Thermal stability of a reverse-graded SiGe buffer layer for growth of relaxed SiGe epitaxy

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 9, Issue 4, 2006, Pages

  Wong, L H ^a,b,d   Liu, J P ^b   Wong, C C ^a   Ferraris, C ^c   White, T J ^a   Chan, L ^b   Sohn, D K ^b   Hsia, L C ^b,d  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD   (Singapore)

^c MUSÉUM NATIONAL D'HISTOIRE NATURELLE   (France)

^d ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BUFFER SYSTEMS; HETEROSTRUCTURE; SIGE EPITAXY; STRAIN RELAXATION;

RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SURFACE CHEMISTRY; THERMODYNAMIC STABILITY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 33244480559     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2168289     Document Type: Article

References (25)

1. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1992, 1000.
2. M. L. Lee and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett., 83, 4202 (2003).
3. J. Jung, M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett., 24, 460 (2003).
4. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett., 59, 811 (1991).
5. T. Hackbarth, H.-J. Herzog, K.-H. Hieber, U. Konig, M. Bollani, D. Chrastina, and H. von Kanel, Appl. Phys. Lett., 83, 5464 (2003).
6. K. A. Jenkins and K. Rim, IEEE Electron Device Lett., 23, 360 (2002).
7. J. P. Liu, L. H. Wong, D. K. Sohn, L. C. Hsia, L. Chan, C. C. Wong, and H. J. Osten, Electrochem. Solid-State Lett., 8 (2), G60 (2005).
8. A.-C. Lindgren, C. Chen, S.-L. Zhang, M. Ostling, Y. Zhang, and D. Zhu, J. Appl. Phys., 91, 2708 (2002).
9. S. B. Samavedam, W. J. Taylor, J. M. Grant, J. A. Smith, P. J. Tobin, A. Dip, A. M. Philips, and R. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1424 (1999).
10. L. H. Wong, C. C. Wong, K. K. Ong, J. P. Liu, L. Chan, R. Rao, K. L. Pey, L. Liu, and Z. X. Shen, Thin Solid Films, 462-463, 76 (2004).
11. C. S. Tan, W. K. Choi, L. K. Bera, K. L. Pey, D. A. Antoniadis, E. A. Fitzgerald, M. T. Currie, and C. K. Maiti, Solid-State Electron., 45, 1945 (2001).
12. S. H. Olsen, A. G. O'Neill, L. S. Driscoll, S. Chattopadhyay, K. S. K. Kwa, A. M. Waite, Y. T. Tang, A. G. R. Evans, and J. Zhang, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 1156 (2004).
13. H. Chen, Y. K. Li, C. S. Peng, H. F. Liu, Y. L. Liu, Q. Huang, J. M. Zhou, and Q. K. Xue, Phys. Rev. B, 65, 233303 (2002).
14. C. W. Leitz, M. T. Currie, A. Y. Kim, J. Lai, E. Robbins, E. A. Fitzgerald, and M. T. Bulsara, J. Appl. Phys., 90, 2730 (2001).
15. Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, and S. I. Chikichev, Semiconductors, 37, 513 (2003), and references therein.
16. P. M. Mooney, Mater. Sci. Eng., R., 17, 105 (1996).
17. R. Hull, J. Gray, C. C. Wu, S. Atha, and J. A. Floro, J. Phys.: Condens. Matter, 14, 12829 (2002).
18. P. Gaiduk, A. N. Larsen, and J. L. Hansen, Thin Solid Films, 367, 120 (2000).
19. R. Hull and J. C. Bean, J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 2580 (1989).
20. V. I. Vdovin, Phys. Status Solidi A, 171, 239 (1999).
21. R. Hull and J. C. Bean, Germanium Silicon: Physics and Materials, 149, Academic Press, San Diego, CA (1999).
22. J. H. Li, V. Holy, G. Bauer, and F. Schaffler, J. Appl. Phys., 82, 2881 (1997).
23. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett., 66, 2903 (1991).
24. L. H. Wong, C. C. Wong, J. P. Liu, D. K. Sohn, L. Chan, L. C. Hsia, H. Zang, Z. H. Ni, and Z. X. Shen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 7922 (2005).
25. S. J. Koester, K. Rim, J. O. Chu, P. M. Mooney, and J. A. Ott, Appl. Phys. Lett., 79, 2148 (2001).