Uniform, axial-orientation alignment of one-dimensional single-crystal silicon nanostructure arrays

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 44, Issue 18, 2005, Pages 2737-2742

  Peng, Kuiqing ^a,b   Wu, Yin ^a   Fang, Hui ^a   Zhong, Xiaoyan ^a   Xu, Ying ^c   Zhu, Jing ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^c Beijing Solar Energy Research Institute   (China)

Author keywords

Electrochemistry; Nanostructures; Semiconductors; Silicon

Indexed keywords

ALIGNMENT; ARRAYS; CRYSTAL ORIENTATION; DOPING (ADDITIVES); ETCHING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; ONE DIMENSIONAL; SILICON;

AXIAL-ORIENTATION ALIGNMENT; NANOSTRUCTURE ARRAYS; SILICON NANOSTRUCTURE; SILVER-NANOPARTICLES;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 18844385524     PISSN: 14337851     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.200462995     Document Type: Article

References (28)

1. M. Law, J. Goldberger, P. D. Yang, Annu. Rev. Mater. Res. 2004, 34, 83.
2. M. Law, D. J. Sirbuly, J. C. Johnson, J. Goldberger, R. J. Saykally, P. D. Yang, Science 2004, 305, 1269.
3. X. F. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, C. M. Lieber, Nature 2003, 421, 241.
4. X. F. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang, C. M. Lieber, Nature 2001, 409, 66.
5. X. Y. Zhao, C. M. Wei, L. Yang, M. Y. Chou, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 236805.
6. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, S. T. Lee, Science 2003, 299, 1874.
7. D. Y. Li, Y. Y. Wu, P. Kim, L. Shi, P. D. Yang, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2934.
8. Y. Cui, C. M. Lieber, Science 2001, 291, 851.
9. J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, H. Ruda, J. Vac. Sci. Technol. B 1997, 15, 554.
10. A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
11. N. Wang, Y. F. Zhang, Y. H. Tang, C. S. Lee, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3902.
12. D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, G. C. Xiong, H. T. Zhou, S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 3458.
13. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, B. A. Korgel, Science 2000, 287, 1471.
14. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo, Phys. Rev. B 1993, 48, 11024.
15. H. Yorikawa, H. Uchida, S. Muramatsu, J. Appl. Phys. 1996, 79, 3619.
16. K. Q. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu, Adv. Mater. 2002, 14, 1164.
17. K. Q. Peng, Z. P. Huang, J. Zhu, Adv. Mater. 2004, 16, 73.
18. Y. Kanamori, M. Sasaki, K. Hane, Opt. Lett. 1999, 24, 1422.
19. K. Q. Peng, Y. J. Yan, S. P. Gao, J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 2003, 13, 127.
20. N. Mitsugi, K. Nagai, J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G302.
21. P. Gorostiza, P. Allongue, R. Diaz, J. R. Morante, F. Sanz, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 6454.
22. L. Magagnin, R. Maboudian, C. Carraro, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 401.
23. J. S. Kim, H. Morita, J. D. Joo, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 3275.
24. P. Gorostiza, R. Diaz, J. Servat, F. Sanz, J. R. Morante, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 909.
25. G. J. Norga, M. Platero, K. A. Black, A. J. Reddy, J. Michel, L. C. Kimerling, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 2801.
26. L. Teerlinck, P. W. Mertens, H. F. Schmidt, M. Meuris, M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc. 1996, 143, 3323.
27. L. A. Porter, H. C. Choi, A. E. Ribbe, J. M. Buriak, Nano Lett. 2002, 2, 1067.
28. H. Morinaga, M. Suyama, T. Ohmi, J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 2834.