Etching of high aspect ratio features in Si using SF 6/O 2/HBr and SF 6/O 2/Cl 2 plasma

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 23, Issue 6, 2005, Pages 1592-1597

  Gomez, Sergi ^a   Belen, Rodolfo Jun ^a   Kiehlbauch, Mark ^b   Aydil, Eray S ^c  

^a Santa Barbara   (United States)

^b LAM RESEARCH CORPORATION   (United States)

^c University of Minnesota   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

OPTICAL EMISSIONS; PLANAR COIL; SIDEWALLS;

ASPECT RATIO; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MASS SPECTROMETRY; PASSIVATION; PLASMAS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SILICON;

ETCHING;

EID: 31044445656     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2049303     Document Type: Article

References (33)

1. A. A. Ayon, R. A. Braff, R. Bayt, H. H. Sawin, and M. A. Schmidt, J. Electrochem. Soc. 146, 2730 (1999).
2. W. C. Tian, J. W. Weigold, and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1890 (2000).
3. H. F. Winters and J. W. Coburn, Surf. Sci. Rep. 14, 161 (1992).
4. D. L. Flamm, V. M. Donnelly, and J. A. Mucha, J. Appl. Phys. 52, 3633 (1981).
5. R. Dagostino and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 52, 162 (1981).
6. S. Aachboun and P. Ranson, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2270 (1999).
7. S. Aachboun, P. Ranson, C. Hilbert, and M. Boufnichel, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1848 (2000).
8. M. A. Blauw, T. Zijlstra, R. A. Bakker, and E. van der Drift, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3453 (2000).
9. M. Boufnichel, S. Aachboun, F. Grangeon, P. Lefaucheux, and P. Ranson, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1508 (2002).
10. M. Boufnichel, S. Aachboun, P. Lefaucheux, and P. Ranson, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 267 (2003).
11. G. Craciun, M. A. Blauw, E. van der Drift, P. M. Sarro, and P. J. French, J. Micromech. Microeng. 12, 390 (2002).
12. C. P. Demic, K. K. Chan, and J. Blum, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1105 (1992).
13. R. Dussart, M. Boufnichel, G. Marcos, P. Lefaucheux, A. Basillais, R. Benoit, T. Tillocher, X. Mellhaoui, H. Estrade-Szwarckopf, and P. Ranson, J. Micromech. Microeng. 14, 190 (2004).
14. S. Gomez, R. J. Belen, M. Kiehlbauch, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 606 (2004).
15. T. Syau, B. J. Baliga, and R. W. Hamaker, J. Electrochem. Soc. 138, 3076 (1991).
16. J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 617 (1994).
17. K. M. Chang, T. H. Yeh, I. C. Deng, and H. C. Lin, J. Appl. Phys. 80, 3048 (1996).
18. G. Y. Yeom, Y. Ono, and T. Yamaguchi, J. Electrochem. Soc. 139, 575 (1992).
19. A. P. Mahorowala, H. H. Sawin, R. Jones, and A. H. Labun, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1055 (2002).
20. D. X. Ma, T. A. Lin, and C. H. Chen, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1217 (1992).
21. M. A. Vyvoda, M. Li, D. B. Graves, H. Lee, M. V. Malyshev, F. P. Klemens, J. T. C. Lee, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 820 (2000).
22. C. K. Yeon and H. J. You, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1502 (1998).
23. S. J. Ullal, H. Singh, J. Daugherty, V. Vahedi, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1195 (2002).
24. S. J. Ullal, H. Singh, V. Vahedi, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 499 (2002).
25. S. J. Ullal, A. R. Godfrey, E. Edelberg, L. Braly, V. Vahedi, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 43 (2002).
26. R. A. Gottscho and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys. 56, 245 (1984).
27. V. M. Donnelly, M. V. Malyshev, A. Kornblit, N. A. Ciampa, J. I. Colonell, and J. T. C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 2388 (1998).
28. V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1076 (1996).
29. J. W. Coburn and M. Chen, J. Appl. Phys. 51, 3134 (1980).
30. R. E. Walkup, K. L. Saenger, and G. S. Selwyn, J. Chem. Phys. 84, 2668 (1986).
31. R. J. Belen, S. Gomez, D. Cooperberg, M. Kiehlbauch, and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A A23, 1430 (2005).
32. G. S. Oehrlein, J. F. Rembetski, and E. H. Payne, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1199 (1990).
33. G. P. Kota, J. W. Coburn, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 282 (1999).