Effects of growth temperature on the structural and optical properties of 1.6 μm GaInNAs/GaAs multiple quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 19, 2006, Pages

  Liu, H Y ^a   Tey, C M ^a   Jin, C Y ^a   Liew, S L ^a   Navaretti, P ^a   Hopkinson, M ^a   Cullis, A G ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEFECTS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL EFFECTS;

COMPOSITIONAL MODULATION; GROWTH TEMPERATURE; OPTICAL EFFICIENCY;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 33646695435     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2202744     Document Type: Article

References (24)

1. J. S. Harris, Jr., Semicond. Sci. Technol. 17, 880 (2002).
2. B. Borchert, A. Y. Egorov, S. Illek, M. Komainda, and H. Riechert, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:19991513 35, 2204 (1999); M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and H. Oumi, IEEE Photon. Technol. Lett. 10, 188 (1998).
3. B. Borchert, A. Y. Egorov, S. Illek, M. Komainda, and H. Riechert, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:19991513 35, 2204 (1999); M. C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, and H. Oumi, IEEE Photon. Technol. Lett. 10, 188 (1998).
4. W. Li, T. Jouhti, Ch. S. Peng, J. Konttinen, P. Laukkanen, E. Pavelescu, M. Dumitrescu, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 79, 3386 (2001).
5. E. Tournie, M.-A. Pinault, M. Laugt, J.-M. Chauveau, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 82, 1845 (2003).
6. M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Electron. Lett. 36, 1208 (2000).
7. H. Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 83, 4951 (2003).
8. I. A. Buyanova, W. M. Chen, G. Pozina, J. P. Bergman, B. Monemar, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 75, 501 (1999).
9. Z. Pan, L. H. Li, W. Zhang, Y. W. Lin, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 1280 (2000).
10. S. R. Bank, H. B. Yuen, M. A. Wistey, V. Lordi, H. P. Bae, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 87, 021908 (2005).
11. A. Trampert, J.-M. Chauveau, K. H. Ploog, E. Tourniá, and A. Guzmán, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2195 (2004).
12. D. Jahan, G. Patriarche, V. Sallet, and J. C. Harmand, IEE Proc.: Optoelectron. 151, 279 (2004).
13. M. Herrera, D. Gonzalez, M. Hopkinson, P. Vavaretti, M. Gutierrez, H. Y. Liu, and R. Garcia, Semicond. Sci. Technol. 19, 813 (2004).
14. G. Jaschke, R. Averbeck, L. Geelhaar, and H. Riechert, J. Cryst. Growth 278, 224 (2005).
15. X. Kong, A. Trampert, E. Tournie, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 87, 171901 (2005).
16. C. S. Peng, E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, J. Konttinen, I. M. Fodchuk, Y. Kyslovsky, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 80, 4720 (2002).
17. J.-M. Chauveau, A. Trampert, K. H. Ploog, M.-A. Pinault, and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 82, 3451 (2003).
18. S. J. Pennycook, Annu. Rev. Mater. Sci. 22, 171 (1992).
19. K. Kim and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2609 (2001).
20. N. A. Bert, A. A. Suvorova, V. V. Chaldyshev, Yu. G. Musikhin, V. V. Preobrazhenski, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, and R. Werner, Semiconductors 32, 683 (1998); I. S. Gregory, C. M. Tey, A. G. Cullis, M. J. Evans, H. E. Beere, and I. Farrer, Phys. Rev. B (accepted).
21. N. A. Bert, A. A. Suvorova, V. V. Chaldyshev, Yu. G. Musikhin, V. V. Preobrazhenski, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, and R. Werner, Semiconductors 32, 683 (1998); I. S. Gregory, C. M. Tey, A. G. Cullis, M. J. Evans, H. E. Beere, and I. Farrer, Phys. Rev. B (accepted).
22. B. A. Joyce, Rep. Prog. Phys. 48, 1637 (1985).
23. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E. R. Weber, T. George, J. B. Kortright, F. W. Smith, B.-Y. Tsaur, and A. R. Calawa, Appl. Phys. Lett. 54, 1881 (1989).
24. N. Q. Thinh, I. A. Buyanova, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 033203 (2001).