Optimum indium composition for (Ga,In) (N,As)/GaAs quantum wells emitting beyond 1.5 μm

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 9, 2006, Pages

  Hugues, M ^a   Damilano, B ^a   Duboz, J Y ^a   Massies, J ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COMPOSITION; GALLIUM; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NITROGEN; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM; THERMAL EFFECTS;

(GA,IN) (N,AS)/GAAS QUANTUM WELLS; OPTIMUM INDIUM COMPOSITION; QUANTUM WELL (QW) THICKNESS; THERMAL ANNEALING;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33644695678     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2180441     Document Type: Article

References (25)

1. M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1273 (1996).
2. D. A. Livshits, A. Yu. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 36, 1381 (2000).
3. X. D. Wang, S. M. Wang, Y. Q. Wei, M. Sadeghi, and A. Larsson, Electron. Lett. 40, 1338 (2004).
4. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
5. B. Damilano, J. Barjon, J. Y.-Duboz, J. Massies, A. Hierro, J.-M. Ulloa, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 86, 071105 (2005).
6. T. Kitatani, K. Nakahara, M. Kondow, K. Uomi, and T. Tanaka, J. Cryst. Growth 209, 345 (2000).
7. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, R. H. Wu, and W. Ge, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
8. E. Tourniá, M.-A. Pinault, and A. Guzman, Appl. Phys. Lett. 80, 4148 (2002).
9. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, M. Kondow, and C. W. Tu, J. Cryst. Growth 201/202, 419 (1999).
10. X. Yang, J. B. Hároux, L. F. Mei, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4068 (2001).
11. L. H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, L. Travers, and J. C. Harmand, Appl. Phys. Lett. 83, 1298 (2003).
12. H. Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 83, 4951 (2003).
13. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
14. M. Hugues, B. Damilano, J. Barjon, J.-Y. Duboz, J. Massies, J.-M. Ulloa, M. Montes, and A. Hierro, Electron. Lett. 41, 595 (2005).
15. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedmann, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
16. D. Zubia, S. D. Hersee, and T. Khraishi, Appl. Phys. Lett. 80, 740 (2002).
17. N. Tansu, J.-Y. Yeh, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 2512 (2003).
18. E. Tourniá, M.-A. Pinault, S. Vázian, J. Massies, and O. Tottereau, Appl. Phys. Lett. 77, 2189 (2000).
19. T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama, and K. Iga, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, L298 (1999).
20. M. Herrera, D. Gonzalez, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Guitárrez, H. Y. Liu, and R. Garcia, Semicond. Sci. Technol. 19, 813 (2004).
21. J.-Y. Duboz, J. A. Gupta, Z. R. Wasilewski, J. Ramsey, R. L. Williams, G. C. Aers, B. J. Riel, and G. I. Sproule, Phys. Rev. B 66, 85313 (2002).
22. S. Kurtz, J. Webb, L. Gedvilas, D. Friedman, J. Geisz, J. Olson, R. King, D. Joslin, and N. Karam, Appl. Phys. Lett. 78, 748 (2001).
23. V. Lordi, H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, and J. S. Harris, Phys. Rev. B 71, 125309 (2005).
24. S. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 3403 (2000).
25. Y.-A. Chang, H.-C. Kuo, C.-Y. Lu, Y.-K. Kuo, and S.-C. Wang, Semicond. Sci. Technol. 20, 601 (2005).