Quantitative analysis of electric force microscopy: The role of sample geometry

Review of Scientific Instruments

Volumn 76, Issue 5, 2005, Pages

  Tevaarwerk, Emma ^a   Keppel, D G ^a   Rugheimer, P ^a   Lagally, M G ^a   Eriksson, M A ^a  

^a UNIVERSITY OF WISCONSIN MADISON   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CANTILEVER OSCILLATIONS; ELECTRIC FORCE MICROSCOPY; FREQUENCY SHIFTS; RESONANCE FREQUENCY;

CAPACITANCE; COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTROSTATICS; GEOMETRY; MATHEMATICAL MODELS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON COMPOUNDS;

ELECTRICAL ENGINEERING;

EID: 18744404825     PISSN: 00346748     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1898183     Document Type: Article

References (24)

1. B. D. Terris, J. E. Stern, D. Rugar, and H. J. Mamin, Phys. Rev. Lett. 63, 2669 (1989).
2. D. M. Schaadt, E. T. Yu, S. Sankar, and A. E. Berkowitz, Appl. Phys. Lett. 74, 472 (1999).
3. T. D. Krauss and L. E. Brus, Phys. Rev. Lett. 83, 4840 (1999).
4. P. A. Rosenthal, E. T. Yu, R. L. Pierson, and P. J. Zampardi, J. Appl. Phys. 87, 1937 (2000).
5. E. A. Boer, M. L. Brongersma, H. A. Atwater, R. C. Flagan, and L. D. Bell, Appl. Phys. Lett. 79, 791 (2001).
6. R. Ludeke and E. Cartier, Appl. Phys. Lett. 78, 3998 (2001).
7. S. Cunningham, I. A. Larkin, and J. H. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 123 (1998).
8. T. Melin, D. Deresmes, and D. Stievenard, Appl. Phys. Lett. 81, 5054 (2002).
9. S. Watanabe, K. Hane, T. Ohye, M. Ito, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1774 (1993).
10. S. Belaidi, P. Girard, and G. Leveque, J. Appl. Phys. 81, 1023 (1997).
11. Z. Y. Li, B. Y. Gu, and G. Z. Yang, Phys. Rev. B 57, 9225 (1998).
12. J. Colchero, A. Gil, and A. M. Baro, Phys. Rev. B 64, 245403 (2001).
13. S. Gomez-Monivas, L. S. Froufe, R. Carminati, J. J. Greffet, and J. J. Saenz, Nanotechnology 12, 496 (2001).
14. S. Gomez-Moñivas, L. S. Froufe-Ṕrez, A. J. Caamaño, and J. J. Sáenz, Appl. Phys. Lett. 79, 4048 (2001).
15. Y. Martin, C. Williams, and H. K. Wickramasinghe, J. Appl. Phys. 61, 4782 (1987).
16. T. R. Albrecht, P. Grutter, D. Horne, and D. Rugar, J. Appl. Phys. 69, 668 (1991).
17. D. W. Abraham, C. Williams, J. Slinkman, and H. K. Wickramasinghe, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 703 (1991).
18. Q. Xu, J. W. P Hsu, J. A. Carlin, R. M. Sieg, J. J. Boeckl, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 75, 2111 (1999).
19. T. Hochwitz, A. K. Henning, C. Levey, C. Daghlian, and J. Slinkman, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 457 (1996).
20. E. Tevaarwerk, P. Rugheimer, O. M. Castellini, D. G. Keppel, S. T. Utley, D. E. Savage, M. G. Lagally, and M. A. Eriksson, Appl. Phys. Lett. 80, 4626 (2002).
21. C. Staii, A. T. Johnson, and N. J. Pinto, Nano Lett. 4, 859 (2004).
22. M. Bockrath, N. Markovic, A. Shepard, M. Tinkham, L. Gurevich, L. P. Kouwenhoven, M. W. Wu, and L. L. Sohn, Nano Lett. 2, 187 (2002).
23. FLEXPDE VERSION 3.10.1 (PDE Solutions Inc, Antioch, CA).
24. F. J. Giessibl, Appl. Phys. Lett. 78, 123 (2001).