Thermal annealing effect between Ni film and Mg-doped GaN layer

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 45, Issue 8 A, 2006, Pages 6256-6258

  Hsu, Chin Yuan ^a   Lan, Wen How ^b   Wu, YewChung Sermon ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF KAOHSIUNG   (Taiwan)

Author keywords

Activation; Effective carrier concentration; Impurities; Mg doped GaN

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL IMPURITIES; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR DOPING; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

HYDROGEN DESORPTION; NICKEL NITRIDE; NICKEL OXIDE (NIO); THERMAL ANNEALING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33748554531     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.6256     Document Type: Article

References (21)

1. J. K. Ho, C. S. long, C. C. Chiu, C. N. Huang and K. K. Shih; Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1275.
2. J. K. Ho, C. S. long, C. C. Chiu, C. N. Huang, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen and J. J. Kai: J. Appl. Phys. 86 (1999) 4491.
3. J. S. Jang, K. H. Park, H. K. Jang, H. G. Kim and S. J. Park: J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3105.
4. C. F. Chu, C. C. Vu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai and S. C. Wang: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3423.
5. L. C. Chen, C. Y. Hsu, W. H. Lan and S. Y. Teng; Solid-State Electron. 47 (2003) 1843.
6. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park and T. Y. Seong: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 479.
7. J. O. Song, D. S. Leem and T. Y. Seong: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3513.
8. J. O. Song, D. S. Leem, J. S. Kwak, S. N. Lee, O. H. Nam, Y. Park and T. Y. Seong: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1504.
9. J. O. Song, D. S. Leem and T. Y. Seong: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4663.
10. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou and C. Y. Chang; J. Appl. Phys. 80 (1996) 1623.
11. H. S. Venugopalan, S. E. Mohney, B. P. Luther, S. D. Wolter and J. M. Redwing: J. Appl. Phys. 82 (1997) 650.
12. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen and K. K. Shih: J. Appl. Phys. 86 (1999) 3826.
13. J. K. Kim, J. H. Je, J. L. Lee, Y. J. Park and B. T. Lee: J. Electrochem. Soc. 147 (2000) 4645.
14. H. W. Jang, S. Y. Kim and J. L. Lee: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1748.
15. I. Waki, H. Fujioka, M. Oshima, H. Miki and A. Fukizawa: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2899.
16. I. Waki, H. Fujioka, M. Oshima, H. Miki and M. Okuyama: J. Appl. Phys. 90 (2001) 6500.
17. Y. Kamii, I. Waki, H. Fujioka, M. Oshima, H. Miki and M. Okuyama: Appl. Surf. Sci. 190 (2002) 348.
18. S. M. Wang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su and B. R. Huang: Mater. Sci. Eng. B 117 (2005) 107.
19. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan and B. Santic: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1326.
20. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang and W. C. Chen: J. Appl. Phys. 84 (1998) 4590.
21. F. Shahedipour and B. W. Wessels: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3011.