High-temperature processing of GaN: The influence of the annealing ambient on strain in GaN

Applied Physics Letters

Volumn 75, Issue 14, 1999, Pages 2097-2099

  Hayes, J M ^a   Kuball, M ^a   Bell, A ^b   Harrison, I ^b   Korakakis, D ^b   Foxon, C T ^b  

^a UNIVERSITY OF BRISTOL   (United Kingdom)

^b UNIVERSITY OF NOTTINGHAM   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000927956     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124928     Document Type: Article

References (14)

1. Y.-K. Song, M. Kuball, A. V. Nurmikko, G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Shappard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, and J. Edmonds, Appl. Phys. Lett. 72, 1418 (1998); S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, ibid. 72, 211 (1998).
2. Y.-K. Song, M. Kuball, A. V. Nurmikko, G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Shappard, T. W. Weeks, M. Leonard, H. S. Kong, H. Dieringer, and J. Edmonds, Appl. Phys. Lett. 72, 1418 (1998); S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, ibid. 72, 211 (1998).
3. S. Yoshida and J. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L482 (1998).
4. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).
5. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, J. C. Zolper, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 72, 1190 (1998).
6. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, O. Briot, B. Gil, and R.-L. Aulombard, Solid State Commun. 100, 207 (1996).
7. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, J. Massies, N. Grandjean, R. L. Aulombard, and O. Briot. Appl. Phys. Lett. 73, 960 (1998); M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, N. Grandjean, and O. Briot, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. G6.28, 4S1 (1999).
8. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, J. Massies, N. Grandjean, R. L. Aulombard, and O. Briot. Appl. Phys. Lett. 73, 960 (1998); M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, N. Grandjean, and O. Briot, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. G6.28, 4S1 (1999).
9. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, H. Sands, D. N. Batchelder, S. Clur, and O. Briot. Appl. Phys. Lett. 74, 549 (1999).
10. M. Kuball, J. M. Hayes, A. Bell, I. Harrison, D. Korakakis, and C. T. Foxon, Physica Status Solidi B (to be published).
11. E. Oh, B. Kim H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 73, 1883 (1998).
12. B. C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
13. S. Fischer, G. Steude, D. M. Hofmann, F. Kurth, F. Anders, M. Topf, B. K. Meyer, F. Bertram, M. Schmidt, J. Christen, L. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, M. Mensching, and R. Rauschenbach, J. Cryst. Growth 189/ 190, 556 (1998).
14. T. Harwig, F. Kellendonk, and S. Slappendel, J. Phys. Chem. Solids 39, 675 (1978).