Infinitely high etch selectivity of Si3N4 layer to ArF photoresist in dual-frequency superimposed capacitively coupled plasmas

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 1, 2007, Pages

  Park, C K ^a   Lee, C H ^a   Lee, N E ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; PHOTORESISTS; PLASMAS;

ETCH SELECTIVITY; HYDROFLUOROCARBON LAYERS; PLASMA CHEMISTRY;

SILICON NITRIDE;

EID: 33845365879     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2363933     Document Type: Article

References (24)

1. C. Chu, T. Ahn, J. Kim, S. Jeong, and J. Moon, J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 2763 (2000).
2. S.-W. Na, M. H. Shin, Y. M. Chung, J. G. Han, and N.-E. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A, 23, 898 (2005).
3. D. H. Kim, C. H. Lee, S. H. Cho, N.-E. Lee, and G. C. Kwon, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 2203 (2005).
4. C. H. Lee, D. H. Kim, N.-E. Lee, and G. C. Kwon, J. Vac. Sci. Technol. A, 24, 1386 (2006).
5. P. E. Clarke, D. Field, A. J. Hydes, D. F. Klemperer, and M. J. Seakins, J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1614 (1985).
6. J. Dulak, B. J. Howard, and C. Steinbrüchel, J. Vac. Sci. Technol. A, 9, 775 (1991).
7. J. W. Coburn and H. F. Winters, Annu. Rev. Mater. Sci., 13, 91 (1983).
8. P. Machima and N. Hershkowitz, J. Phys. D, 39, 673 (2006).
9. G. Smolinsky, E. A. Truesdale, D. N. K. Wang, and D. J. Maydan, J. Electrochem. Soc., 129, 1036 (1982).
10. J. Kim, Y. S. Chae, W. S. Lee, J. W. Shon, C. J. Kang, W. S. Han, and J. T. Moon, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 790 (2003).
11. V. Georgieva, A. Bogaerts, and R. Gijbels, J. Appl. Phys., 94, 3748 (2003).
12. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe, and M. M. Turner, J. Phys. D, 37, 697 (2004).
13. H. C. Kim and J. K. Lee, Phys. Rev. Lett., 93, 085003 (2004).
14. P. C. Boyle, A. R. Ellingboe, and M. M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol., 13, 493 (2004).
15. C. H. Oh, N.-E. Lee, J. H. Kim, G. Y. Yeom, S. S. Yoon, and T. K. Kwon, Surf. Coat. Technol., 171, 267 (2003).
16. T. Shirasaki, F. Moguet, L. Lozano, A. Tressaud, G. Nase, and E. Papirer, Carbon, 37, 1891 (1999).
17. L. Ling, X. Hua, X. Li, G. S. Oehrlein, E. A. Hudson, P. Lazzeri, and M. Andrei, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2594 (2004).
18. X. Hua, S. Engelmann, G. S. Oehrlein, P. Lazzeri, E. Lacob, and M. Andrei, J. Vac. Sci. Technol. B, 24, 1850 (2006).
19. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis, Vol. 1, 2nd ed., p. 135, Wiley, New York (1990).
20. T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 53 (2004).
21. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 26 (1999).
22. M. Matsui, T. Tatsumi, and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. A, 19, 1282 (2001).
23. Y. Zhang, G. S. Oehrlein, and F. H. Bell, J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 2127 (1996).
24. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 239 (1998).