Actinometry of inductively coupled Cl 2/N 2 plasmas for dry etching of GaAs

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 2, 2005, Pages

  Brückl, Tobias ^a   Zull, Heribert ^a  

^a OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTINOMETRY; HIGH-DENSITY PLASMAS; OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY (OES); PHOTORESIST;

CHLORINE; DRY ETCHING; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM COMPOUNDS; GROUND STATE; NITROGEN; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTORESISTORS;

INDUCTIVELY COUPLED PLASMA;

EID: 23844488821     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1994932     Document Type: Article

References (28)

1. E. Aperathitis, D. Cengher, M. Kayambaki, M. Androulidaki, G. Deligeorgis, K. Tsagaraki, Z. Hatzopoulos, and A. Georgakilas, Mater. Sci. Eng., B 80, 77 (2001).
2. K. Asakawa, T. Yoshikawa, S. Kohmoto, Y. Nambu, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 373 (1998).
3. R. d'Agostino, F. Cramarossa, F. Fracassi, and F. Illuzzi, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1584 (1988).
4. R. J. Shul, A. J. Howard, C. B. Vartuli, P. A. Barnes, and W. Seng, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1102 (1995).
5. R. J. Shul, A. G. Baca, D. J. Rieger, H. Hou, S. J. Pearton, and F. Ren, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 245 (1996).
6. R. J. Shul, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 633 (1997).
7. J. W. Lee, J. Hong, E. S. Lambers, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 143, 2010 (1996).
8. S. T. Ill, K. K. Ko, and S. W. Pang, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 894 (1995).
9. A. R. Giehl, M. Gumbel, M. Kessler, N. Herhammer, G. Hoffmann, and H. Fouckhardt, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2393 (2003).
10. Y. B. Hahn, D. C. Hays, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. J. Shul, Appl. Surf. Sci. 147, 207 (1999).
11. Y. W. Chen, B. S. Ooi, G. I. Ng, K. Radhakrishnan, and C. L. Tan, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2509 (2000).
12. C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2025 (1995).
13. S. J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, and B. Tseng, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 152 (1992).
14. G. Franz, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1542 (1998).
15. T. Maeda, Appl. Surf. Sci. 143, 174 (1999).
16. K. S. Nordheden and J. F. Sia, J. Appl. Phys. 94, 2199 (2003).
17. J. W. Coburn and M. Chen, J. Appl. Phys. 51, 3134 (1980).
18. R. d'Agostino, F. Cramarossa, S. De Benedictis, and G. Ferraro, J. Appl. Phys. 52, 1259 (1981).
19. R. d'Agostino, V. Colaprico, and F. Cramarossa, Plasma Chem. Plasma Process. 1, 365 (1981).
20. S. De Benedictis, R. d'Agostino, and F. Cramarossa, J. Appl. Phys. 56, 3198 (1984).
21. R. d'Agostino, F. Cramarossa, S. De Benedictis, and F. Fracassi, Plasma Chem. Plasma Process. 4, 163 (1984).
22. R. d'Agostino, F. Cramarossa, S. De Benedictis, F. Fracassi, L. Láska, and K. Mašek, Plasma Chem. Plasma Process. 5, 239 (1985).
23. T. Saitoh and H. Kanbe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L60 (1996).
24. G. Franz, A. Kelp, and P. Messerer, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2053 (2000).
25. D. S. Wuu, C. R. Chung, Y. H. Liu, R. H. Hong, and S. H. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 902 (2002).
26. F. Ren, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. Lopata, S. J. Pearton, and J. A. Caballero, Solid-State Electron. 39, 696 (1996).
27. P. Kopperschmidt and F. Heinrich, Recent Res. Devel. Vacuum Sci. & Tech. 3, 105 (2001), and references cited therein.
28. F. Heinrich, US Patent No. 5,406,080 (1995); for further information see www.p-a-s.de