Metal-particle-induced, highly localized site-specific etching of Si and formation of single-crystalline Si nanowires in aqueous fluoride solution

Chemistry - A European Journal

Volumn 12, Issue 30, 2006, Pages 7942-7947

  Peng, Kuiqing ^a,b,c   Fang, Hui ^a   Hu, Juejun ^a   Wu, Yin ^a   Zhu, Jing ^a   Yan, Yunjie ^a   Lee, ShuitTong ^b  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^c BEIJING NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Electrochemistry; Etching; Metal ions; Semiconductors; Silicon nanowires

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC WIRE; ELECTROCHEMISTRY; ETCHING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON WAFERS; SINGLE CRYSTALS;

ELECTROCHEMICAL PROPERTIES; FLUORIDE SOLUTION; METAL IONS; SILICON NANOWIRES;

SILICON;

EID: 33750297509     PISSN: 09476539     EISSN: 15213765     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/chem.200600032     Document Type: Article

References (47)

1. a) M. Law, J. Goldberger, P. D. Yang, Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 83;
2. b) X. F. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C. M. Lieber, Nature 2003, 427, 241;
3. c) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897;
4. d) Y. Huang, X. F. Duan, C. M. Lieber, Small 2005, 1, 142;
5. e) M. Law, D. J. Sirbuly, J. C. Johnson, J. Goldberger, R. J. Saykally, P. D. Yang, Science 2004, 305, 1269.
6. a) X. Y. Zhao, C. M. Wei, L. Yang, M. Y. Chou, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 236-805:
7. b) D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, S. T. Lee, Science 2003, 299, 1874;
8. c) D. Y. Li, Y. Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. D. Yang, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2934;
9. d) Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 297, 851;
10. e) K. Q. Peng, Z. P. Huang, J. Zhu, Adv. Mater. 2004, 16, 73;
11. f) K. Q. Peng, Y. Xu, Y. Wu, Y. J. Yan, S. T. Lee, J. Zhu, Small 2005, 1, 1062.
12. Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 851.
13. a) Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C. M. Lieber, Science 2001, 293, 1289;
14. b) J. Hahm, C. M. Lieber, Nano Lett. 2004, 4, 51.
15. a) F. Hideo, M. Takashi, K. Seigo, Y. Hiroshi, L. Junji, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2560;
16. b) Y. K. Choi, J. Zhu, J. Grunes, J. Bokor, G. A. Somorjai, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 3340;
17. c) K. M. Chang, K. S. You, J. H. Lin, J. T. Sheu, J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G679;
18. d) R. Juhasz, N. Elfstrom, J. Linnros, Nano Lett. 2005, 5, 275;
19. e) H. I. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johson, R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1383.
20. a) J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda, J. Vac. Sci. Technol B 1997, 15, 554;
21. b) Y. J. Zhang, O. Zhang, N. L. Wang, Y. J. Yan, H. H. Zhou, J. Zhu, J. Cryst. Growth 2001, 226, 185;
22. c) D. Gao, R. R. He, C. Carraro, R. T. Howe, P. D. Yang, R. Maboudian, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 4574.
23. A. I. Hochbaum, R. Fan, R. R. He, P. D. Yang, Nano Lett. 2005, 5, 457.
24. a) P. Gorostiza, P. Allongue, R. Diaz, J. R. Morante, F. Sanz, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 6454:
25. b) J. S. Kim, H. Morita, J. D. Joo, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 3275;
26. c) G. J. Norga, M. Platero, K. A. Black, A. J. Reddy, J. Michel, L. C. Kimerling, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 2801:
27. d) G. Mattei, V. Valentini. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 9608:
28. e) D. A. Weinberger, S. G. Hong, C. A. Mirkin, B. W. Wessels, T. B. Higgins, Adv. Mater. 2000, 12, 1600:
29. f) K. Q. Peng, J. Zhu, Electrochim. Acta 2004, 49, 2563.
30. a) V. Lehmana, U. Gosele, Adv. Mater. 1992, 4, 114;
31. b) P. Kleimann, X. Badel, J. Linnros, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 183108;
32. c) Y. H. Zhang, X. J. Li, L. Zheng, O. W. Chen, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 1710;
33. d) K. Q. Peng, Y. Wu. H. Fang, X. Y. Zhong, Y. Xu, J. Zhu, Angew. Chem. 2005, 117, 2797;
34. Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 2737:
35. e) K. Q. Peng, J. J. Hu, Y. J. Yan, Y. Wu, H. Fang, Y. Xu, S. T. Lee, J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 387.
36. a) K. O. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu, Adv. Mater. 2002, 14, 1164:
37. b) K. Q. Peng, J. Zhu, J. Electroanal. Chem. 2003, 558, 35;
38. c) K. O. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu. Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 127.
39. a) W. S. Shi, H. Y. Peng, Y. F. Zheng, N. Wang, N. G. Shang, Z. W. Pan, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2000, 12, 1343;
40. b) Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. Lam, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, S. T. Lee, J. Cryst. Growth 2000, 212, 115.
41. a) A. M. Morales, C.M. Lieber, Science 1998, 279, 208;
42. b) M. K. Sunkara, S. Sharma, R. Miranda, G. Lian, E. C. Dickey, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1546.
43. a) H. Morinaga, M. Suyama, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 2834;
44. b) J. S. Kim, H. Morita, J. D. Joo, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 3275;
45. c) N. Mitsugi, K. Nagai, J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G302.
46. K. Tsujino, M. Matsumura, Adv. Mater. 2005, 17, 1045.
47. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 1991, 57, 1046.