Interplay between GaN polarity and surface reactivity towards atomic hydrogen

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 12, 2004, Pages 8408-8418

  Losurdo, Maria ^a   Giangregorio, Maria M ^a   Capezzuto, Pio ^a   Bruno, Giovanni ^a   Namkoong, Gon ^b   Doolittle, W Alan ^b   Brown, April S ^c  

^a UNIVERSITY OF BARI   (Italy)

^b GEORGIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c Duke University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ION SCATTERING; NITRIDATION; REDUCED ALLOY SCATTERING; SPATIAL DISTRIBUTION;

ELECTRON DIFFRACTION; ELECTRON MOBILITY; EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; HYDROGEN; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SAPPHIRE; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 3142649741     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1745124     Document Type: Article

References (43)

1. S. Keller, B. P. Keller, Y. F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1525 (1996).
2. F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 57, R9427 (1998).
3. E. S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 11 (1998).
4. M. Stutzmann, O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A. Lima Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwing, R. Dimitrov, P. J. Schuck, and R. D. Grober, Phys. Status Solidi B 228, 505 (2001).
5. F. Wu, M. D. Craven, S. H. Lim, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 94, 942 (2003).
6. D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 78, 4145 (2001).
7. A. Yoshikawa and K. Xu, Thin Solid Films 412, 38 (2002).
8. T. Zywietz, J. Neugebauer, M. Scheffler, J. Northrup, and C. G. Van de Walle, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 26 (1998).
9. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).
10. P. Visconti, D. Huang, M. A. Reshchikov, F. Yun, T. King, A. A. Baski, R. Cingolani, C. W. Litton, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, and H. Morkoc, Phys. Status Solidi B 228, 513 (2001).
11. B. Daudin, J. L. Rouviere, and M. Arlery, Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
12. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
13. M. Seelmann-Eggebert, J. L. Weyher, H. Obloh, H. Zimmermann, A. Rar, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 71, 2635 (1997).
14. M. Sumiya, K. Yoshimura, N. Ogusu, S. Fuke, K. Mizuno, M. Yoshimoto, H. Koinuma, and L. T. Romano, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 456 (2002).
15. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
16. Y. Morimoto, J. Electrochem. Soc. 121, 1383 (1974).
17. M. Sumiya, N. Ogusu, Y. Yotsuda, M. Itoh, S. Fuke, T. Nakamura, S. Mochizuki, T. Sano, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Appl. Phys. 93, 1311 (2003).
18. A. Yoshikawa and K. Xu, Thin Solid Films 412, 38 (2002).
19. B. S. Simpkins, D. M. Schaadt, E. T. Yu, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 91, 9924 (2002).
20. K. M. Jones, P. Visconti, F. Yun, A. A. Baski, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 78, 2497 (2001).
21. G. Namkoong, W. A. Doolittle, A. S. Brown, M. Losurdo, P. Capezzuto, and G. Bruno, J. Appl. Phys. 91, 2499 (2002).
22. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Namkoong, W. A. Doolittle, and A. S. Brown, J. Appl. Phys. 91, 2508 (2002).
23. N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, S. Yu. Karpov, and R. A. Talalaev, Appl. Phys. Lett. 74, 1854 (1999).
24. D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry, M. E. Twigg, J. C. Cul-bertson, and R. J. Gorman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4s1, G3.70 (1999).
25. M. Furtado and G. Jacob, J. Cryst. Growth 64, 257 (1983).
26. L. T. Romano and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 71, 3486 (1997).
27. C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, M. Razeghi, and D. K. Gaskill, J. Appl. Phys. 76, 236 (1994).
28. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
29. M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtsuda, S. Fuke, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 674 (1999).
30. D. H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa, and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 91, 6461 (2002).
31. G. Namkoong, W. A. Doolittle, A. S. Brown, M. Losurdo, M. M. Gian-gregorio, and G. Bruno, J. Cryst. Growth 252, 159 (2003).
32. X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, and S. Shimizu, J. Cryst. Growth 218, 155 (2000).
33. F. Widmann, G. Feuillet, B. Daudin, and J. L. Rouviere, J. Appl. Phys. 85, 1550 (1999).
34. R. Di Felice and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 73, 936 (1998).
35. A. J. Downs and C. R. Pulham, Chem. Soc. Rev. 23, 175 (1994).
36. S. Veprek, Pure Appl. Chem. 48, 163 (1976).
37. G. Bruno, P. Capezzuto, and M. Losurdo, Phys. Rev. B 54, 17 175 (1996).
38. H. Deutsch, H. Kersten, and A. Rutscher, Contrib. Plasma Phys. 29, 263 (1989).
39. M. Baloch, D. R. Olander, and W. J. Siekhaus, J. Vac, Sci. Technol. B 4, 794 (1986).
40. T. Zywietz, J. Neugebauer, M. Scheffler, J. Northrup, and C. G. Van de Walle, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 26 (1998).
41. G. Namkoong, W. A. Doolittle, A. S. Brown, M. Losurdo, M. M. Gian-gregorio, and G. Bruno, "Effect of buffer design on AlGaN/AlN/GaN heterostructures by MBE," unpublished.
42. L. Hsu and W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 89, 1783 (2001).
43. Z. Y. Fan, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys, Lett. 81, 4649. (2001).