Hydrogen desorption kinetics from the Si (1 - x)Ge x(100)-(2×1) surface

Journal of Chemical Physics

Volumn 120, Issue 11, 2004, Pages 5424-5431

  Tok, E S ^a   Ong, S W ^a   Kang, H Chuan ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DESORPTION BARRIERS; DESORPTION KINETICS;

CHEMICAL BONDS; DESORPTION; DIMERS; EPITAXIAL GROWTH; GERMANIUM; HYDROGEN; MOLECULAR BEAM EPITAXY; REACTION KINETICS; SURFACE PROPERTIES;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 1842759591     PISSN: 00219606     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1645510     Document Type: Article

References (54)

1. J. Eberhardt and E. Kasper, Mater. Sci. Eng., B B89, 93 (2002).
2. M. Bauer, C. Schöllhorn, K. Lyutovich, E. Kasper, M. Jutzi, and M. Berroth, Mater. Sci. Eng., B B89, 77 (2002).
3. J. M. Fernandez, L. Hart, X. M. Zhang, M. H. Xie, J. Zhang, and B. A. Joyce, J. Cryst. Growth 164, 241 (1996); E. S. Tok, N. J. Woods, and J. Zhang, ibid. 209, 321 (2000).
4. J. M. Fernandez, L. Hart, X. M. Zhang, M. H. Xie, J. Zhang, and B. A. Joyce, J. Cryst. Growth 164, 241 (1996); E. S. Tok, N. J. Woods, and J. Zhang, ibid. 209, 321 (2000).
5. N. M. Russell and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 369, 51 (1996); N. M. Russell and W. G. Breiland, J. Appl. Phys. 73, 3525 (1993).
6. N. M. Russell and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 369, 51 (1996); N. M. Russell and W. G. Breiland, J. Appl. Phys. 73, 3525 (1993).
7. S. Gu, R. Wang, R. Zhang, and Y. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3256 (1996).
8. H. Kim, P. Desjardins, J. R. Abelson, and J. E. Greene, Phys. Rev. B 58, 4803 (1998).
9. J. M. Hartmann, V. Loup, G. Rolland, P. Holliger, F. Laugier, C. Vannuffel, and M. N. Semeria, J. Cryst. Growth 236, 10 (2002).
10. B. M. H. Ning and J. E. Crowell, Surf. Sci. 295, 79 (1993).
11. G. Boishin and L. Surnev, Surf. Sci. 345, 64 (1996).
12. H. Kim, N. Taylor, J. R. Abelson, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 82, 6062 (1997).
13. T. Angot and R. Chelly, Surf. Sci. 402-404, 52 (1998).
14. T. Angot and P. Louis, Phys. Rev. B 60, 5938 (1999).
15. A. D. Becke, J. Chem. Phys. 98, 5648 (1993).
16. C. Lee, W. Yang, and R. G. Parr, Phys. Rev. B 37, 785 (1988).
17. M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel et al., GAUSSIAN 94 (Revision E.2), Gaussian. Inc., Pittsburgh, PA, 1995.
18. E. S. Tok and H. C. Kang, J. Chem. Phys. 115, 6550 (2001).
19. C. Yang and H. C. Kang, J. Chem. Phys. 110, 11029 (1999).
20. R. H. Miwa, Surf. Sci. 418, 55 (1998).
21. Y. J. Ko, K. Park, J. S. Ha, and W. S. Yun, Phys. Rev. B 60, 8158 (1999).
22. S. J. Jenkins and G. P. Srivastava, Surf. Sci. 377-379, 887 (1997).
23. L. Patthey, E. L. Bullock, T. Abukawa, S. Kono, and L. S. O. Johansson, Phys. Rev. Lett. 75, 2538 (1995).
24. T. Angot and P. Louis, Phys. Rev. B 61, 7293 (2000).
25. S. C. A. Gay and G. P. Srivastava, Surf. Sci. 433-435, 909 (1999).
26. X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 85, 3660 (2000); Z. Y. Lu, C. Z. Wang, and K. M. Ho, Surf. Sci. 506, L282 (2002).
27. X. R. Qin, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 85, 3660 (2000); Z. Y. Lu, C. Z. Wang, and K. M. Ho, Surf. Sci. 506, L282 (2002).
28. J. H. G. Owen, D. R. Bowler, C. M. Goringe, K. Miki, and G. A. D. Briggs, Phys. Rev. B 54, 14153 (1996).
29. A. Vittadini, A. Selloni, and M. Casarin, Surf. Sci. Lett. 289, L625 (1993).
30. C. J. Wu and E. A. Carter, Phys. Rev. B 49, 11191 (1994).
31. M. L. Wise, B. G. Koehler, P. Gupta, P. A. Coon, and S. M. George, Surf. Sci. 258, 166 (1991).
32. U. Höfer, L. Li, and T. F. Heinz, Phys. Rev. B 45, 9485 (1992).
33. M. C. Flowers, N. B. H. Jonathan, Y. Liu, and A. Morris, J. Chem. Phys. 99, 7038 (1993).
34. C. M. Greenlief and M. Armstrong, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1810 (1995).
35. J. W. Sharp and G. Eres. Surf. Sci. 320, 169 (1994).
36. L. A. Okada, M. L. Wise, and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 82/83, 410 (1994).
37. X. F. Hu, Z. Xu, D. Lim, M. C. Downer, P. S. Parkinson, B. Gong, G. Hess, and J. G. Ekerdt, Appl. Phys. Lett. 71, 1376 (1997).
38. R. W. Price, E. S. Tok, and J. Zhang, J. Cryst. Growth 209, 306 (2000); Phys. Rev. B 59, R5292 (1999).
39. R. W. Price, E. S. Tok, and J. Zhang, J. Cryst. Growth 209, 306 (2000); Phys. Rev. B 59, R5292 (1999).
40. E. Pehlke and M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 74, 952 (1995).
41. A. Vittadini and A. Selloni, Chem. Phys. Lett. 235, 334 (1995).
42. J. Y. Lee, J. Y. Maeng, A. Kim, Y. E. Cho, and S. Kim, J. Chem. Phys. 118, 1929 (2003).
43. L. B. Lewis, J. Segall, and K. C. Janda, J. Chem. Phys. 102, 7222 (1995).
44. M. P. D'Evelyn, S. M. Cohen, E. Rouchouze, and Y. L. Yang, J. Chem. Phys. 98, 3560 (1993).
45. J. W. Sharp and D. Eres, J. Cryst. Growth 125, 553 (1992).
46. L. Surnev and M. Tikhov, Surf. Sci. 138, 40 (1984).
47. Y. Okamoto, J. Phys. Chem. B 106, 570 (2002).
48. F. Hirose, H. Sakamoto, M. Terashi, J. Kuge, and M. Niwano, Thin Solid Films 343, 404 (1999).
49. A representative set of experimental data with a clearly defined fitting procedure is shown in Fig. 1 of Ref. 6.
50. A. Biedermann, E. Knoesel, Z. Hu, and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 83, 1810 (1999).
51. F. M. Zimmermann and X. Pan, Phys. Rev. Lett. 85, 618 (2000).
52. M. Dürr, M. B. Raschke, E. Pehlke, and U. Höfer, Phys. Rev. Lett. 86, 123 (2001).
53. A. Vittadini and A. Selloni, Chem. Phys. Lett. 235, 334 (1995).
54. E. Pehlke, Phys. Rev. B 62, 12932 (2000).