High-temperature nucleation of cubic silicon carbide on (0001) hexagonal-SiC nominal surfaces

Crystal Growth and Design

Volumn 6, Issue 12, 2006, Pages 2788-2794

  Latu Romain, Laurence ^a,b   Chaussende, Didier ^a   Pons, Michel ^b  

^a MINATEC   (France)

^b UNIV GRENOBLE ALPES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33846123643     PISSN: 15287483     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg060420l     Document Type: Article

References (33)

1. Schöner, A.; Bakowski, M.; Ericsson, P.; Strömberg, H.; Nagasawa, H.; Abe, M. Mater. Sci. Forum 2005, 801, 483-485.
2. Founta, S.; Gogneau, N.; Martinez-Guerrero, E.; Ferro, G.; Monteil, Y.; Daudin, B.; Mariette, H. Mater. Sci. Forum 2004, 457-460, 1561-1564.
3. Gorin, S. N.; Ivanova, L. M. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 221-245.
4. Nagasawa, H.; Yagi, K.; Kawahara, T. J. Cryst. Growth 2002, 237-239, 1244-1249.
5. Vetter, W. M.; Dudley, M. J. Cryst. Growth 2004, 260, 201-208.
6. Polychroniadis, E.; Syvajarvi, M.; Yakimova, R.; Stoemenos, J. J. Cryst. Growth 2004, 263, 68-75.
7. Krieger, M.; Pensl, G.; Bakowski, M.; Schoener, A.; Nagasawa, H.; Abe, M. Mater. Sci. Forum 2005, 483-485, 441-444.
8. Nishizawa, S. I.; Kato, T.; Kitou, Y.; Oyanagi, N.; Hirose, F.; Yamaguchi, H.; Bahng, W.; Arai, K. Mater. Sci. Forum 2004, 457-460, 29-34.
9. Muller, S. G.; Glass, R. C.; Hobgood, H. M.; Tsvetkov, V. F.; Brady, M.; Henshall, D.; Malta, D.; Singh, R.; Palmour, J.; Carter, C. H. Mater. Sci. Eng. B 2001, B80, 327-331.
10. Ohtani, N.; Fujimoto, T.; Katsuno, M.; Aigo, T.; Yashiro, H. J. Cryst. Growth 2002, 257-239, 1180-1186.
11. Furusho, T.; Sasaki, M.; Ohshima, S.; Nishino, S. J. Cryst. Growth 2003, 249, 216-221.
12. Kong, H. S.; Jiang, B. L.; Glass, J. T.; Rozgonyi, G. A.; More, K. L. J. Appl. Phys. 1988, 63, 2645-2650.
13. Kong, H. S.; Glass, J. T.; Davis, R. F. J. Mater. Res. 1989, 4, 204-214.
14. Nishino, K.; Kimoto, T.; Matsunami, H. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1997, 36, 5202-5207.
15. Powell, J. A.; Larkin, D. J.; Matus, L. G.; Choyke, W. J.; Bradshaw, J. L.; Henderson, L.; Yoganathan, M.; Yang, J.; Pirouz, P. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 1353-1355.
16. Hallin, C.; Konstantinov, A. O.; Pecz, B.; Kordina, O.; Janzen, E. Diamond Relat. Mater. 1997, 6, 1297-1300.
17. Powell, J. A.; Petit, J. B.; Edgar, J. H.; Jenkins, I. G.; Matus, L. G.; Yang, J. W.; Pirouz, P.; Choyke, W. J.; Clemen, L.; Yoganathan, M. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 333-335.
18. Xie, Z. Y.; Edgar, J. H.; Burkland, B. K.; George, J. T.; Chaudhuri, J. J. Cryst. Growth 2001, 224, 235-243.
19. Neudeck, P. G.; Powell, J. A. In Silicon Carbide; Springer: New York, 2004; pp 179-205.
20. Chaussende, D.; Ucar, M.; Auvray, L.; Baillet, F.; Pons, M.; Madar, R. Cryst. Growth Des. 2005, 5, 1539-1544.
21. NOVASiC, http://www.novasic.com.
22. Vicente, P.; Pernot, E.; Chaussende, D.; Camassel, J. Mater. Sci. Forum 2002, 389-393, 729-732.
23. Chaussende, D.; Chaudouet, P.; Auvray, L.; Pons, M.; Madar, R. Mater. Sci. Forum 2004, 457-460, 387-390.
24. Knippenberg, W. F. Philips Res. Rep. 1963, 18, 161-273.
25. Bootsma, G. A.; Knippenberg, W. F.; Verspui, G. J. Cryst. Growth 1971, 8, 341-353.
26. Kimoto, T.; Itoh, A.; Matsunami, H. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 247-262.
27. Tairov, Y. M.; Tsvetkov, V. F.; Lilov, S. K.; Safaraliev, G. K. J. Cryst. Growth 1976, 36, 147-151.
28. Chien, F. R.; Nutt, S. R.; Yoo, W. S.; Kimoto, T.; Matsunami, H. J. Mater. Res. 1994, 9, 940-954.
29. Wulfhekel, W.; Sander, D.; Nitsche, S.; Dulot, F.; Leycuras, A.; Hanbucken, M. Surf. Sci. 2004, 550, 8-14.
30. Kimoto, T.; Itoh, A.; Matsunami, H.; Okano, T. J. Appl. Phys. 1997, 81, 3494-3500.
31. Soueidan, M.; Ferro, G.; Stoemenos, J.; Polychroniadis, E.; Chaussende, D.; Soares, F.; Juillaguet, S.; Camassel, J.; Monteil, Y. Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM2005), Pittsburgh, September 18-23, 2005; Mater. Sci. Forum 2006, 527-529.
32. Syvajarvi, M.; Yakimova, R.; Janzen, E. J. Cryst. Growth 2002, 236, 297-304.
33. Kimoto, T.; Matsunami, H. J. Appl. Phys. 1994, 76, 7322-7327.