Sweeney, A. D. Andreev, and A. R. Adams, Appl. Phys. Lett. 87, 211114 (2005).
7. I. P. Marko, A. D. Andreev, A. R. Adams, R. Krebs, J. P. Reithmaier, and A. Forchel, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1300 (2003).
8. D. J. Mowbray and M. S. Skolnick, J. Phys. D 38, 2059 (2005).
9. H. Y. Liu, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
10. H. Huang and D. G. Deppe, IEEE J. Quantum Electron. 37, 691 (2001).
11. M. Grundmann, O. Stier, S. Bognár, C. Ribbat, F. Heinrichsdorff, and D. Bimberg, Phys. Status Solidi A 178, 255 (2000).
12. T. W. Beg, S. Bischoff, I. Magnusdottir, and J. Mørk, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 541 (2001).
13. A. Markus, J. X. Chen, O. Gauthier-Lafaye, J.-G. Provost, C. Paranthon, and A. Fiore, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1308 (2003).
14. M. Sugawara, Semiconductor and Semimetals (Academic, New York, 1999).
15. M. De Giorgi, C. Lingk, G. von Plessen, J. Feldmann, S. De Rinaldis, A. Passaseo, M. De Vittorio, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 79, 3968 (2001).
16. R. Heitz, Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996).
17. A. V. Uskov, F. Adler, H. Schweizer, and M. H. Pilkuhn, J. Appl. Phys. 81, 7895 (1997).
18. R. Lang, Appl. Phys. Lett. 79, 3912 (2001).
19. T. F. Boggess, L. Zhang, D. G. Deppe, D. L. Huffaker, and C. Cao, Appl. Phys. Lett. 78, 276 (2001).
20. L. Zhang, T. F. Boggess, D. G. Deppe, D. L. Huffaker, O. B. Shchekin, and C. Cao, Appl. Phys. Lett. 76, 1222 (2000).
21. L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 79, 3320 (2001).
22. A. Fiore, IEEE J. Quantum Electron. 37, 1050 (2001).
23. X. Han, J. M. Li, J. J. Wu, G. W. Cong, X. L. Liu, Q. S. Zhu, and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 98, 053703 (2005).
24. D. J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, and G. Borghs, J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989).
25. O. Stier, M. Grundmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 59, 5688 (1999).
26. C. E. Pryor and M.-E. Pistol, Phys. Rev. B 72, 205311 (2005).
27. C. Wang, P. P. Chen, N. Y. Tang, T. X. Li, C. S. Xia, W. Lu, F. Z. Wang, and Z. H. Chen, J. Cryst. Growth 289, 547 (2006).
28. P. S. Zory, Quantum Well Lasers (Academic, New York, 1993).
29. N. Tansu and L. J. Mawst, J. Appl. Phys. 97, 054502 (2005).
30. H. Schneider and K. v. Klitzing, Phys. Rev. B 38, 6160 (1988).
31. W. W. Chow, S. W. Koch, and M. Sargent III, Semiconductor-Laser Physics (Springer-Verlag, Berlin, 1994).
32. G. Park, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1065 (2000).
33. K. Gündoǧdu, K. C. Hall, T. F. Boggess, D. G. Deppe, and O. B. Shchekin, Appl. Phys. Lett. 85, 4570 (2004).
34. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, and N. A. Maleev, Quantum Dot Lasers (Oxford University Press, Oxford, 2003).
35. L. Brusaferri, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
36. Yu. I. Mazur, X. Wang, Z. M. Wang, G. J. Salamo, M. Xiao, and H. Kissel, Appl. Phys. Lett. 81, 2469 (2002).