Formation of epitaxial CoSi2 by a Cr or Mo interlayer: Comparison with a Ti interlayer

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 4, 2001, Pages 2146-2150

  Detavernier, C ^a   Van Meirhaeghe, R L ^a   Cardon, F ^a   Maex, K ^b   Bender, H ^b   Brijs, B ^b   Vandervorst, W ^b  

^a GHENT UNIVERSITY   (Belgium)

^b IMEC   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000901205     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1340598     Document Type: Review

References (18)

1. A. Appelbaum, R. V. Knoell, and S. P. Murarka, J. Appl. Phys. 57, 1880 (1985).
2. F. M. d'Heurle, J. Mater. Res. 3, 167 (1988).
3. M. Lawrence, A. Dass, D. B. Fraser, and C. W. Wei, Appl. Phys. Lett. 58, 1308 (1991).
4. S.-L. Zhang and F. M. d'Heurle, summerschool on silicides, Erice (1999).
5. J. S. Byun and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 78, 6784 (1995).
6. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
7. G. B. Kim, J. S. Kwak, H. K. Baik, and S. M. Lee, J. Appl. Phys. 85, 1503 (1999).
8. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, R. A. Donaton, and K. Maex, Appl. Phys. Lett. 74, 2930 (1999).
9. C. Detavernier, R. De Gryse, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, G.-P. Ru, X.-P. Qu, B.-Z. Li, R. A. Donaton, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 470 (2000).
10. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, R. A. Donaton, and K. Maex, Microelectron. Eng. 50, 125 (2000).
11. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, K. Maex, W. Vandervorst, B. Brijs, and F. Cardon, Appl. Phys. Lett. 77, 3170 (2000).
12. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, and K. Maex, Phys. Rev. B 62, 12045 (2000).
13. R. T. Tung, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 427, 481 (1996).
14. A. Vantomme, S. Degroote, J. Dekoster, G. Langouche, and R. Pretorius, Appl. Phys. Lett. 74, 3137 (1999).
15. S. S. Lau, J. W. Mayer, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 49, 4005 (1978).
16. F. Hong and G. A. Rozgonyi, J. Electrochem. Soc. 141, 3480 (1994).
17. J. S. Kwak, E. J. Chi, J. D. Choi, S. W. Park, H. K. Baik, M. G. So, and S. M. Lee, J. Appl. Phys. 78, 983 (1995).
18. A. Guivarc'h, P. Auvray, L. Berthou, M. Le Cun, J. P. Boulet, P. Henoc, G. Pelous, and A. Martinez, J. Appl. Phys. 49, 233 (1978).