Epitaxial silicide formation on recoil-implanted substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 2, 2005, Pages

  Hashimoto, Shin ^a   Egashira, Kyoko ^a   Tanaka, Tomoya ^a   Etoh, Ryuji ^a   Hata, Yoshifumi ^a   Tung, R T ^b  

^a PANASONIC CORPORATION   (Japan)

^b CITY UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

RECOIL-IMPLANT SUBSTRATES; SILICIDE; SUBMICRON DEVICES; SURFACE LAYERS;

COBALT COMPOUNDS; ETCHING; GRAIN BOUNDARIES; IMPURITIES; OXYGEN; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; PRECIPITATION (CHEMICAL); REACTION KINETICS; SILICON COMPOUNDS; SURFACE PROPERTIES;

EPITAXIAL GROWTH;

EID: 19944434355     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1819973     Document Type: Article

References (28)

1. A. Lauwers, M. de Potter, O. Chamirian, R. Lindsay, C. Demeurisse, C. Vrancken, and K. Maex, Microelectron. Eng. 64, 131 (2002).
2. R. T. Tung and S. Ohmi, Thin Solid Films 369, 233 (2000).
3. R. T. Tung, Mater. Chem. Phys. 32, 107 (1992).
4. A. E. White, K. T. Short, R. C. Dynes, J. P. Garno, and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 50, 95 (1987).
5. R. T. Tung, J. M. Gibson, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 43, 476 (1983).
6. S. Mantl and H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 61, 267 (1992).
7. M. L. A. Dass, D. B. Fraser, and C.-S. Wei, Appl. Phys. Lett. 58, 1308 (1991).
8. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
9. F. La Via, A. H. Reader, J. P. W. B. Duchateau, E. P. Naburgh, D. J. Oostra, and A. J. Kinneging, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2284 (1992).
10. A. H. Reader, J. P. W. B. Duchateau, J. E. Crombeen, E. P. Naburgh, and M. A. J. Somers, Appl. Surf. Sci. 53, 92 (1991).
11. H. S. Rhee, B. T. Ahn, and D. K. Sohn, J. Appl. Phys. 86, 3452 (1999).
12. K. Inoue, R. T. Tung, K. Mikagi, S. Chikaki, and T. Kikkawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 440, 435 (1997).
13. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, H. Bender, B. Brijs, and W. Vandervorst, J. Appl. Phys. 89, 2146 (2001).
14. R. K. K. Chong, M. Yeadon, W. K. Choi, E. A. Stach, and C. B. Boothroyd, Appl. Phys. Lett. 82, 1833 (2003).
15. H. S. Rhee and B. T. Ahn, Appl. Phys. Lett. 74, 3176 (1999).
16. R. T. Tung and F. Schrey, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 402, 173 (1996).
17. J. S. Byun, J. M. Seon, J. W. Park, H. Hwang, and J. J. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 402, 167 (1996).
18. G. B. Kim, J. S. Kwak, H. K. Baik, S. M. Lee, S. H. Oh, and C. G. Park, Appl. Phys. Lett. 77, 1443 (2000).
19. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, H. Bender, and S. Zhu, J. Appl. Phys. 88, 133 (2000).
20. R. T. Tung, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 427, 481 (1996).
21. S. J. Pennycook and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett. 64, 938 (1990).
22. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex, W. Vandervorst, and B. Brijs, Appl. Phys. Lett. 77, 3170 (2000).
23. F. M. d'Heurle and C. S. Petersson, Thin Solid Films 128, 283 (1985).
24. M. Bartur and M.-A. Nicolet, J. Appl. Phys. 54, 5404 (1983).
25. K. Goto, A. Fushida, J. Watanabe, T. Sukegawa, Y. Tada, T. Nakamura, T. Yamazaki, and T. Sugii, IEEE Trans. Electron Devices 46, 117 (1999).
26. A. Alberti, F. La Via, and F. Rimini, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1448 (1999).
27. S. Vaidya, S. P. Murarka, and T. T. Sheng, J. Appl. Phys. 58, 971 (1985).
28. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 72, 2538 (1998).