Characteristics of 1/f noise in Au/GaAs schottky diode embedded with self-assembled InAs quantum dots

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue SUPPL., 2004, Pages

  Song, J D ^a   Choi, W J ^a   Han, I K ^a   Lee, J I ^a   Kim, J H ^b   Song, J I ^b   Chovet, Alain ^c  

^a Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

^b Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^c Grenoble INP Phelma   (France)

Author keywords

GaAs; InAs; Interface states; Low frequency noise; Quantum dots; Random walk of electrons

Indexed keywords

EID: 12744265211     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. O. Shchekin and D. Deppe, Appl. Phys. Lett., 80, 3277 (2002).
2. L. S. Dang, G. Fishman, H. Mariette, C. Adelmann, E. Martinez, J. Simon, B. Daudain, E. Monroy, N. Pelekanos, J. L. Rouviere and Y. H. Cho, J. Korean Phys. Soc. 42, 657 (2003).
3. S. J. Lee, S. K. Noh, J. W. Choe, U. H. Lee, S. Hong and J. I. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 1218 (2004).
4. S. J. Lee, S. H. Lee, J. I. Lee, S. K. Noh, S. K. Kang, J. W Choe, Y. H. Kang, U. H. Lee and S. C. Hong, J. Korean Phys. Soc. 42, 825 (2003).
5. D. C. Heo, I. Han, J. D. Song, W. J. Choi, J. I. Lee, J. Y. Lee and J. C. Jeong, J. Korean Phys. Soc. 43, 154 (2003).
6. E. Finkman, S. Maimon, V. Immer, G. Bahir, S. E. Schacham, O. Gauthier-Lafaye, S. Herriot, F. H. Julien, M. Gendry and J. Brault, Physica E, 7, 139 (2000).
7. J. J. Finley, M. Skalitz, M. Arzberger, A. Zrenner, G. Bohm and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 73, 2618 (1998).
8. Y. M. Park, Y. J. Park, K. M. Kim, J. C. Shin, J. D. Song, J. I. Lee and K.-H. Yoo, J. Appl. Phys. 95, 123 (2004).
9. K. Mukai, N. Ohtsuka and M. Sugawara, Appl. Phys. Lett. 70, 2416 (1997).
10. S. K. Park, Y. J. Park, E. K. Kim, C. J. Park, H. Y. Cho, Y. S. Lim, J. Y. Lee and C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4378 (2002).
11. M. Grundmann, O. Stier and D. Bimberg, Phys. Rev. B 52, 11969 (1995).
12. J.-Y. Marzin and G. Bastard, Solid St. Commun. 92, 437 (1994).
13. A. J. Chiquito, Yu. A. Pusep, S. Mergulhao, J. C. Galzerani and N. T. Moshegov, Phys. Rev. B 61, pp. 5499, 2000.
14. H. L. Wang, D. Ning, H. J. Zhu, F. Chen, H. Wang, X. D. Wang and S. L. Feng, J. Crystal Growth 208, 107 (2000).
15. H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 73, 2252 (1994).
16. N. A. Hastas, C. A. Dimitriadis, L. Dozsa, E. Gombia, S. Amighetti and P. Frigeri, J. Appl. Phys. 93, 3990 (2003).
17. N. A. Hastas, C. A. Dimitriadis, L. Dozsa and R. Mosca, J. Appl. Phys. 93, 5833 (2003).
18. N. A. Hastas, D. H, Tassis, C. A. Dimitriadis, L. Dozsa, S. Franchi and P. Frigeri, Semiconduc. Sci. Technol. 19, 461 (2004).
19. V. G. Boxhkov and D. Ju Kuzyakov, J. Appl. Phys. 92, 4502 (2002).
20. R. Singh and D, Kanjilal, J. Appl. Phys. 91, 411 (2002).
21. A. Ferhat-Hamida, Z. Ouennoughi, A. Hoffmann and R. Weiss, Solid-St. Electron. 46, 615 (2002).
22. J. I. Lee, J. Brini and C. A. Dimitriadis, Electron. Lett. 34, 1268 (1998).
23. J. I. Lee, J. Brini, A. Chovet and C.A. Dimitriadis, Solid-St. Electron. 43, 2181 (1999).
24. J. I. Lee, J. Brini, A. Chovet and C. A. Dimitriadis, Solid-St. Electron. 43, 2185 (1999).
25. J. I. Lee, I. K. Han, D. C. Heo, J. Brini, A. Chovet, C. A. Dimitriadis and J. C. Jeong, J. Korean Phys. Soc., 37, 966 (2000).
26. M.-Y. Luo, G. Bosman, A. van der Ziel and L. L. Hench, IEEE Trans. Electron Dev. 35, 1351 (1988).
27. S. T. Hsu, IEEE Trans. Electron Dev. ED-17, 496 (1970).
28. S. T. Hsu, IEEE Trans. Electron Dev. ED-18, 882 (1971).
29. A. van der Ziel, Proc. IEEE 76, 233 (1988).
30. S. Papatzika, N. A. Hastas, C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, G. Kamarinos and J.I. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 1468 (2002).