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Volumn 482, Issue , 1997, Pages 613-624

Localized excitons in InGaN

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CATHODOLUMINESCENCE; ENERGY GAP; EPITAXIAL GROWTH; EXCITONS; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 0031365594     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-482-613     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.