Optical and electrical properties of AlCrN films grown by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 6, 2004, Pages 2758-2763

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Frazier, R M ^b   Liefer, J Y ^b   Thaler, G T ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Zavada, J M ^c  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^c U S ARMY RESEARCH OFFICE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION BANDS; BAND GAP; FREE CARRIERS; SPINTRONICS;

ABSORPTION; ACTIVATION ENERGY; ALUMINUM COMPOUNDS; CARRIER CONCENTRATION; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRON TRAPS; FERROMAGNETISM; ION IMPLANTATION; LATTICE CONSTANTS; LIGHT TRANSMISSION; MAGNETIZATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; THERMODYNAMIC STABILITY; X RAY DIFFRACTION;

THIN FILMS;

EID: 13244283458     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1819927     Document Type: Article

References (33)

1. T. Dietl, Semicond. Sci. Technol. 17, 377 (2002).
2. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. Stadelmaier, M. E. Ritums, N. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
3. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
4. Y. N. Park, H.-J. Lee, Y. C. Cho, S.-Y. Jeong, C. R. Cho, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4187 (2002).
5. M. Hashimoto, Y.-K. Zhou, M. Kanamura, and H. Asahi, Solid State Commun. 122, 37 (2002).
6. M. C. Park, K. S. Kuh, J. M. Myoung, J. M. Lee, J. Y. Chang, K. I. Lee, S. H. Han, and W. Y. Lee, Solid State Commun. 124, 11 (2002).
7. K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, D. Djayaprawira, M. Takahashi, C. S. Kim, C. G. Kim, and S. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 82, 1775 (2003).
8. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).
9. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, D. P. Norton, A. F. Hebard, Y. D. Park, L. A. Boatner, and J. D. Budai, Mater, Sci. Eng., R. 40, 137 (2003).
10. D. Kumar, J. Antifakos, M. G. Blamire, and Z. H. Barber, Appl. Phys. Lett. 84, 5004 (2004).
11. S. G. Yang, A. B. Pakhomov, S. T. Hung, and C. Y. Wong, Appl. Phys. Lett. 81, 2418 (2002).
12. S. Yu, H. X. Liu, L. Gu, R. K. Singh, L. Budd, M. van Schilfgaaarde, M. R. McCartney, D. J. Smith, and N. Newman, Appl. Phys. Lett. 82, 3047 (2003).
13. R. M. Frazier, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 1758 (2003).
14. G. Thaler, R. Frazier, B. Gila, J. Stapleton, M. Davidson, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and C. Segre, Appl. Phys. Lett. 84, 2578 (2004).
15. I. Buyanova, M. Izadifard, W. Chen, J. Kim, F. Ren, G. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C. Pan, G. Chen, J. Chyi, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 84, 2599 (2004).
16. A. Polyakov, N. Smirnov, A. Govorkov, R. Frazier, G. Thaler, C. Abernathy, S. J. Pearton, C. Pan, G. Chen, and J. I. Chyi, J. Electron. Mater. 31, 384 (2004).
17. G. Thaler, R. Frazier, B. Gila, J. Stapleton, M. Davidson, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 84, 1314 (2004).
18. R. Frazier, G. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, M. Nakamui, K. B. Nam, J. Lin, H. X. Jiang, J. Kelly, R. Rairigh, A. F. Hebard, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 94, 4956 (2003).
19. R. Frazier, G. Thaler, J. Stapleton, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Rairigh, J. Kelly, A. Hebard, M. Nakaugi, K. Nam, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. M. Zavada, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 94, 1592 (2003).
20. M. Hashimoto, Y.-K. Zhou, M. Kanamura, and H. Asahi, Solid State Commun. 122, 37 (2002).
21. M. Hashimoto, Y.-K. Zhou, M. Kanamura, H. Katayama-Yoshida, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 251, 327 (2003).
22. M. Hashimoto, H. Tanaka, R. Asano, S. Hasegawa, and H. Asahi, Appl. Phys. Lett. 84, 4191 (2004).
23. G. Thaler, R. Frazier, B. Gila, J. Stapleton, M. Davidson, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and C. Segre, Appl. Phys. Lett. 84, 2578 (2004).
24. M. Van Schilfgaarde and O. N. Mryasov, Phys. Rev. B 63, 233205 (2001).
25. P. Bobadova-Parvanova, K. A. Jackson, S. Srinivas, and M. Horoi, Phys. Rev. A 67, 061202 (2003).
26. R. J. Van Zee and W. Weltner, Jr., J. Chem. Phys. 89, 4444 (1988).
27. B. K. Rao and P. Jena, Phys. Rev. Lett. 89, 185504 (2002).
28. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, D. W. Greve, M. Skowronski, M. Shin, and J. M. Redwing, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 37 (1998).
29. S. Krishnamurhty, M. van Schilfgaarde, and N. Newman, Appl. Phys. Lett. 83, 1761 (2003).
30. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys. 84, 870 (1998).
31. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. S. Usikov, A. V. Govorkov, and B. V. Pushniy, Solid-State Electron. 42, 1959 (1998).
32. A. Y. Polyakov, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, N. Y. Pashkova, G. T. Thaler, M. E. Overberg, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, Jihyun Kim, and F. Ren, J. Appl. Phys. 92, 4989 (2002).
33. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, N. Y. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M. E. Overberg, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 92, 3130 (2002).