Ammonia molecular beam epitaxy growth of p-type GaN and application to bipolar junction transistors

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 3, 2005, Pages 1199-1203

  Haffouz, S ^a   Tang, H ^a   Bardwell, J A ^a   Rolfe, S ^a   Hsu, E M ^a   Sproule, I ^a   Moisa, S ^a   Beaulieu, M ^a   Webb, J B ^a  

^a NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; GRAIN SIZE AND SHAPE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUBSTRATES;

MG FLUX; SUBSTRATE SURFACE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 31144432883     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1926307     Document Type: Conference Paper

References (17)

1. J. W. Orton, C. T. Foxon, T. S. Cheng, S. E. Hooper, S. V. Novikov, B. Ya. Ber, and Yu. A. Kudriavtsev, J. Cryst. Growth 197, 7 (1999).
2. B. Daudin, G. Mula, and P. Peyla, Phys. Rev. B 61, 10330 (2000).
3. L. K. Li, M. J. Jurkovic, W. I. Wang, J. M. Van Hove, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 76, 1740 (2000).
4. I. P. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozody, P. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 718 (2000).
5. A. J. Pak, T. H. Myers, L. T. Romano, C. G. Van de Walle, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 78, 285 (2001).
6. P. Venńgùs, M. Leroux, S. Dalmasso, M. Benaissa, P. De Mierry, P. Lorenzini, B. Dalimano, B. Beamont, J. Massies, and P. Gibart, Phys. Rev. B 68, 235214 (2003).
7. E. Monroy, T. Andreev, P. Holliger, E. Bellet-Amalric, T. Shibata, M. Tanaka, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 84, 2554 (2004).
8. L. T. Romano, M. Kneissl, J. E. Northrup, C. G. van de Walle, and D. W. Treat, Appl. Phys. Lett. 79, 2734 (2001).
9. W. Kim, A. E. Botchkarev, A. Salvador, G. Popovici, H. Tang, and H. Morco̧, J. Appl. Phys. 82, 219 (1997).
10. V. Ramachandran, R. M. Feenstra, W. L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J. E. Northrup, L. T. Romano, and D. W. Greve, Appl. Phys. Lett. 75, 808 (1999).
11. N. Grandjean, A. Dussaigne, S. Pezzagna, and P. Venńgùs, J. Cryst. Growth 251, 460 (2003).
12. H. Tang, J. B. Webb, S. Moisa, J. A. Bardwell, and S. Rolfe, J. Cryst. Growth 244, 1 (2002).
13. J. B. Webb (unpublished).
14. H. Fujii, C. Kisielowski, J. Krueger, M. S. H. Leung, R. Klockenbrink, M. Rubin, and E. R. Weber, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 227 (1997).
15. S. E. Hooper, M. Kauer, V. Bousquet, K. Johnson, J. M. Barnes, and J. Heffernan, Electron. Lett. 40, 33 (2004).
16. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
17. B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, J. J. Huang, M. M. Wong, U. Chowdhury, T. G. Zhu, H. K. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. D. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001).