Comparison of ZnO metal-oxide-semiconductor field effect transistor and metal-semiconductor field effect transistor structures grown on sapphire by pulsed laser deposition

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 3, 2005, Pages 1024-1028

  Kao, C J ^a   Kwon, Yong Wook ^a   Heo, Y W ^a   Norton, D P ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a   Chi, G C ^b  

^a University of Florida   (United States)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT RESISTANCE; DRAIN-SOURCE CURRENT; METAL GATES; ZNO;

LEAKAGE CURRENTS; PULSED LASER DEPOSITION; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; THIN FILMS; ZINC OXIDE;

MOSFET DEVICES;

EID: 31144460426     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1924613     Document Type: Article

References (30)

1. R. L. Hoffman, J. Appl. Phys. 95, 5813 (2004).
2. Y. Ohya, T. Niwa, T. Ban, and Y. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 297 (2001).
3. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 2685 (2004).
4. S. Masuda, K. Kitamura, Y. Okumura, and S. Miyatake, J. Appl. Phys. 93, 1624 (2003).
5. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
6. P. F. Garcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117 (2003).
7. P. F. Garcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, I. Malajovich, K. G. Sharp, S. Agrawal, and G. Nunes, Jr., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 769, H7.2.1 (2003).
8. J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).
9. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
10. J. Nishii, et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L347 (2003).
11. H. S. Bae and S. Im, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1191 (2004).
12. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541 (2004).
13. H. Ohno and H. Hosono, Mater. Today 7, 1942 (2004).
14. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
15. C. A. Mead, Phys. Lett. 18, 218 (1965).
16. R. C. Neville and C. A. Mead, J. Appl. Phys. 41, 3795 (1970).
17. J. C. Simpson and F. Cordaro, J. Appl. Phys. 63, 1781 (1988).
18. N. Ohashi, J. Tanaka, T. Ohgaki, H. Haneda, M. Ozawa, and T. Tsurumi, J. Mater. Res. 17, 1529 (2002).
19. H. Sheng, S. Muthukumar, N. W. Emanetoglu, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 80, 2132 (2002).
20. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, and H. A. van Laarhoven, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001); F. D. Auret (private communication).
21. F. D. Auret, S. A. Goodman, M. Hayes, M. J. Legodi, and H. A. van Laarhoven, Appl. Phys. Lett. 79, 3074 (2001); F. D. Auret (private communication).
22. B. J. Coppa, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 82, 400 (2003).
23. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, E. Kozhukhova, V. Vdovin, K. Ip, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1603 (2003).
24. A. Y. Polyakov, N. Smirnov, E. Kozhukhova, V. Vdovin, K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1575 (2003).
25. K. Ip, Y. Heo, K. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 171 (2004).
26. K. Ip, Y. Heo, K. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 84, 544 (2004).
27. S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, P. N. K. Deenapanray, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, and K. Ogata, J. Appl. Phys. 93, 2972 (2003).
28. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1990).
29. H. S. Bae, J. H. Kim, and S. Im, Electrochem. Solid-State Lett. 7, G279 (2004).
30. D. Norton, Y. W. Heo, M. Ivill, K. Ip, S. J. Pearton, M. F. Chisholm, and T. Steiner, Mater. Today 7, 34 (2004).