Atomic layer deposition of tungsten carbonitride thin films from a new metalorganic precursor

Proceedings - Electrochemical Society

Volumn PV 2005-09, Issue , 2005, Pages 563-574

  Dezelah IV, Charles L ^a   El Kadri, Oussama M ^b   Heeg, Mary Jane ^b   Niinistö, Lauri ^b   Winter, Charles H ^b  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b WAYNE STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; ARSENIC; ION BEAMS; SINGLE CRYSTALS; THIN FILMS; X RAY CRYSTALLOGRAPHY;

3,5-DI-TERT-BUTYLPYRAZOLE; ATOMIC LAYER DEPOSITION;

TUNGSTEN COMPOUNDS;

EID: 31844456605     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (41)

1. Selected overviews: B. Roberts, A. Harrus, and R. L. Jackson, Solid State Technol., 69 (1995).
2. S.P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyeros, a nd W. A. Lanford, Thin Solid Films, 236, 257 (1993) .
3. S.-Q. Wang, MR S Bu ll., 19, 30 (1994).
4. For example, see: S.-Q. Wang, I. Raaijmakers, B. J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar, and K.-B. Kim, J. Appl. Phys., 68, 5176 (1990).
5. C. H. Winter, Aldrichimica Acta, 33, 3 (2000).
6. T. Oku, E. Kawakami, M Uekubo, K. Takahiro, S. Yamaguchi, and M. Murakami, Appl. Surf. Sci., 99, 265 (1996).
7. S. V. Babu, Y. Li, and A. Jindal, JOM-J. Min. Met. Mater. Soc., 52, 50 (2001).
8. S. Takahashi, K. Tai, H. Ohtorii, N. Koma i, Y. Segawa, H. Horikoshi, H. Yasuda, M. Ishihara, and T. Nogami, 2002 Symposium on VLSI Technology, Honolulu, Hawaii, June 10-13, 2002, Talk No. 4.1.
9. M. J. Shaw, S. Grunow, and D. J. Duquette, D.J., J. Electron. Mater., 30, 1602 (2001).
10. P. J. Pokela, C.-K. Kwok, E. Kolawa, S. Raud, and M.-A. Nicolet, Appl. Surf. Sci., 53, 364 (1991).
11. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 2231 (2003).
12. A. E. Kaloyeros and E. Eisenbraun, Anna. Rev. Mater. Sci., 30, 363 (200 0).
13. 6: R. Ecke, S. E. Schultz, M. Hecker, and T. Gessner, Microelectron. Eng., 64, 261 (2002).
14. J. G. Fleming, E. Roherty-Osmun, P. M. Smith, J. S. Custer, Y.-D. Kim, T. Kacsich, M.-A. Nicolet, and C. J. Galewski, Thin Solid Films, 320, 10 (1998 ).
15. 6: H. S. Sim, S.-I. Kim, and Y. T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1411 (2003).
16. H. S. Sim, S.-I. Kim, H. Jeon, and Y. T. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 6359 (2003).
17. K.-E. Elers, V. Saanila, P. Soininen, W.-M. Li, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja, and W. F. A. Besling, Chem. Vapor Deposition, 8, 149 (2002).
18. B. H. Lee and K. Yong, J. Electrochem. Soc., 151, C594 (2004).
19. B. H. Lee and K. Yong, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 2375 (2004).
20. J. E. Kelsey, C. Goldberg, G. Nuesca, G. Peterson, A. E. Kaloyeros, and B. Arkles, J. Vac. Sci. Technol. B., 17, 1101 (1999).
21. M. H. Tsai, S. C. Sun, H. T. Chiu, and S. H. Chuang, Appl. Phys. Lett., 68, 1412 (1996).
22. O. J. Bchir, K. C. Chan, T. J. Anderson, V. Craciun, B. C. Brooks, and L. McElwee-White, J. Electrochem. Soc., 151, G697 (2004).
23. O. J. Bchir, K. M. Green, M. S. Hlad, T. J. Anderson, B. C. Brooks, and L. McElwee-White, J. Crystal Growth, 261, 280 (2004).
24. O. J. Bchir, K. M. Green, M. S. Hlad, T. J. Anderson, B. C. Brooks, C. B. Wilder, D. H. Powell, and L. McElwee-White, J. Organomet. Chem., 684, 338 (2003).
25. O. J. Bchir, S. W. Johnston, A. C. Cuadra, T. J. Anderson, C. G. Ortiz, B. C. Brooks, D. H. Powell, and L. McElwee-White, J. Crystal Growth, 261, 280 (2004).
26. M. Leskelä and M. Ritala, Thin Solid Films, 409, 138 (2002)
27. M. Ritala and M. Leskelä, Handbook of Thin Film Materials; H. S. Nalwa, Ed.; Academic Press: New York, 2001; Vol. 1, p. 103-159.
28. J. S. Becker and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett., 82, 2239 (2003).
29. J. S. Becker, S. Sun, S. Wang, and R. G. Gordon, Chem. Mater., 15, 2969 (2003).
30. See also: A. Rugge, J. S. Becker, R. G. Gordon, and S. H. Tolbert, Nano Lett., 3, 1293 (2003).
31. D. C. Bradley and I. M. Thomas, Can. J. Chem., 40, 1355 (1964).
32. Y. Takahashi, N. Onoyama, Y. Ishikawa, S. Motojima, and K. Sugiyama, Chem. Lett., 525 (1978).
33. K.-E. Elers, V. Saanila, W.-M. Li, P. J. Soininen, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja, and W. F. A. Besling, Thin Solid Films, 434, 94 (2003).
34. S.-H. K im, S. S. Oh, H.-M. Kim, D.-H. Rang, K.-B. Kim, W.-M. Li, S. Haukka, and M. Tuominen, J. Electrochem. Soc., 151, C272 (2004).
35. W. A. Nugent and R. L. Harlow, Inorg. Chem., 19, 777 (1980).
36. J. Elguero, E. Gonzalez, and R. Jacquier, Bull. Soc. Chem. Fr., 707 (1968).
37. K. Dreisch, C. Andersson, and C. Stalhandske, Polyhedron, 12, 1335 (1993).
38. C. L. Dezelah IV, O. M. El-Kadri, M. J. Heeg, and C. H. Winter, J. Mater. Chem., 14, 3167 (2004).
39. J. W. Klaus, S. J. Ferro, and S. M. George, J. Electrochem. Soc., 147, 1175 (2000).
40. J. W. Klaus, S. J. Ferro, and S. M. George, Appl. Surf. Sci., 162-163, 479 (2000).
41. Y.-M. Sun, E. R. Engelbrecht, T. Bolom, C. Cilino, J. H. Sim, J. M. White, J. G. Ekerdt, and K. Pfeifer, Thin Solid Films, 458, 251 (2004).