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Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 3, 1999, Pages 978-982

Nanometer-scale Si-selective epitaxial growth using an ultrathin SiO2 mask

(1) Miyata, Noriyuki a

a NATL INST FOR ADV INTERDISC RES (Japan)

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EID: 22644452597 PISSN: 10711023 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: None Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.