Effects of KrF excimer laser irradiation on metal contacts to n-type and p-type GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 5, 2003, Pages 3529-3535

  Jang, Ho Won ^a   Sands, T ^b   Lee, Jong Lam ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; EXCIMER LASERS; KRYPTON; LASER BEAM EFFECTS; OHMIC CONTACTS; PHOTOEMISSION; PHOTONS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; SYNCHROTRON RADIATION;

METAL CONTACTS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0141745740     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1594814     Document Type: Article

References (28)

1. W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 72, 599 (1998).
2. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. Mei, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 75, 1360 (1999).
3. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bpur, P. Mei, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 77, 2822 (2000).
4. M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. M. Phanse, L. Görgens, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L217 (1999).
5. W.-C. Lai, M. Yokoyama, S.-J. Chang, J.-D. Guo, C. Sheu, T. Chen, W.-C. Tsai, J.-S. Tsang, S.-H. Chan, and S. M. Sze, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L1138 (2000).
6. Y.-C. Chen, C.-C. Liao, S.-W. Feng, C.-C. Yang, Y.-S. Lin, K.-J. Ma, C.-C. Chou, C.-M. Lee, and J.-I. Chyi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2143 (2001).
7. D.-J. Kim, H.-M. Kim, M.-G. Han, Y.-T. Moon, S. Lee, and S.-J. Park, Phys. Status Solidi B 228, 375 (2001).
8. M. K. Kelly, O. Ambacher, B. Dalheimer, G. Groos, R. Dimitrov, H. Angerer, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 69, 1749 (1996).
9. T. Akane, K. Sugioka, K. Hammura, Y. Aoyagi, K. Midorikawa K. Obata, K. Toyoda, and S. Nomura, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1388 (2001).
10. F.-H. Yang, C.-J. Hsiao, Y.-J. Yang, J.-H. Lin, and L. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L468 (2002).
11. E. A. Stach, M. Kelsch, E. C. Nelson, W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 77, 1819 (2000).
12. W. S. Wong, Y. Cho, E. R. Weber, T. Sands, K. M. Yu, J. Krüger, A. B. Wengrow, and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 75, 1887 (1999).
13. M. H. Zaldívar, P. Fernández, J. Piqueras, and J. Solís, J. Appl. Phys. 85, 1120 (1999).
14. L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Ramer, L. Zhang, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Appl. Phys. Lett. 69, 2737 (1996).
15. Y.-J. Lin and C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
16. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2015 (2001).
17. L. S. Yu, D. Qiao, L. Jia, S. S. Lau, Y. Qi, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 79, 4536 (2001).
18. S. D. Wolter, B. P. Luther, D. L. Waltemyer, C. Önneby, S. E. Mohney, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 2156 (1997).
19. J. K. Kim, B. S. Kim, K. J. Kim, J. N. Kim, Y. J. Park, J. W. Lee, T. Kim, and J.-L. Lee, J. Electron. Mater. 30, 129 (2001).
20. J. K. Kim, H. W. Jang, and J.-L. Lee, J. Appl. Phys. 91, 9214 (2002).
21. D. J. O'Connor, B. A. Sexton, and R. St. C. Smart, Surface Analysis Methods in Materials Science (Springer-Verlag, Berlin, 1992).
22. H. W. Jang, C. M. Jeon, J. K. Kim, and J.-L. Lee, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 8 (2001).
23. P. Boguslaski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
24. Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, J. Electron. Mater. 28, 341 (1999).
25. B. A. Hull, S. E. Mohney, H. S. Venugopalan, and J. C. Ramer, Appl. Phys. Lett. 76, 2271 (2000).
26. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, S. J. Pearton, F. Ren, B. Theys, F. Jomard, Z. Teukam, V. A. Dmitriev, A. E. Nikolaev, A. S. Usikov, and I. P. Nikitina, Appl. Phys. Lett. 79, 1834 (2001).
27. H. W. Jang, K. H. Kim, J. K. Kim, S.-W. Hwang, J. J. Yang, K. J. Lee, S.-J. Son, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 1822 (2001).
28. H. W. Jang, W. Urbanek, M. C. Yoo, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 2937 (2002).