Electrical, CL, EPR and RBS study of annealed SiC implanted with Al or Al and C

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 201, Issue 3, 2004, Pages 486-496

  Jones, K A ^a   Derenge, M A ^a   Ervin, M H ^a   Shah, P B ^a   Freitas, J A ^b   Vispute, R D ^c   Sharma, R P ^c   Gerardi, G J ^d  

^a U S ARMY RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c University of Maryland   (United States)

^d WILLIAM PATERSON UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; ANNEALING; CARBON; CRYSTAL DEFECTS; EVAPORATION; ION IMPLANTATION; PARAMAGNETIC RESONANCE; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON CARBIDE; THERMAL EFFECTS; X RAY ANALYSIS;

ANNEALING TEMPERATURE; X-BAND SPECTRUM;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 1642524958     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200306704     Document Type: Article

References (44)

1. R. F. Davis, G. Kelner, M. Shur, J. W. Palmour, and J. A. Edmond, Proc. IEEE 79, 677 (1991).
2. A. Perez-Rodriguez, Y. Pacaud, L. Calvo-Barrio, C. Serre, W. Skorupa, and J. R. Morante, J. Electron Mater. 25, 541 (1996).
3. J. Gardner, M. V. Rao, O. W. Holland, G. Kelner, D. S. Simons, P. H. Chi, J. M. Andrews, J. Kretchmer, and M. Ghezzo, J. Electron. Mater. 25, 885 (1996).
4. C. J. McHargue and J. M. Williams, Nucl. Instrum. Methods 80/81, 889 (1993).
5. L. Calcagno, M. G. Grimaldi, and P. Muscumeci, J. Mater. Res. 12, 1727 (1997).
6. M. O. Aboelfotoh and J. P. Doyle, Phys. Rev. B 59, 10823 (1999).
7. H. Itoh, N. Hayakawa, I. Nashiyama, and E. Sakuno, J. Appl. Phys. 66, 4529 (1989).
8. J. M. Bluet, J. Pernot, J. Camassei, S. Contreras, J. L. Robert, J. F. Michael, and T. Billon, J. Appl. Phys. 88, 1971 (2000).
9. K. A. Jones, P. B. Shah, K. W. Kirchner, R. T. Lareau, M. C. Wood, M. H. Ervin, R. D. Vispute, R. P. Sharma, T. Venkatesan, and O. W. Holland, Mater. Sci. Eng. B 61/62, 281 (1999).
10. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensly, J. Heindl, H. P. Strunk, and M. Maier, phys. stat. sol. (a) 162, 277 (1997).
11. M. V. Rao, R. Griffiths, J. Gardner, O. W. Holland, M. Ghezzo, J. Kretchmer, G. Kelner, and J. A. Freitas, Jr., J. Electron. Mater. 25, 75 (1996).
12. J. H. Zhao, K. Tone, S. R. Weiner, M. A. Caleca, H. Du, and S. P. Withrow, IEEE Electron Device Lett., 18, 375 (1997).
13. L. Patrick and W. J. Choyke, Phys. Rev. B 5, 3253 (1972).
14. T. Dalibor, C. Peppermuller, G. Pensl, S. Sridhara, R. P. Devaty, W. J. Choyke, A. Itoh, T. Kmimoto, and H. Matsunami, Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 517 (1996).
15. G. D. Watkins and J. W. Corbett, Phys. Rev. A 138, 543 (1964).
16. T. Dalibor, G. Pensl, T. Kimoto, H. Matsunami, S. Srindhara, R. P. Devaty, and W. J. Choyke, Diam. Relat. Mater. 6, 1333 (1997).
17. W. J. Choyke, in: Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides, NATO Science Series: E Applied Sciences, edited by R. Freer (Kluwer, Dordrecht, 1990) Vol. 185, p. 563.
18. Ch. Haberstroh and R. Heibig, J. Appl. Phys. 76, 509 (1994).
19. T. Egilisson, J. P. Bergman, I. G. Ivanov, A. Henry, and E. Janzen, Phys. Rev. B 59, 1956 (1999).
20. L. Storasta, F. H. C. Carlsson, S. G. Sridhara, J. P. Bergman, A. Henry, T. Egilsson, A. Hallen, and E. Janzen, Appl. Phys. Lett. 18, 46 (2001).
21. S. Nakamura, T. Kimoto, and H. Matsunami, to be published in Inst. Phys. Conf. Ser. (2002).
22. E. M. Handy, M. V. Rao, K. A. Jones, M. A. Derenge, P. H. Oh, R. D. Vispute, T. Venkatesan, N. A. Papanicolaou, and J. Mittereder, J. Appl. Phys. 86, 746 (1999).
23. S. Adachi, M. Mohri, and T. Yamachina, Surf. Sci. 161, 479 (1985).
24. L. Muehlhoff, W. J. Choyke, M. J. Bozac, and J. T. Yates, Jr., J. Appl. Phys. 60, 2842 (1986).
25. K. A. Jones, K. Xie, D. W. Eckart, M. C. Wood, V. Talyansky, R. D. Vispute, T. Venkatesan, K. Wongshotigul, and M. Spencer, J. Appl. Phys. 83, 8010 (1998).
26. W. J. Schaffer, G. H. Negley, K. G. Irvine, and J. W. Palmour, Mater. Res. Soc. Proc. 339, 595 (1994).
27. G. Pensl and W. J. Choyke, Physica B 185, 264 (1993).
28. N. S. Saks, A. K. Agarwal, S.-H. Ryu, and J. W. Palmour, J. Appl. Phys. 90, 2796 (2001).
29. T. Kimoto, A. Itoh, H. Matsunami, S. Sridhara, L. L. Clemen, R. P. Devaty, W. J. Choyke, T. Gailbor, C. Peppermuller, and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 67, 2833 (1995).
30. A. Kakanakova-Georgleva, R. Yakimova, A. Henry, M. K. Linnarasson, M. Syvajarvi, and E. Janzen, J. Appl. Phys. 91, 2890 (2002).
31. J. A. Freitas, Jr., S. G. Bishop, J. A. Edmond, J. Ryu, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 61, 2011 (1987).
32. T. Ohno, H. Onose, Y. Sugawara, K. Asano, T. Hayashi, and T. Yatsuo, J. Electron Mat. 28, 180 (1999).
33. K. V. Ravi and C. J. Varker, J. Appl. Phys. 45, 263 (1974).
34. K. A. Jones, T. S. Zheleva, P. B. Shah, S. Harmon, J. McGee, and R. D. Vispute, to be published.
35. th ICSCRM, Lyon, France.
36. I. O. Usov, A. A. Suvorova, V. V. Sololov, Y. A. Kudryavtsev, and A. V. Suvorov, J. Appl. Phys. 86, 6039 (1999).
37. S. G. Sridhara, D. G. Nizhner, R. P. Devaty, W. J. Choyke, T. Dalibor, G. Pensl, and T. Kimoto, Mater. Sci. Forum 264-268, 493 (1998).
38. L. Patrick and W. J. Choyke, J. Phys. Chem. Solids 34, 565 (1973).
39. L. L. Clemen, R. P. Devaty, M. F. MacMillan, M. Yoganathan, W. J. Choyke, D. J. Larkin, J. A. Powell, J. A. Edmond, and H. S. Kong, Appl. Phys. Lett. 62, 2953 (1993).
40. W. Goetz, A. Schoner, G. Pensl, W. Suttrop, W. J. Choyke, R. Stein, and S. Leibenzeder, J. Appl. Phys. 73, 3332 (1993).
41. G. J. Gerardi, E. H. Poindexter, and D. J. Keeble, J. Appl. Phys. 87, 1914 (2000).
42. J. Reinke, S. Greulich-Weber, and J. M. Spaeth. Solid State Commun. 98, 835 (1980).
43. E. N. Kalabukhova, S. N. Lukin, B. D. Shanina, L. V. Artamonov, and E. N. Mokhov, Sov. Phys. Solid State 32, 482 (1990).
44. M. K. Linnarsson, M.S. Janson, U. Zimmermann, B. G. Svensson, P. O. A. Persson, L. Hultman, J. Wong-Leung, S. Karlsson, A. Schoner, H. Bleichner, and E. Olsson, Appl. Phys. Lett. 79, 2016 (2001).