Fabrication of deeply undercut GaN-based microdisk structures on silicon platforms

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 7, 2007, Pages

  Vicknesh, S ^a   Tripathy, S ^a   Lin, Vivian K X ^a   Wang, L S ^a   Chua, S J ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRY ETCHING; LIGHT EMITTING DIODES; MICROSTRUCTURE; RAMAN SCATTERING; RESIDUAL STRESSES; SILICON;

LIGHT EXTRACTION; MICRODISK STRUCTURES; SILICON PLATFORMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33847112854     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2472558     Document Type: Article

References (26)

1. A. Dadgar, A. Strittmatter, J. Bläsing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit, T. Riemann, F. Bertram, A. Reiher, A. Krtschil, A. Diez, T. Hempel, T. Finger, A. Kasic, M. Schubert, D. Bimberg, F. A. Ponce, J. Christen, and A. Krost, Phys. Status Solidi C 0, 1583 (2003).
2. T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa, IEEE Electron Device Lett. 26, 169 (2005).
3. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/0022-0248(93)90354-Y 128, 391 (1993); A. Krost, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, T. Hempel, S. Petzold, J. Christen, and R. Clos, Appl. Phys. Lett. 85, 3441 (2004).
4. A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/0022-0248(93)90354-Y 128, 391 (1993); A. Krost, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, T. Hempel, S. Petzold, J. Christen, and R. Clos, Appl. Phys. Lett. 85, 3441 (2004).
5. R. Armitage, Q. Yang, H. Feick, J. Gebauer, E. R. Weber, S. Shinkai, and K. Sasaki, Appl. Phys. Lett. 81, 1450 (2002).
6. H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L492 (1999).
7. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
8. C. A. Tran, A. Osinski, R. F. Karlicek, Jr., and I. Berishev, Appl. Phys. Lett. 75, 1494 (1999).
9. A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Blasing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362327 78, 2211 (2001); A. Dadgar, F. Schulze, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, and M. Kunze, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1828580 85, 5400 (2004); F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 88, 121114 (2006).
10. A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Blasing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362327 78, 2211 (2001); A. Dadgar, F. Schulze, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, and M. Kunze, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1828580 85, 5400 (2004); F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 88, 121114 (2006).
11. A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Blasing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1362327 78, 2211 (2001); A. Dadgar, F. Schulze, J. Bläsing, A. Diez, A. Krost, M. Neuburger, E. Kohn, I. Daumiller, and M. Kunze, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1828580 85, 5400 (2004); F. Schulze, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, Appl. Phys. Lett. 88, 121114 (2006).
12. S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 631 (2000).
13. H. W. Choi, K. N. Hui, P. T. Lai, P. Chen, X. H. Zhang, S. Tripathy, J. H. Teng, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 89, 211101 (2006).
14. E. D. Haberer, R. Sharma, A. R. Stonas, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1776615 85, 762 (2004); E. D. Haberer, R. Sharma, C. Meier, A. R. Stonas, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 85, 5179 (2004).
15. E. D. Haberer, R. Sharma, A. R. Stonas, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1776615 85, 762 (2004); E. D. Haberer, R. Sharma, C. Meier, A. R. Stonas, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 85, 5179 (2004).
16. R. P. Strittmatter, R. A. Beach, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 78, 3226 (2001).
17. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1415508 19, 2838 (2001); A. R. Stonas, P. Kozodoy, H. Marchand, P. Fini, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 77, 2610 (2000).
18. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1415508 19, 2838 (2001); A. R. Stonas, P. Kozodoy, H. Marchand, P. Fini, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 77, 2610 (2000).
19. S. Davies, T. S. Huang, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chalker, Appl. Phys. Lett. 84, 2566 (2004).
20. Z. Yang, R. N. Wang, S. Jia, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2167813 88, 041913 (2006); Z. Yang, R. Wang, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Sens. Actuators, A 130-131, 371 (2006).
21. Z. Yang, R. N. Wang, S. Jia, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2167813 88, 041913 (2006); Z. Yang, R. Wang, D. Wang, B. S. Zhang, K. M. Lau, and K. J. Chen, Sens. Actuators, A 130-131, 371 (2006).
22. T. Zimmermann, M. Neuberger, P. Benkart, F. J. Hernández- Guilĺn, C. Pietzka, M. Kunze, I. Daumiller, A. Dadgar, A. Krost, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 27, 309 (2006).
23. L. S. Wang, K. Y. Zang, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 85, 5881 (2004).
24. D. E. Ibbotson, D. L. Flamm, J. A. Mucha, and V. M. Donnelly, Appl. Phys. Lett. 44, 1129 (1984).
25. H. F. Winters and J. W. Coburn, Appl. Phys. Lett. 34, 70 (1979).
26. See EPAPS Document No. E-APPLAB-90-098706 for the photoluminescence data from the freestanding microstructures. This document can be reached via a direct link in the online article's HTML reference section or via the EPAPS homepage (http://www.aip.org/pubservs/epaps.html).