MOVPE growth of quaternary (AL,Ga,In)N for UV optoelectronics

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

Volumn 5, Issue SUPPL. 1, 2000, Pages

  Han, Jung ^a   Figiel, Jeffrey J ^a   Petersen, Gary A ^a   Myers, Samuel M ^a   Crawford, Mary H ^a   Banas, Michael A ^a   Hearne, Sean J ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HETEROJUNCTIONS; LATTICE CONSTANTS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; ULTRAVIOLET RADIATION; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

BIOLOGICAL SENSING DEVICES; QUATERNARY COMPOSITIONS;

SEMICONDUCTOR GROWTH;

EID: 3242766855     PISSN: 10925783     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/s1092578300004580     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. For a review, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer-Verlag, Berlin (1997).
2. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998)
3. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, S. J. Hearne, E. Chason, J. J. Figiel, and M. Banas, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 G7.7 (1999).
4. J. Han, T. -B. Ng, R. M. Biefeld, M. H. Crawford, and D. M. Follstaedt: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3114.
5. W-K. Chu, J. W. Mayer, and M.-A. Nicolet: Backscattering Spectrometry (Academic, New York, 1978).
6. M. Mayer: SIMNRA User's Guide, Technical Report IPP 9/113 (Max Planck-Institut fur Plasmaphysik, Garching, Germany, 1997).
7. C. Taylor, D. Barlett, E. Chason, J. A. Floro, Ind. Physicist 4, 25 (1998)
8. S. Hearne, E. Chason, J. Han, J. A. Floro, J. Hunter, J. J. Figiel: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 356.
9. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L177; S. Nakamura and T. Mukai: J. Vac. Sci. Tech. A 13 (1995) 705.
10. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L177; S. Nakamura and T. Mukai: J. Vac. Sci. Tech. A 13 (1995) 705.
11. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2822; S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Kozodoy, S. B. Fleischer, S. Keller, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, K. Wada, T. Sota, and S. Nakamura: Mat. Sci. Eng. B59 (1999) 298.
12. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2822; S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Kozodoy, S. B. Fleischer, S. Keller, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, K. Wada, T. Sota, and S. Nakamura: Mat. Sci. Eng. B59 (1999) 298.
13. S. Chichibu, T. Deguchi, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura: Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 (1998) 613.
14. O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, 2653 (1998).
15. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis: Phys. Rev. B 54 (1996) 17745.
16. S. Chichibu, A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 68, 3766 (1996)
17. S. M. Bedair, Gallium Nitride (GaN) I, Semiconductors and Semimetals, v50, p127 (1998), Academic Press, San Diego
18. T. Mukai, D. Morita, and S. Nakamura, J. Cryst. Growth 189/190, 778 (1998)
19. Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, S. Fujita, T. Mukai, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 74, 558 (1999)
20. X. Shen and Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L14 (1999).
21. M. H. Crawford et al., Mat. Res. Soc. Symp.Proc. for Fall MRS Meetings, 1999.
22. T. Matsuoka: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 105.
23. F. G. MCIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 40; S. M. Bedair, F. G. MCIntosh, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. S. boutros, N. A. El-Masry: J. Cryst. Growth 178 (1997) 32.
24. F. G. MCIntosh, K. S. Boutros, J. C. Roberts, S. M. Bedair, E. L. Piner, and N. A. El-Masry: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 40; S. M. Bedair, F. G. MCIntosh, J. C. Roberts, E. L. Piner, K. S. boutros, N. A. El-Masry: J. Cryst. Growth 178 (1997) 32.
25. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 195 (1998) 309.
26. T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J. O. Olowolafe, K. M. Unruh, C. P. Swann, and E. F. Schubert: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2439.
27. S. F. Chichibu, H. Marchand, M. S. Minsky, S. Keller, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. B. Fleischer, J. S. Speck, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, T. Deguchi, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1460.
28. A. F. Wright and J. S. Nelson: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3051; A. F. Wright and J. S. Nelson: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3465.
29. A. F. Wright and J. S. Nelson: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3051; A. F. Wright and J. S. Nelson: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3465.
30. K. S. Kim, A. Saxler, P. Kung, M. Razeghi, and K. Y. Lim: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 800.
31. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semon, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
32. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Fujita, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
33. S. F. Chichibu, private communication (1999).