Dry via hole etching of GaAs using high-density Cl2/Ar plasma

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 18, Issue 5, 2000, Pages 2509-2512

  Chen, Y W ^a   Ooi, B S ^a   Ng, G I ^a   Radhakrishnan, K ^a   Tan, C L ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; ARGON; CHLORINE; DRY ETCHING; MICROWAVES; PRESSURE EFFECTS; SEMICONDUCTOR PLASMAS;

HOLE ETCHING;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0034266706     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1289548     Document Type: Article

References (17)

1. A. Grill, Cold Plasma in Materials Fabrication (IEEE, New York, 1993).
2. K. J. Nordheden, D. W. Ferguson, and P. M. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1879 (1993).
3. S. Salimian, C. B. Cooper III, and M. E. Day, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1606 (1987).
4. M. S. Chung, H. R. Kim, J. E. Lee, B. K. Kang, and B. M. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 159 (1993).
5. L. G. Hipwood and P. N. Wood, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 395 (1985).
6. K. P. Hilton and J. Woodward, Electron. Lett. 21, 962 (1985).
7. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J. C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger, and S. H. Kravitz, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 657 (1997).
8. S. J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, and B. Tseng, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 152 (1993).
9. R. J. Shul, A. G. Baca, R. D. Briggs, and, G. B. McClellan, Proc. Electrochem. Soc. 2, 515 (1996).
10. F. Foulon and M. Green, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1854 (1993).
11. J. Asmussen, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 883 (1989).
12. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, and A. P. Kinsella, Appl. Phys. Lett. 56, 1424 (1990).
13. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, D. L. Hetherington, D. J. Rieger, J. F. Klem, and M. R. Melloch, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 27 (1995).
14. E. L. Hu and R. E. Howard, Appl. Phys. Lett. 37, 1022 (1980).
15. S. Salimian, C. B. Cooper III, and M. E. Day, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1606 (1987).
16. K. J. Nordheden, D. W. Ferguson, and P. M. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1879 (1993).
17. S. Salimian, C. B. Cooper III, and M. E. Day, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1606 (1987).