Nonalloyed ohmic mechanism of TiN interfacial layer in Ti/Al contacts to (NH 4) 2S x-treated n-type GaN layers

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 7, 2002, Pages 3825-3829

  Lee, Ching Ting ^a   Lin, Yow Jon ^a   Lin, Chun Hung ^a  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL RESISTIVITY; GAN LAYERS; INTERFACIAL LAYER; LOW WORK FUNCTION; NATIVE OXIDES; NITROGEN VACANCIES; NONALLOYED OHMIC CONTACT; OHMIC BEHAVIOR; OUT-DIFFUSION;

ELECTRIC CONDUCTIVITY; PHOTOELECTRONS; TITANIUM NITRIDE; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 18644380266     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1506383     Document Type: Article

References (38)

1. J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Gallium Nitride (GaN)II, Semiconductors and Semimetals Vol. 57 (Academic, London, 1999).
2. S. Nakamura and S. F. Chichibu, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor and Francis, London, 2000).
3. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Solid-State Electron. 41, 1569 (1997). sel SSELA5 0038-1101
4. S. J. Cai, R. Li, Y. L. Chen, L. Wong, W. G. Wu, S. G. Thomas, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2354 (1998). ell ELLEAK 0013-5194
5. Y. T. Lyu, Y. R. Liu, D. S. Liu, and C. T. Lee, J. Chin. Instit. Electr. Eng. 7, 173 (2000).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 76, 22 (2000). apl APPLAB 0003-6951
7. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994). apl APPLAB 0003-6951
8. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994). apl APPLAB 0003-6951
9. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998). sel SSELA5 0038-1101
10. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
11. D. W. Kim and H. K. Baik, Appl. Phys. Lett. 77, 1011 (2000). apl APPLAB 0003-6951
12. C. T. Lee and H. W. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000). apl APPLAB 0003-6951
13. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washbum, K. J. Duxstad, E. E. Haller, Z. F. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 1556 (1996). apl APPLAB 0003-6951
14. B. P. Luther, J. W. Delucca, S. E. Mohney, and R. F. Karlicek, Jr. Appl. Phys. Lett. 71, 3859 (1997). apl APPLAB 0003-6951
15. H. J. Lee, S. J. Yu, H. Asahi, S. I. Gonda, Y. H. Kim, J. K. Rhee, and S. J. Noh, J. Electron. Mater. 27, 829 (1998). jem JECMA5 0361-5235
16. Y. J. Lin, H. Y. Lee, F. T. Hwang, and C. T. Lee, J. Electron. Mater. 30, 532 (2001). jem JECMA5 0361-5235
17. C. T. Lee, Y. J. Lin, and D. S. Liu, Appl. Phys. Lett. 79, 2573 (2001). apl APPLAB 0003-6951
18. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
19. Y. J. Lin, C. D. Tsai, Y. T. Lyu, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 687 (2000). apl APPLAB 0003-6951
20. C. Huh, S. W. Kim, H. M. Kim, D. J. Kim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 78, 1942 (2001). apl APPLAB 0003-6951
21. L. L. Smith, R. F. Davis, R. J. Liu, M. J. Kim, and R. W. Carpenter, J. Mater. Res. 14, 1032 (1999). jmr JMREEE 0884-2914
22. Y. J. Lin and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000). apl APPLAB 0003-6951
23. C. D. Tsai and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 87, 4230 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
24. K. S. Robinson and P. M. A. Sherwood, Surf. Interface Anal. 6, 261 (1984). sia SIANDQ 0142-2421
25. P. M. A. Sherwood, in Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy, edited by D. Briggs and M. P. Seah, Second ed. 2nd. J. (Wiley, New York, 1990), Appendix 3.
26. K. Kuriyama, T. Tsunoda, N. Hayashi, and Y. Takahashi, Phys. Research B 148, 432 (1999). nib NIMBEU 0168-583X
27. Y. Inoue, M. Nomiya, and O. Takai, Vacuum 51, 673 (1998). vac VACUAV 0042-207X
28. M. Delfino, J. A. Fair, and D. Hodul, J. Appl. Phys. 71, 6079 (1992). jap JAPIAU 0021-8979
29. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 497 (1999). jvb JVTBD9 0734-211X
30. C. A. Dimitriadis, T. Karakostas, S. Logothetidis, G. Kamarinos, J. Brini, and G. Nouet, Solid-State Electron. 43, 1969 (1999). sel SSELA5 0038-1101
31. P. H. Holloway, T. J. Kim, J. T. Trexler, S. Miller, J. J. Fijol, W. V. Lampert, and T. W. Haas, Appl. Surf. Sci. 117, 362 (1997). asu ASUSEE 0169-4332
32. A. N. Bright, D. M. Tricker, C. J. Humphreys, and R. Davies, J. Electron. Mater. 30, L13 (2001). jem JECMA5 0361-5235
33. M. Kawamura, K. Kumagai, Y. Abe, K. Sasaki, and H. Yanagisawa, Vacuum 51, 377 (1998). vac VACUAV 0042-207X
34. K. Baba and R. Hatada, Surf. Coat. Technol. 136, 192 (2001). sct SCTEEJ 0257-8972
35. I. M. Band, Y. I. Kharitonov, and M. B. Trzhaskovskaya, At. Data Nucl. Data Tables 23, 443 (1979). adn ADNDAT 0092-640X
36. Y. Fukuda, Y. Suzuki, and N. Sanada, J. Appl. Phys. 76, 3059 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
37. M. Sakata and K. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 3813 (1994). jjb JAPNDE 0021-4922
38. M. M. Hyland and G. M. Bancroft, Geochim. Cosmochim. Acta 53, 367 (1989). gca GCACAK 0016-7037