Local electronic and optical behaviors of a-plane GaN grown via epitaxial lateral overgrowth

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 1, 2007, Pages

  Moore, J C ^a   Kasliwal, V ^a   Baski, A A ^a   Ni, X ^b   Ozgur U ^b   Morkoc H ^b  

^a VIRGINIA COMMONWEALTH UNIVERSITY   (United States)

^b Virginia Commonwealth University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH (ELO); LEAKAGE SITES; OPTICAL BEHAVIORS; SURFACE PITS;

DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRONIC STRUCTURE; EPITAXIAL GROWTH; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 33846073985     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2429901     Document Type: Article

References (25)

1. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
2. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
3. B. S. Simpkins, D. M. Schaadt, E. T. Yu, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 91, 9924 (2002).
4. R. Langer, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. Andre, and M. Godlewski, Appl. Phys. Lett. 74, 3827 (1999).
5. T. Deguchi, K. Sekiguchi, A. Nakamura, T. Sota, R. Matsuo, S. Chichibu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L914 (1999).
6. H. M. Ng, Appl. Phys. Lett. 80, 4369 (2002).
7. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
8. A. Chitnis, C. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, E. Kuokstis, V. Mandavilli, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 3663 (2004).
9. A. Chakraborty, K. C. Kim, F. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 89, 041903 (2006).
10. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 1201 (2002).
11. C. Q. Chen, J. W. Yang, H. M. Wang, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Gaevski, E. Kuokstis, Z. Gong, M. Su, and M. A. Khan, J. Chem. Soc., Chem. Commun. 42, L640 (2003).
12. B. M. Imer, F. Wu, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 88, 061908 (2006).
13. B. A. Haskell, F. Wu, M. D. Craven, S. Matsuda, P. T. Fini, T. Fujii, K. Fujito, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83, 644 (2003).
14. S. Gradecak, P. Stadelmann, V. Wagner, and M. Ilegems, Appl. Phys. Lett. 85, 4648 (2004).
15. Z. Liliental-Weber and D. Cherns, J. Appl. Phys. 89, 7833 (2001).
16. B. Beaumont, P. Venńgùs, and P. Gibart, Phys. Status Solidi B 227, 1 (2001).
17. S. Jursenas, E. Kuakstis, S. Miasojedovas, G. Kurilcik, A. Zukauskas, C. Q. Chen, J. W. Wang, V. Adivarahan, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 771 (2004).
18. Ü. Özgür, X. Ni, Y. Fu, H. Morko̧, and H. O. Everitt, Appl. Phys. Lett. (in press).
19. X. Ni, Y. Fu, Y. T. Moon, N. Biyikli, and H. Morko̧, J. Cryst. Growth 290, 166 (2006).
20. X. Ni, Ü Özgür, Y. Fu, N. Biyikli, J. Xie, A. A. Baski, H. Morko̧, and Z. Liliental-Weber, Appl. Phys. Lett. 89, 262105 (2006).
21. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, R. J. Molnar, B. Heying, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 81, 79 (2002).
22. B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 743, L2.4 (2003).
23. J. Spradlin, S. Dogan, J. Xie, R. Molnar, A. A. Baski, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 84, 4150 (2004).
24. J. C. Moore, K. A. Cooper, J. Xie, H. Morko̧, and A. A. Baski, Proc. SPIE 6121, 61210J-1 (2006).
25. D. N. Zakharov, Z. Liliental-Weber, B. Wagner, Z. J. Reitmeier, E. A. Preble, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 71, 235334 (2005).