Tapered Cu pattern metallization by electrodeposition through mask

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 10, 2006, Pages

  Jenq, Shrane Ning ^a   Wan, Chi Chao ^a,d   Wang, Yung Yun ^a   Li, Hung Wei ^b   Liu, Po Tsun ^b   Chen, Jing Hon ^c  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c AU OPTRONICS CORPORATION   (Taiwan)

^d ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CU PATTERN METALLIZATION; ORGANIC ADDITIVES; SODIUMSULFOPROPYL DISULFIDE (SPS);

ADDITIVES; COPPER; ELECTROCHEMISTRY; METALLIZING; POLYETHYLENE GLYCOLS; THIN FILM TRANSISTORS;

ELECTRODEPOSITION;

EID: 33747702960     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2236375     Document Type: Article

References (29)

1. N. Ibaraki, Mater. Chem. Phys., 43, 220 (1996).
2. R. Manepalli, F. Stepniak, S. A. Bidstrup-Allen, and P. A. Kohl, IEEE Trans. Adv. Packag., 22, 4 (1999).
3. P. M. Fryer, E. C. Colgan, E. Galligan, W. Graham, R. Horton, D. Hunt, K. Latzko, R. Nywening, L. Jenkins, R. John, P. Koke, Y. Kuo, F. Libsch, A. Lien, I. Lovas, R. Polastre, M. E. Rothwell, J. Souk, J. Wilson, R. L. Wisnieff, and S. Wright, SID Int. Symp. Digest Tech. Papers, 1996, 333.
4. S. W. Lee, K. S. Cho, B. K. Choo, and J. Jang, IEEE Electron Device Lett., 23, 324 (2002).
5. Y. S. Hwang, G. C. Jo, G. S. Chae, and I. J. Chung, in Proceedings of IDMC'03, p. 437 (2003).
6. E. Delamarche, J. Vichiconti, S. A. Hall, M. Geissler, W. Graham, B. Michel, and R. Nunes, Langmuir, 19, 6567 (2003).
7. S. K. Kim, J. U. Bae, and J. J. Kim, U.S. Pat. 6,706,628 (2004).
8. Y. Kuo, Taiwan Display Conference Proceeding, p. 4, SID, Taipei (2004).
9. R. L. Jackson, E. Broadbent, T. Cacouris, A. Harrus, M. Biberger, E. Patton, and T. Walsh, Solid State Technol., 41, 49 (1998).
10. Y. Morand, Microelectron. Eng., 50, 391 (2000).
11. K. K. H. Wong, S. Kaja, and P. W. DeHaven, IBM J. Res. Dev., 42, 587 (1998).
12. Y. Kuo, Amorphous Silicon Thin Film Transistors, p. 319, Kluwer, Norwell, MA (2004).
13. W. Lee, H. J. Yang, P. J. Reucroft, H. S. Soh, J. H. Kim, S. L. Woo, and J. Lee, Thin Solid Films, 392, 122 (2001).
14. K. H. Jang, W. J. Lee, H. R. Kim, and G. Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 8300 (2004).
15. G. C. Jo and K. S. Chae, U.S. Pat. 6,780,784 (2004).
16. J. J. Kelly and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 145, 3472 (1998).
17. J. J. Kelly and A. C. West, J. Electrochem. Soc., 145, 3477 (1998).
18. S. C. Chang, K. C. Lin, B. T. Dai, T. C. Wang, C. F. Chen, M. S. Feng, Y. H. Li, and C. P. Lu, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1311 (2002).
19. J. Reid, S. Mayer, E. Broadbent, E. Klawnhn, and K. Ashtiani, Solid State Technol., 43, 86 (2000).
20. M. Kang and A. A. Gewirth, J. Electrochem. Soc., 150, C426 (2003).
21. E. Delamarche, M. Geissler, J. Vichiconti, W. S. Graham, P. A. Andry, J. C. Flake, P. M. Fryer, R. W. Nunes, B. Michel, E. J. O'Sullivan, H. Schmid, H. Wolf, and R. L. Wisnieff, Langmuir, 19, 5923 (2003).
22. W. P. Dow and M. Y. Yen, Electrochem. Solid-State Lett., 8, C161 (2005).
23. P. E. Laibinis, G. M. Whitesides, D. L. Allara, Y. T. Tao, A. N. Parikh, and R. G. Nuzzo, J. Am. Chem. Soc., 113, 7152 (1991).
24. A. Kudelski, J. Raman Spectrosc., 34, 853 (2003).
25. A. V. Walker, T. B. Tighe, O. M. Cabarcos, M. D. Reinard, B. C. Haynie, S. Uppili, N. Winograd, and D. L. Allara, J. Am. Chem. Soc., 126, 3954 (2004).
26. B. Bozzini, L. D'Urzo, V. Romanello, and C. Mele, J. Electrochem. Soc., 153, C254 (2006).
27. W. P. Dow, H. S. Huang, M. Y. Yen, and H. H. Chen, J. Electrochem. Soc., 152, C77 (2005).
28. Z. D. Schultz, Z. V. Feng, M. E. Biggin, and A. A. Gewirth, J. Electrochem. Soc., 153, C97 (2006).
29. Z. Nagy, J. P. Blaudeau, N. C. Hung, L. A. Curtiss, and D. J. Zurawski, J. Electrochm. Soc., 142, L87 (1995).