High current density InNAlN heterojunction field-effect transistor with a Si Nx gate dielectric layer

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 14, 2007, Pages

  Lin, Yu Syuan ^a   Koa, Shun Hau ^a   Chan, Chih Yuan ^a   Hsu, Shawn S H ^a   Lee, Hong Mao ^a   Gwo, Shangjr ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; DRAIN CURRENT; HETEROJUNCTIONS; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

DIELECTRIC LAYERS; PLASMA ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY;

MISFET DEVICES;

EID: 34047268567     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2719223     Document Type: Article

References (23)

1. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998).
2. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 87, 222103 (2005).
3. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 88, 152113 (2006).
4. For a review, see S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 17, 87 (2006).
5. K. T. Tsen, W. Liang, D. K. Ferry, H. Lu, W. J. Schaff, U. Ozgur, Y. Fu, Y. T. Moon, F. Yun, H. Morkoc, and H. O. Everitt, Superlattices Microstruct. 38, 77 (2005).
6. K. T. Tsen, C. Poweleit, D. K. Ferry, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 288, 289 (2006).
7. K. T. Tsen, C. Poweleit, D. K. Ferry, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 86, 222103 (2005).
8. S. Gwo, C.-L. Wu, C.-H. Shen, W.-H. Chang, T. M. Hsu, J.-S. Wang, and J.-T. Hsu, Appl. Phys. Lett. 84, 3765 (2004).
9. C.-L. Wu, C.-H. Shen, H.-W. Lin, H.-M. Lee, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 87, 241916 (2005).
10. C.-L. Wu, C.-H. Shen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 88, 032105 (2006).
11. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 82, 1736 (2003).
12. K. A. Rickert, A. B. Ellis, F. J. Himpsel, H. Lu, W. Schaff, J. M. Redwing, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 82, 3254 (2003).
13. I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
14. S. J. Pearton and F. Ren, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 1571 (2000).
15. J. W. Johnson, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, J. R. Wendt, C. Monier, F. Ren, S. J. Pearton, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, and P. P. Chow, Solid-State Electron. 45, 1979 (2001).
16. Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
17. X. Z. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, G. J. Sullivan, M. Y. Chen, B. T. McDermott, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 3890 (1999).
18. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
19. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealey, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
20. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2002).
21. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
22. W. Liu, Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs (Wiley, New York, 1999).
23. A. Kasic, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. B 70, 115217 (2004).