Characterization of hafnium aluminate gate dielectrics deposited by liquid injection metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 20, 2004, Pages 4119-4121

  Potter, R J ^a   Marshall, P A ^a   Chalker, P R ^a   Taylor, S ^a   Jones, A C ^a   Noakes, T C Q ^b   Bailey, P ^b  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

^b DARESBURY LABORATORY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; ANNEALING; CAPACITANCE; DIELECTRIC MATERIALS; GATES (TRANSISTOR); INTERNAL OXIDATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SUBSTRATES; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); GATE DIELECTRICS; MEDIUM ENERGY ION SCATTERING; PSUEDOBINARY ALLOYS;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 2942553048     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1755424     Document Type: Article

References (21)

1. T. M. Klein, D. Niu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Maher, C. C. Hobbs, R. I. Hedge, I. J. R. Baumvol, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 75, 4001 (1999).
2. P. K. Roy and I. C. Kizilyalli, Appl. Phys. Lett. 72, 2835 (1998).
3. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X. Wang, M. T. Hsich, H. S. Kim, W. L. Gladfelter, and J. H. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 44, 104 (1997).
4. M. Copel, M. A. Gribelyuk, and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
5. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
7. S. J. Lee, H. F. Luan, C. H. Lee, T. S. Jeon, W. P. Bai, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Technical Digest VLSI Symposium 2001, p. 133.
8. K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H. J. Cho, S. Gopalan, R. Nieh, E. Dharmarajan, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 659.
9. S. Taylor, P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, and P. R. Chalker, Electron. Lett. 38, 1285 (2002).
10. P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, N. L. Tobin, J. F. Bickley, H. O. Davies, L. M. Smith, and T. J. Leedham, Chem. Vap. Deposition 8, 163 (2002).
11. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskalä, T. Sajavaara, J. Keinonen, A. C. Jones, and J. L. Roberts, Chem. Mater. 15, 1722 (2003).
12. D. A. Neumayer and E. Cartier, J. Appl. Phys. 90, 1801 (2001).
13. G. D. Wilk, M. L. Green, M. Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorsch, F. P. Klemens, B. Brijs, R. B. van Dover, A. Kornblit, T. Gustaffson, E. Garfunkel, S. Hellenius, D. Monroe, P. Kalavade, and J. M. Hergenrother, Technical Digest VLSI Symposium 2002, p. 88.
14. M. H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D. H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81, 1071 (2002).
15. J. H. Lee, J. P. Kim, J. H. Lee, Y. S. Kim, H. S. Jung, N. I. Lee, H. K. Kang, K. P. Suh, M. M. Jeong, K. T. Hyun, H. S. Baik, Y. S. Chung, X. Liu, S. Ramanathan, T. Seidel, J. Winkler, A. Londergan, H. Y. Kim, J. M. Ha, and N. K. Lee, Proceedings of the 2002 IEEE International Electronics Devices Meeting, San Francisco.
16. Y. S. Kim, D. Lee, Y. E. Hong, D. H. Ko, J. H. Ku, and C. W. Yang, Abstr. 568, Advanced Programme 204th Meeting of the Electrochemical Society, Florida, 2003.
17. R. B. Clark-Phelps, A. Srivistava, L. Cleveland, T. E. Seidel, and O. Sneh, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 670, K2.2.1 (2001).
18. M. Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Räisänen, and T. Gustaffson, Appl. Phys. Lett. 81, 4218 (2002).
19. J. A. Aboaf, J. Electrochem. Soc. 114, 948 (1967).
20. P. Bailey, T. C. Q. Noakes, and D. P. Woodruff, Surf. Sci. 426, 358 (1999).
21. P. R. Chalker, P. A. Marshall, R. J. Potter, T. B. Joyce, A. C. Jones, S. Taylor, T. C. Q. Noakes, and P. Bailey, J. Mater. Sci. (to be published).