High temperature surface degradation of III-V nitrides

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 6, 1996, Pages 3523-3531

  Vartuli, C B ^a   Pearton, S J ^a   Abernathy, C R ^a   MacKenzie, J D ^a   Lambers, E S ^a   Zolper, J C ^b  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 5344279152     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588792     Document Type: Article

References (35)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1708 (1991).
2. S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Keiner, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 1248 (1994).
3. M. A. Khan, M. S. Shur, and Q. Chen, Electron. Lett. 31, 2130 (1995).
4. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1248 (1993).
5. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993).
6. I. Akasaki, H. Amano, M. Kito, and K. Kiramatsu, J. Lumin. 48/49, 666 (1991).
7. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995).
8. J. C. Zolper, A. G. Baca, R. J. Shul, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 166 (1996).
9. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
10. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, and J. C. Zolper, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2293 (1995).
11. J. C. Zolper, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and C. B. Vartuli, Appl. Phys. Lett. 66, 3043 (1995).
12. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoe, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
13. F. Ren, C. R. Abernathy, S. N. G. Chu, J. R. Lothian, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1503 (1995).
14. L. L. Smith and R. F. Davis, in Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar (INSPEC, Stevenage, UK, 1994).
15. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
16. S. Porowski and I. Grzegory, in Ref. 14.
17. G. A. Slack and T. F. McNelly, J. Cryst. Growth 34, 263 (1976).
18. J. Pastrnak and L. Roskovcova, Phys. Status Solidi 7, 331 (1964).
19. J. A. Van Vechten, Phys. Rev. B 7, 1479 (1973).
20. J. Karpinski, J. Jun, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 66, 1 (1984).
21. R. Madar, G. Jacob, J. Hallais, and R. Fruchart, J. Cryst. Growth 31, 197 (1975).
22. C. D. Thurmond and R. A. Logan, J. Electrochem. Soc. 119, 622 (1972).
23. J. B. MacChesney, P. M. Bridenbaugh, and P. B. O'Connor, Mater. Res. Bull. 5, 783 (1970).
24. R. D. Jones and K. Rose, J. Phys. Chem. Solids 48, 587 (1987).
25. A. M. Vorobev, G. V. Evseeva, and L. V. Zenkevich, Russ. J. Phys. Chem. 47, 1616 (1973).
26. T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki, and A. Katsui, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 141 (1990).
27. J. C. Zolper, M. Hagerott-Crawford, A. J. Howard, J. Rainer, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 68, 200 (1996).
28. M. E. Lin, B. N. Sverdlov, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 63, 3625 (1993).
29. C. R. Abernathy, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 869 (1993).
30. C. R. Abernathy, Mater. Sci. Eng. Rep. 14, 203 (1995).
31. S. J. Pearton and R. Caruso, J. Appl. Phys. 66, 663 (1989).
32. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
33. R. Groh, G. Gerey, L. Bartha, and J. I. Pankove, Phys. Status Solidi A 26, 363 (1974).
34. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, A. Howard, and J. S. Williams, Electrochem. Soc. Proc. 95-21, 1 (1995).
35. R. J. Mileham, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, and S. P. Kilkoyne, Appl. Phys. Lett. 67, 1119 (1995).