Strain-engineered novel III-N electronic devices with high quality dielectric/semiconductor interfaces

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 200, Issue 1, 2003, Pages 155-160

  Asif Khan, M ^a   Shur, M S ^b   Simin, G ^a  

^a University of South Carolina   (United States)

^b Center for Broadband Data Transport   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; CARRIER CONCENTRATION; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRON DEVICES; ELECTRONIC DENSITY OF STATES; ENERGY GAP; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; LEAKAGE CURRENTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; STRAIN RATE; TRANSCONDUCTANCE;

BANDGAP; DISLOCATION DENSITIES; GATE-SOURCE CAPACITANCE; HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS;

INTERFACES (MATERIALS);

EID: 0348146362     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200303339     Document Type: Article

References (25)

1. M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).
2. M. Asif Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
3. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
4. M. Asif Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur, and A. Bykhovski, Appl. Phys. Lett. 75, 2806 (1999).
5. J. Zhang, E. Kuokstis, Q. Fareed, H. Wang, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. Shur, Appl. Phys. Lett. 79, 925 (2001).
6. J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 80, 3542 (2002).
7. M. Asif Khan, X. Hu, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
8. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
9. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, A. G. Bhattari, and D. P. Olson, Mater. Res. Soc. Proc. 281, 769 (1993).
10. M. Asif Khan, Michael S. Shur, Q.C. Chen, and J. N. Kuznia, Electron. Lett. 30, 2175 (1994).
11. S. C. Binari, L. B. Rowland, G. Kelner, W. Kruppa, H. B. Dietrich, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, DC, Microwave, and High-Temperature Characteristics of GaN FET Structures, in: Int. Symp. Compound Semiconductors, edited by H. Goronkin (IOP Publishing, Bristol, 1995), p. 459.
12. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
13. M. Asif Khan, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
14. M. Asif Khan, X. Hu, G. Simin, and J. Yang, R. Gaska, and M.S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
15. M. Asif Khan, J. W. Yang, G. Simin, R. Gaska, M. S. Shur, Hans-Conrad zur Loye, G. Tamulaitis, A. Zukauskas, David J. Smith, D. Chandrasekhar, and R. Bicknell-Tassius, Appl. Phys. Lett. 76, 1161 (2000).
16. G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, M. A. Khan, M. Shur, and R. Gaska, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1142 (2002).
17. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002).
18. M. Asif Khan, G. Simin, J. Yang, J. Zhang, A. Koudymov, M. S. Shur, R. Gaska, X. Hu, and A. Tarakji, IEEE MTT 51, 624 (2003).
19. F. W. Clarke, Fat Duen Ho, M. Asif Khan, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, M. S. Shur, J. Deng, and S. Karmalkar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 743, L9.10.1-L9-10.6 (2003).
20. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Proc. ICNS-4, Denver, July 16-20, 2001
21. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, phys. stat. sol. (a) 188, No. 1, 219 (2001).
22. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska. Si3N4/AlGaN/GaN-Metal-Insulator-Semiconductor Heterostructures Field Effect Transistors, Appl. Phys. Lett. 79, p. 2832-2834 (2001).
23. V. Adivarahan, M. Gaevski, W. H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Submicron Gate Si3N4/AlGaN/GaN-Metal-Insulator-Semiconductor Heterostructure Field-Effect Transistors, IEEE EDL 24, 541 (2003).
24. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
25. A. Koudymov, G. Simin, A. Khan, A. Tarakji, M. Shur, and R. Gaska, to be published in IEEE EDL (2003).