Performance improvement and mechanism of chlorine-treated InGaN-GaN light-emitting diodes

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 6, 2007, Pages 165-167

  Chen, Po Sung ^a   Lee, Chi Sen ^a   Yan, Jheng Tai ^a   Lee, Ching Ting ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHLORINATION; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; LEAKAGE CURRENTS; QUANTUM CHEMISTRY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

CHLORINATION TREATMENT; DRIVING CURRENT; FORWARD VOLTAGE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34047273365     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2716314     Document Type: Article

References (19)

1. J. Piprek, R. Farrell, S. DenBaars, and S. Nakamura, IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 7 (2006).
2. C. T. Lee, U. Z. Yang, C. S. Lee, and P. S. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 2029 (2006).
3. J. K. Kim, T. Gessmann, E. F. Schubert, J. Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, and Y. Park, Appl. Phys. Lett., 88, 013501 (2006).
4. G. Ariyawansa, Appl. Phys. Lett., 89, 091113 (2006).
5. S. J. Hong and K. Kim, Appl. Phys. Lett., 89, 042101 (2006).
6. S. Haffouz, H. Tang, J. A. Bardwell, S. Rolfe, E. M. Hsu, I. Sproule, S. Moisa, M. Beaulieu, and J. B. Webb, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 1199 (2005).
7. C. T. Lee and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett., 76, 2364 (2000).
8. D. F. Wang, F. Shiwei, C. Lu, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. Salamanca-Riba, J. Appl. Phys., 89, 6214 (2001).
9. C. T. Lee, Y. J. Lin, and D. S. Liu, Appl. Phys. Lett., 79, 2573 (2001).
10. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 497 (1999).
11. C. S. Lee, Y. J. Lin, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett., 79, 3815 (2001).
12. J. Sun, K. A. Rickert, J. M. Redwing, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett., 76, 415 (2000).
13. C. Huh, S. W. Kim, H. S. Kim, H. M. Kim, H. Hwang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 78, 1766 (2001).
14. CRC Handbook of Chemistry and Physics, D. R. Lide, and, H. P. R. Frederikse, Editors, 75th ed., CRC Press, Boca Raton, FL (1995).
15. P. S. Chen and C. T. Lee, J. Appl. Phys., 100, 044510 (2006).
16. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. V. Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 4130 (1999).
17. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys., 86, 1 (1999).
18. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. J. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 22, 460 (2001).
19. J. Cho, C. Sone, Y. Park, and E. Yoon, Phys. Status Solidi A, 202, 1869 (2005).