Comparative study of the optical characteristics in InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors doped in different positions

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 42, Issue 6, 2003, Pages 825-829

  Lee, S J ^a   Lee, S H ^a   Lee, J I ^a   Noh, S K ^a   Kang, S K ^b   Choe, J W ^b   Kang, Y H ^c   Lee, U H ^c   Hong, S C ^c  

^a Korea Research Institute of Standards and Science   (South Korea)

^b Kyung Hee University   (South Korea)

^c Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

Indium arsenide; Photoabsorption; Photoluminescence; Self assembled quatnum dot

Indexed keywords

EID: 0037830479     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (20)

1. G. Walter, T. Chung and N. Holonyak, Jr., Appl. Phys. Lett. 80, 1126 (2002).
2. A. D. Stiff-Roberts, S. Chakrabarti, S. Pradhan, B. Kochman and Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 80. 3265 (2002).
3. S. K. Kang, S. J. Lee, J. I. Lee, M. D. Kim, S. K. Noh, Y. H. Kang, U. H. Lee, S. C. Hong, H. S. Kim and C. G. Park, J. Korean Phys. Soc. 42, 418 (2003).
4. A.D. Stiff-Roberts, S. Krishna, P. Bhattacharya and S. Kennerly, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1385 (2002).
5. Elias Towe and Dong Pan, IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 6, 408 (2000).
6. G. Park, O. B. Shchenkin, S. Csutak, D. L. Huffaker and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 75, 3267 (1999).
7. Z. Chen, E.-T. Kim and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 80, 2490 (2002).
8. S.-F. Tang, S.-Y. Lin and S.-C. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2428 (2001).
9. S.-W. Lee, K. Hirakawa and Y. Shimada, Appl. Phys. Lett. 75. 1428 (1999).
10. N. Horiguchi, T. Futatsugi, Y. Nakata, N. Yokoyama, T. Mankad and P. M. Petroff, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2559 (1999).
11. M. H. Son, B. H. Choi, S. W. Hwang, D. Ahn, C. K. Hyon, E. K. Kim. Y. Kim and J. S. Lim, J. Korean Phys. Soc. 39, 433 (2001).
12. J. Phillips, J. Appl. Phys. 91, 4590 (2002).
13. V. Ryzhil, Semicond. Sci. Technol. 11, 759 (1996).
14. Q. D. Zhung, J. M. Li, H. X. Li, Y. P. Zeng, L. Pan, Y. H. Chen, M. Y. Kong and L. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 73, 3706 (1998).
15. M. D. Kim, S. K. Noh, S. C. Hong and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 553 (2003); Virtual J. Nanoscale Sci. Technol. 7(3) (2003).
16. M. D. Kim, S. K. Noh, S. C. Hong and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 553 (2003); Virtual J. Nanoscale Sci. Technol. 7(3) (2003).
17. J. S. Kim. P. W. Yu, J. Y. Leem, J. I. Lee, S. K. Noh, J. S. Kim, S. M. Kim, J. S. Son, U. H. Lee, J. S. Yim and D. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 3247 (2001).
18. M. -C. Cha and M. -H. Chung, J. Korean Phys. Soc. 41, 364 (2002).
19. S. Ghosh, B. Kochman, J. Singh and P. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 76, 2571 (2000).
20. J. Ibanez. R. Leon, D. T. Vu, S. Chaparro, S. R. Johnson, C. Navarro and Y. H. Zhang, Appl. Phys. Lett. 79, 2013 (2001).