NANO-scale phase changes in Ge-Sb-Te films with electrical scanning probe microscopes

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

Volumn 6, Issue 4, 2004, Pages 1133-1140

  Tanaka, K ^a   Gotoh, T ^a   Sugawara, K ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Atomic force microscope; Crystallization; Ge Sb Te; Nano scale phase change; Scanning tunneling microscope

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTALLINE MATERIALS; ELECTRODES; MICROSCOPES; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY;

CRYSTALLINE STATES; NANO-SCALE PHASE CHANGES; OPTICAL PHASE-CHANGE RECORDINGS;

GERMANIUM COMPOUNDS;

EID: 10944273596     PISSN: 14544164     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (36)

1. S. R. Ovshinsky, H. Fritzsche, IEEE Trans. ED-20, 91 (1973).
2. Panasonic homepage, http://matsushita.co.jp/corp/news/official.data/data. dir/en040630-5/en0406305.html.
3. S. Hosaka, T. Shintani, M. Miyamoto, A. Kikukawa, A. Hirotsune, M. Terao, M. Yoshida, K. Fujita, S. Kämmer, J. Appl. Phys. 79, 8082 (1996).
4. J. Tominaga, T. Nakano, and N. Atoda, Appl. Phys. Lett. 73, 2078 (1998).
5. K. Kishima, I. Ichimura, K. Saito, K. Yamamoto, Y. Kuroda, A. Iida, S. Masuhara, K. Osato, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1894 (2002).
6. K. Furihara, K. Nanri, K. Toto, Appl. Phys. Lett. 84, 3415 (2004).
7. A. Madam, M. P. Shaw, The Physics and Applications of Amorphous Semiconductors (Academic Press, Boston, 1988) Chap. 5.
8. S. R. Ovshinsky, Romanian Rept. Phys. 51, 171 (1999).
9. H. Tanaka, T. Nishihara, T. Ohtsuka, K. Morimoto, N. Yamada, K. Morita, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1443 (2002).
10. J. D. Maimon, K. K. Hunt, L. Burcin, J. Rogers, IEEE Trans. Nuclear Sci. 50, 1878 (2003).
11. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 404 (2003).
12. D. H. Kang, D. H. Ahn, K. B. Kim, J. F. Webb, K. W. Yi, J. Appl. Phys. 94, 3536 (2003).
13. H. Kado, T. Tohda, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 523 (1997).
14. D. Saluel, J. Daval, B. Béchevet, C. Germain, B. Valon: J. Magn. Magn. Mater. 193, 488 (1999).
15. R. Wiesendanger, J. Vac, Sci. Technol. B12, 515 (1994).
16. T. Gotoh, K. Sugawara, K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L818 (2004).
17. K. Sugawara, T. Gotoh, K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L676 (2004).
18. Note that the average coordination number of this material is 2.67, provided that the 8-N rule applies to Ge, Sb, and Te.
19. T. Gotoh, K. Sugawara, K. Tanaka, J. Non-Cryst. Solids 299-302, 968 (2002).
20. V. Weidenhof, I. Friedrich, S. Ziegler, M. Wurtig, J. Appl. Phys. 89, 3168 (2001).
21. N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira, M. Takao, J. Appl. Phys. 69, 2849 (1991).
22. K. Tanaka, J. Non-Cryst. Solids 150, 44 (1992).
23. Z. Fan, D.E. Laughlin, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 800 (2003).
24. K. Tanaka, J. Non-Cryst. Solids 326, 21 (2003).
25. E. Vateva, D. Nesheva, J. Non-Cryst. Solids 191, 205 (1995).
26. M. C. Cheynet, T. Epicier, Philos. Mag. 84, 1753 (2004).
27. K. Tatsumura, T. Watanabe, D. Yamasaki, T. Shimura, M. Umeno, I. Ohdomari, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 492 (2004).
28. Y. Utsugi, Nature 347, 747 (1990).
29. A. Sato, Y. Tsukamoto, Nature 363, 431 (1993).
30. B. J. Kooi, W. M. G. Groot, J. Th. M. De Hosson, J. Appl. Phys. 95, 924 (2004).
31. U. Gratzke, G. Simon, Phys. Rev. B52, 8535 (1995).
32. K. Sugawara, T. Gotoh, K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 79, 1549 (2001).
33. M. Ohto, K. Tanaka, J. Appl. Phys. 92, 5468 (2002).
34. K. Sugawara, T. Gotoh, K. Tanaka, J. Non-Cryst. Solids 326-327, 37 (2003).
35. T. Ohta, J. Optoelectron. Adv. Mater. 3, 609 (2001).
36. J. Siegel, A. Schropp, J. Solis, C.N. Afonso, M. Wuttig, Appl. Phys. Lett. 84, 2250 (2004).