Correlation of self-organized surface nanostructures and anisotropic electron transport in nonpolar ZnO (10-10) homoepitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 12, 2006, Pages

  Matsui, Hiroaki ^a   Tabata, Hitoshi ^a  

^a OSAKA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON TRANSITIONS; GRAIN BOUNDARIES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SELF ASSEMBLY; SURFACE ROUGHNESS;

ANISOTROPIC ELECTRON TRANSPORT; LASER MOLECULAR BEAM EPITAXY; MULTIQUANTUM WELLS (MQW); SCHWOEBEL BARRIER EFFECT;

ZINC OXIDE;

EID: 33745727620     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2207551     Document Type: Article

References (55)

1. H. Chik, J. Liang, S. G. Cloutier, N. Kouklin, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 84, 3376 (2004).
2. T. Yatsui, J. Lim, M. Ohtsu, S. J. An, and G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 85, 727 (2004).
3. Y. Zhang, R. E. Russo, and S. S. Mao. Appl. Phys. Lett. 87, 043106 (2005).
4. A. Tsukazaki et al., Nat. Mater. 4, 42 (2005).
5. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, and T. Kawai, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
6. P. Sharma, K. Sreenivas, and K. V. Rao, J. Appl. Phys. 93, 3963 (2003).
7. H. Matsui, H. Saeki, H. Tabata, and T. Kawai, J. Electrochem. Soc. 159, G508 (2003);
8. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 5494 (2003).
9. X. Wang, Q. W. Li, Z. B. Liu, J. Zhang, Z. F. Liu, and R. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4941 (2004).
10. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 113 (2001).
11. H. J. Fan, R. Scholz, F. M. Kolb, and M. Zacharias, Appl. Phys. Lett. 85, 4142 (2004).
12. T. Mano, R. Nötzel, G. J. Hamhuis, T. J. Eijkemans, and J. H. Wolter, J. Cryst. Growth 251, 264 (2003).
13. S. Lee, M. Akabori, T. Shirahata, K. Takada, J. Motohisa, and T. Fukui, J. Cryst. Growth 231, 75 (2001).
14. R. Nötzel and K. H. Ploog, Physica E (Amsterdam) 8, 117 (2000).
15. W. Ma, R. Nötzel, H. P. Schönherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 79, 4219 (2001).
16. Y. Ohno, M. Higashiwaki, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1672 (2000).
17. X. Y. Wang, Z. M. Wang, V. R. Yaxdanpanah, G. J. Salamo, and M. Xian, J. Appl. Phys. 95, 1609 (2004).
18. H. Matsui, H. Saeki, T. Kawai, A. Sasaki, M. Yoshimoto, M. Tsubaki, and H. Tabata, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2452 (2004).
19. H. Kato, M. Sano, K. Miyamoto, and T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1002 (2003).
20. O. Dulub, L. A. Boatner, and U. Diebold, Surf. Sci. 519, 201 (2002).
21. A. Beltrán, J. Andrés, M. Calatayud, and J. B. L. Martins, Chem. Phys. Lett. 338, 224 (2001).
22. M. Casarin, C. Maccato, and A. Vittadini, Chem. Phys. Lett. 300, 403 (1999).
23. H. Matsui and H. Tabata, Appl. Phys. Lett. 87, 143109 (2005).
24. H. P. Schönherr, J. Fricke, Z. Niu, K. J. Friedland, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 72, 566 (1998).
25. F. W. Yan, W. J. Zhang, R. G. Zhang, L. Q. Cui, C. G. Liang, and S. Y. Liu, J. Appl. Phys. 90, 1403 (2001).
26. H. Matsui, N. Hasuike, H. Harima, B. Mizobuchi, and H. Tabata, J. Appl. Phys. 97, 123511 (2005).
27. H. Matsui, H. Saeki, T. Kawai, B. Mizobuchi, and H. Tabata, J. Appl. Phys. 95, 5882 (2004).
28. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch, Solid State Commun. 105, 399 (1998).
29. J. Mysliveeek, C. Schelling, G. Springholz, F. Schäffler, B. Voigtländer, and P. Šmilauer, Mater. Sci. Eng., B 89, 410 (2002).
30. C. Orme, M. D. Johnson, J. L. Sudijono, K. T. Leung, and B. G. Orr, Appl. Phys. Lett. 64, 860 (1994).
31. O. Dulub, L. A. Boatner, and U. Diebold, Surf. Sci. 504, 271 (2002).
32. R. Schaub, G. Pensl, M. Schulz, and C. Holm, Appl. Phys. A: Solids Surf. 34, 215 (1984).
33. T. Makino, Y. Segawa, S. Yoshida, A. Tsukazaki, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 85, 759 (2005).
34. D. C. Reynolds, D. C. Look, and B. Jogai, J. Appl. Phys. 88, 5760 (2000).
35. N. f. Mott, J. Non-Cryst. Solids 1, 1 (1968).
36. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, in Electronics Properties of Doped Semiconductors, edited by M. Cardona (Springer-Verlag, Berlin, 1984).
37. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
38. D. C. Look, D. C. Reynolds, W. Kim, O. Aktas, A. Botcharev, A. Salvador, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 2960 (1996).
39. F. Reuss, C. Kirchner, Th. Gruber, R. Kling, S. Maschek, W. Limmer, A. Waag, and P. Ziemann, J. Appl. Phys. 95, 3385 (2204).
40. F. Oba, S. R. Nishitani, S. Isotani, and H. Adachi, J. Appl. Phys. 90, 824 (2001).
41. F. Tuomisto, V. Ranki, K. Saarien, and D. C. Look, Phys. Rev. Lett. 91, 205502 (2003).
42. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
43. S. Yuming, X. Pengshou, S. Chaoshu, X. Faqiang, P. Haibin, and L. Erdong, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 114-116, 1123 (2201).
44. J. Betko, M. Morvic, J. Novák, A. Förster, and P. Kordoš, Appl. Phys. Lett. 69, 2563 (1996).
45. P. Kordoš, M. Morvic, J. Betko, J. M. Van Hove, A. M. Wowchak, and P. P. Chow, J. Appl. Phys. 88, 5821 (2000).
46. P. Kordoš, P. Javorka, M. Morvic, J. Betko, J. M. Van Hove, A. M. Wowchak, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 76, 3762 (2000).
47. M. Fehrer, S. Einfeldt, U. Birkle, T. Gollnik, and D. Hommel, J. Cryst. Growth 189/190, 763 (1998).
48. Y. Sato, T. Mizoguchi, F. Oba, M. Yodogawa, T. Yamamoto, and Y. Ikuhara, Appl. Phys. Lett. 84, 5311 (2004).
49. J. M. Carlsson, H. S. Domingos, P. D. Bristowe, and B. Helising, Phys. Rev. Lett. 91, 165506 (2003).
50. T. K. Gupta, W. D. Straub, M. S. Ramanachaiam, J. P. Schaffer, and A. Rohatgi, J. Appl. Phys. 66, 6132 (1999).
51. R. Jaszek, J. J. Harris, and C. Roberts, J. Appl. Phys. 85, 959 (1999).
52. T. D. Mishima, J. C. Keay, N. Goel, M. A. Ball, S. J. Chung, M. B. Johnson, and M. B. Santos, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 617 (1992).
53. H. Matsui, N. Hasuike, H. Harima, and H. Tabata, J. Appl. Phys. 99, 024902 (2006).
54. R. Nötzel and K. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 617 (1992).
55. H. P. Schönheit, J. Fricke, Z. Niu, K. J. Friedland, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 72, 566 (1998).