Low Schottky barrier to etched p-GaN using regrown AlInGaN and InGaN contact layer

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 2, 2006, Pages

  Hsueh, Kuang Po ^a   Hsin, Yue Ming ^a   Sheu, Jinn Kong ^b  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALINGAN; CONTACT LAYERS; INGAN; LOW SCHOTTKY BARRIER;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ETCHING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MORPHOLOGY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; X RAY ANALYSIS;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 31644432528     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2164527     Document Type: Article

References (19)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
4. M. Asif Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
5. T. Makimoto, Y. Yamauchi, and K. Kumakura, Appl. Phys. Lett. 84, 1964 (2004).
6. F. Ren, J. Han, R. Hickman, J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaassen, J. R. LaRoche, K. B. Jung, H. Cho, X. A. Cao, S. M. Donovan, R. F. Kopf, R. G. Wilson, A. G. Baca, R. J. Shul, L. Zhang, C. G. Willison, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 44, 239 (2000).
7. L. S. McCarthy, I. P. Smorchkova, H. Xing, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. L. Pulfrey, J. S. Speck, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 543 (2001).
8. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
9. J.-L. Lee, M. Weber, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, T. Kim, and K. Lynn, Appl. Phys. Lett. 74, 2289 (1999).
10. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. Hong, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 69, 1426 (1996).
11. C.-C. Kao, H. W. Huang, J. Y. Tsai, C. C. Yu, C. F. Lin, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Mater. Sci. Eng., B B107, 283 (2004).
12. J. M. Lee, K. M. Chang, S. W. Kim, C. Huh, I. H. Lee, and S. J. Park, J. Appl. Phys. 87, 7667 (2000).
13. Z. Mouffak, A. Bensaoula, and L. Trombetta, J. Appl. Phys. 95, 727 (2004).
14. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. C. Liu, C. M. Chang, and W. C. Hung, J. Appl. Phys. 85, 1970 (1999).
15. T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1922 (2004).
16. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
17. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, J. Cryst. Growth 221, 267 (2000).
18. T. Gessmann, Y. L. Li, E. L. Waldron, J. W. Graff, E. F. Schubert, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 80, 986 (2002).
19. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. R30, 55 (2000).