GaN ultraviolet photodetectors with transparent titanium tungsten and tungsten electrodes

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 8, 2005, Pages

  Chiou, Yu Zung ^a  

^a SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRODES; GALLIUM NITRIDE; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

TRANSPARENT ELECTRODES; ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;

PHOTODETECTORS;

EID: 25644453451     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1945587     Document Type: Article

References (23)

1. Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. Gong, Y. C. Lin, S. H. Liu, and C. S. Chang, IEEE J. Quantum Electron., 39, 681 (2003).
2. E. Monroy, E. Munoz, F. J. Sanchez, F. Calley, E. Calleja, B. Beaumont, P. Gibart, J. A. Munoz, and F. Cusso, Semicond. Sci. Technol., 13, 1042 (1998).
3. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photonics Technol. Lett., 16, 1718 (2004).
4. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. J. Tarsa, Appl. Phys. Lett., 75, 247 (1999).
5. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 71, 2334 (1997).
6. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 80, 347 (2002).
7. O. Katz, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 84, 4092 (2004).
8. E. Monroy, T. Palacios, O. Hainaut, F. Omnes, F. Calle, and J. F. Hochedez, Appl. Phys. Lett., 80, 3198 (2002).
9. M. Mosca, J. L. Reverchon, F. Omnes, and J. Y. Duboz, J. Appl. Phys., 95, 4367 (2004).
10. Y. K. Su, Y. Z. Chiou, F. S. Juang, S. J. Chang, and J. K. Sheu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 40, 2996 (2001).
11. J. Li, Y. Xu, T. Y. Hsiang, and W. R. Donaldson, Appl. Phys. Lett., 84, 2091 (2004).
12. Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, B. R. Huang, C. S. Chang, and Y. C. Lin, Mater. Chem. Phys., 80, 201 (2003).
13. Y. Z. Chiou and J. J. Tang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 4146 (2004).
14. Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. F. Chen, C. S. Chang, S. H. Liu, Y. C. Lin, and C. H. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 41, 3643 (2002).
15. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin, and J. C. Ke, IEEE J. Quantum Electron., 39, 1439 (2003).
16. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sci. Top. Quantum Electron., 8, 744 (2002).
17. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sci. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
18. J. K. Kim and J. L. Lee, J. Electrochem. Soc., 151, G190 (2004).
19. J. K. Kim, H. W. Jang, C. M. Jeon, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 4655 (2002).
20. H. Norde, J. Appl. Phys., 50, 5052 (1979).
21. K. E. Bohlin, J. Appl. Phys., 60, 1223 (1986).
22. S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd ed., John Wiley & Sons, New York (2001).
23. O. Katz, V. Garber, B. Meyler, G. Bahir, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett., 79, 1417 (2001).