Dendrite-assisted growth of silicon nanowires in electroless metal deposition

Advanced Functional Materials

Volumn 13, Issue 2, 2003, Pages 127-132

  Peng, Kuiqing ^a   Yan, Yunjie ^a   Gao, Shangpeng ^a   Zhu, Jing ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC WIRE; ELECTROCHEMISTRY; ELECTROLESS PLATING; ETCHING; MORPHOLOGY; SEMICONDUCTING SILICON;

DENDRITE ASSISTED GROWTH; ELECTROLESS METAL DEPOSITION; NANOELECTROCHEMISTRY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0037293981     PISSN: 1616301X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200390018     Document Type: Article

References (70)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. a) Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology (Ed: H. S. Nalwa), Academic Press, San Diego, CA 2000.
3. b) J. T. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
4. c) M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897.
5. d) X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66.
6. a) C. R. Martin, Science 1994, 266, 1961.
7. b) C. M. Lieber, Solid State Commun. 1998, 107, 607.
8. c) C. R. Martin, Chem. Mater. 1996, 8, 1739.
9. d) C. N. R. Rao, B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, M. Nath, Chemphyschem 2001, 2, 78.
10. a) S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Nature 1998, 393, 49
11. b) S. J. Tans, C. Dekker, Nature 2000, 404, 834.
12. c) R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, P. Avouris. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
13. d) J. Kong, J. Cao, H. J. Dai, E. Anderson, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 73.
14. e) P. C. Collins, M. S. Arnold, P. Avouris, Science 2001, 29, 706.
15. f) M. S. Fuhrer, J. Nygard, L. Shih, M. Forero, Y. G. Yoon, M. S. Mazzoni, H. J. Choi, J. Ihm, S. G. Louie, A. Zettl, P. L. McEuen, Science 2000, 288, 494.
16. g) V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, P. Avouris, Nano Lett. 2001, 1, 453.
17. a) C. M. Lieber, Sci. Am. 2001, 285, 58.
18. b) J. T. Hu, T. W. Odom, C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
19. c) T. W. Odom, J. L. Huang, P. Kim, C. M. Lieber, Nature 1998, 391, 62.
20. a) R. Tenne, L. Margulis, M. Genut, G. Hodes, Nature 1992, 360, 444.
21. b) Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Strolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222.
22. c) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
23. d) A. Loiseau, F. Willaime, N. Demoncy, G. Hug, H. Pascard, Phys. Rev. Lett. 1996, 76, 4737.
24. e) X. Y. Zhang, M. He, L. L. Sun, W. K. Wang, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4226.
25. f) Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222.
26. g) F. Krumeich, H. J. Muhr, M. Niederberger, F. Bieri, B. Schnyder, R. Nesper. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 8324.
27. h) Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang, S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 407.
28. i) T. Kasuga, M. Hiramatsu, A. Hoson, T. Sekino, K. Niihara. Langmuir 1998, 14, 3160.
29. j) Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 291, 1947.
30. k) M. P. Zach, K. H. Ng, R. M. Penner, Science 2000, 290, 2120.
31. l) Y. Kondo, K. Takayanagi, Science 2000, 289, 606.
32. m) A. J. Yin, J. Li, W. Jian, A. J. Bennett, J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1039.
33. m) B. H. Hong, S. C. Bae, C. W. Lee, S. Jeong, K. S. Kim, Science 2001, 294, 348.
34. a) Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 851.
35. b) Y. Cui, Q. Q. Wei, H. K. Park, C. M. Lieber. Science 2001, 293, 1289.
36. c) J. Y. Yu, S. W. Chung, J. R. Heath, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11864.
37. a) R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 889
38. b) R. S. Wagner, in Whisker Technology (Ed: A. P. Levitt), Wiley, New York 1970, p. 47.
39. a) J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda, J. Vac. Sci. Technol. B 1997, 15, 554.
40. b) T. I. Kamins, R. S. Williams, Y. Chen, Y. L. Chang, Y. A. Chang, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 562.
41. c) N. M. Hwang, W. S. Cheong, D. Y. Yoon, D. Y. Kim, J. Crystal Growth 2000, 218, 33.
42. d) Y. J. Zhang, Q. Zhang, N. L. Wang, Y. J. Yan, H. H. Zhou, J. Zhu, J Crystal Growth 2001, 226, 185.
43. e) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
44. f) D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, X. S. Sun, Y. H. Tang, G. W. Zhou, Z. G. Bai, Z. Zhang, S. Q. Feng, Solid State Commun. 1998, 105, 403.
45. g) N. Wang, Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. S. Lee, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3902.
46. h) G. C. Xiong, H. T. Zhou, S. O. Feng, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 3458.
47. i) Z. Zhang, X. H. Fan, L. Xu, C. S. Lee, S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 2001, 337, 18.
48. j) J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, B. A. Korgel, Science 2000, 287, 1471.
49. a) H. F. Yan, Y. J. Xing, Q. L. Hang, D. P. Yu, Y. P. Wang, J. Xu, Z. H. Xi, S. O. Feng, Chem. Phys. Lett. 2000, 323, 224.
50. b) M. K. Sunkara, S. Sharma, R. Miranda, G. Lian, E. C. Dickey, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1546.
51. c) T. Ono, H. Saitoh, M. Esashi, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1852.
52. a) Y. Y. Wu, H. Q. Yan, P. D. Yang, Top. Catal. 2002, 19, 197.
53. b) M. K. Li, C. W. Wang, H. L. Li, Chin. Sci. Bull. 2001, 46, 1793.
54. c) X. Y. Zhang, L. D. Zhang, G. W. Meng, G. H. Li, N. Y. Jin-Phillipp, F. Phillipp, Adv. Mater. 2001, 13, 1238.
55. d) N. R. B. Coleman, M. A. Morris, T. R. Spalding, J. D. Holmes, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 187.
56. e) Q. Gu, H. Y. Dang, J. Cao, J. H. Zhao, S. S. Fan, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3020.
57. a) M. Nishio, Q. X. Guo, H. Ogawa, Thin Solid Films 1999, 344, 508.
58. b) E. Queau, G. Stremsdoerfer, J. R. Martin, P. Clechet, Plat. Surf. Finish 1994, 81, 65.
59. c) M. M. Murphy, J. Vanherle, A. J. Mcevoy, K. R. Thampi, J. Electrochem. Soc. 1994, 141, L94.
60. d) R. Sard, Y. Okinaka, H. A. Waggener, J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 462.
61. e) T. N. Khoperia, T. J. Tabatadze, T. I. Zedgenidze, Electrochim. Acta. 1997, 42, 3049.
62. f) D. B. Wolfe, J. C. Love, K. E. Paul, M. L. Chabinyc, G. M. Whitesides, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2222.
63. g) Y. Shacham-Diamand, S. Lopatin, Electrochim. Acta. 1999, 44, 3639.
64. h) A. Hilmi, J. H. T. Luong, Anal. Chem. 2000, 72, 4677.
65. i) A. Inberg, Y. Shacham-Diamand, E. Rabinovich, G. Golan, N. Croitoru, Thin Solid Films 2001, 389, 213.
66. a) P. Gorostiza, J. Servat, J. R. Morante, F. Sanz, Thin Solid Films 1996, 275, 12.
67. b) P. Gorostiza, R. Diaz, M. A. Kulandainathan, F. Sanz, J. R. Morante. J. Electroanal. Chem. 1999, 469, 48.
68. c) P. Gorostiza, M. A. Kulandainathan, R. Diaz, F. Sanz, P. Allongue, J. R. Morante, J. Electrochem. Soc. 2000, 147 1026.
69. d) P. Gorostiza, R. Diaz, F. Sanz, J. R. Morante, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 4119.
70. Q. K. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu, Adv. Mater. 2002, 14, 1164.