Ground and excited state transitions in as-grown Ga0.64 In 0.36 N0.046 As0.954 quantum wells studied by contactless electroreflectance

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 4, 2007, Pages

  Kudrawiec, Robert ^a   Gladysiewicz, Marta ^a   Misiewicz, Jan ^a   Ishikawa, Fumitaro ^b   Ploog, Klaus H ^b  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON TRANSITIONS; GALLIUM ALLOYS; GROUND STATE; INTERFACES (MATERIALS); SEMICONDUCTOR GROWTH;

CONTACTLESS ELECTROREFLECTANCE (CER); ELECTRON EFFECTIVE MASS; OPTICAL TRANSITIONS; TRANSITION ENERGIES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33846569036     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2432230     Document Type: Article

References (23)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. See, for example, M. Henini, Dilute Nitride Semiconductors (Elsevier, Oxford, 2005).
3. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
4. E. Tournie, M. A. Pinault, S. Vezian, J. Massies, and O. Tottereau, Appl. Phys. Lett. 77, 2189 (2000).
5. E. Tournie, M.-A. Pinault, M. Laugt, J.-M. Chauveau, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 1845 (2003).
6. H. L. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 83, 4951 (2003).
7. A. Trampert, J.-M. Chauveau, K. H. Ploog, E. Tournie, and A. Guzman, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2195 (2004).
8. M. Hugues, B. Damilano, J.-Y. Duboz, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 88, 091111 (2006).
9. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
10. F. Ishikawa, M. Horicke, U. Jahn, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 88, 191115 (2006).
11. H. Y. Liu, C. M. Tey, C. Y. Jin, S. L. Liew, P. Navaretti, M. Hopkinson, and A. G. Cullis, Appl. Phys. Lett. 88, 191907 (2006).
12. F.-I. Lai, S. Y. Kuo, J. S. Wang, R. S. Hsiao, H. C. Kuo, J. Chi, S. C. Wang, H. S. Wang, C. T. Liang, and Y. F. Chen, J. Cryst. Growth 291, 27 (2006).
13. J. S. Harris, Jr., J. Cryst. Growth 278, 3 (2005), and references therein.
14. J. A. Gupta, P. J. Barrios, X. Zhang, J. Lapointe, D. Poitras, G. Pakulski, X. Wu, and A. Delâge, Electron. Lett. 41, 1060 (2005).
15. J. Misiewicz, R. Kudrawiec, K. Ryczko, G. Sk, A. Forchel, J. C. Harmand, and M. Hammar, J. Phys.: Condens. Matter 16, 3071 (2004).
16. H. D. Sun, A. H. Clark, H. Y. Liu, M. Hopkinson, S. Calvez, M. D. Dawson, Y. N. Qiu, and J. M. Rorison, Appl. Phys. Lett. 85, 4013 (2004).
17. R. Kudrawiec, J. Andrzejewski, J. Misiewicz, D. Gollub, and A. Forchel, Phys. Status Solidi A 202, 1255 (2005).
18. R. Kudrawiec, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, H. P. Bae, and J. S. Harris, Phys. Rev. B 73, 245413 (2006), and references therein.
19. R. Kudrawiec, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, J. A. Gupta, and G. C. Aers, Solid State Commun. 138, 365 (2006).
20. R. Kudrawiec, H. B. Yuen, M. Motyka, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, S. R. Bank, H. P. Bae, M. A. Wistey, and J. S. Harris, J. Appl. Phys. (in press).
21. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Krutz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
22. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
23. S. Tomic, E. P. O'Reilly, P. J. Klar, H. Gruning, W. Heimbrodt, W. M. Chen, and I. A. Buyanova, Phys. Rev. B 69, 245305 (2004).