Blue emission band in compensated GaN:Mg codoped with Si

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 68, Issue 4, 2003, Pages

  Han, B ^a   Gregie, M ^a   Wessels, W ^a  

^a Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM; MAGNESIUM DERIVATIVE; SILICON;

ARTICLE; BLUE LIGHT; CONCENTRATION (PARAMETERS); LIGHT; LUMINESCENCE; METAL BINDING; MODEL;

EID: 0043263135     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.68.045205     Document Type: Article

References (36)

1. G. Mandel, Phys. Rev. 134, A1073 (1964).
2. J. A. Van Vechten, Handbook on Semiconductors, edited by S. P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3, Chap. 1.
3. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L2112 (1989).
4. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1998).
5. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L139 (1992).
6. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Physica B 273-274, 976 (1999).
7. U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Köhler, and M. Maier, Phys. Rev. B 62, 10867 (2000).
8. R. K. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G 6.39.1 (2001).
9. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 1258 (1992).
10. J. A. Van Vechten, J. D. Zook, R. D. Horning, and B. Goldenberg, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 3662 (1992).
11. F. Shahedipour and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 76, 3011 (2000).
12. T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L180 (1997).
13. O. Brandt, H. Yang, H. Kostial, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 69, 2707 (1996).
14. S. Nakamura, Japanese patents No. H 10-144960 (1998) and H 10-154829 (1998).
15. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 78, 222 (2001).
16. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, Y. Kudryavtsev, R. Asomoza, S. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 80, 2910 (2002).
17. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and Yanfa Yan, Physica B 302-303, 135 (2001).
18. E. Oh, H. Park, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 72, 70 (1998).
19. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, B. N. Sverdlov, A. Botchkarev, H. Morkoc, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 68, 1883 (1996).
20. J. M. Myoung, K. H. Shim, C. Kim, O. Gluschenkov, K. Kim, S. Kim, D. A. Turnbull, and S. G. Bishop, Appl. Phys. Lett. 69, 2722 (1996).
21. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
22. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59, 5561 (1999).
23. Y. H. Kwon, S. K. Shee, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 76, 840 (2000).
24. M. A. Reshchikov, G.-C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).
25. L. Eckey, U. Von Gfug, J. Holst, A. Hoffmann, A. Kaschner, H. Siegle, C. Thomsen, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schön, and R. Beccard, J. Appl. Phys. 84, 5828 (1998).
26. M. Lachab, D.-H. Youn, R. S. Qhalid Fareed, T. Wang, and S. Sakai, Solid-State Electron. 44, 1669 (2000).
27. P. Vennéguès, M. Benaissa, S. Dalmasso, M. Leroux, E. Feltin, P. De Mierry, B. Beaumont, B. Damilano, N. Grandjean, and P. Gibart, Mater. Sci. Eng., B 93, 224 (2002).
28. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, B. J. Pong, C. Y. Chen, C. N. Huang, and W. C. Chen, J. Appl. Phys. 84, 4590 (1998).
29. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, and P. Gibart, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999).
30. K. S. Kim, G. M. Yang, and H. J. Lee, Solid-State Electron. 43, 1807 (1999).
31. K. S. Kim, M. S. Han, G. M. Yang, C. J. Youn, H. J. Lee, H. K. Cho, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 1123 (2000).
32. M. Ilegems and R. Dingle, J. Appl. Phys. 44, 4234 (1973).
33. C. G. Van de Walle, Mater. Sci. Forum 338-342, 1561 (2000).
34. J. S. Blakemore, Semiconductor Statistics (Dover, New York, 1987).
35. J. S. Colton and P. Y. Yu, Appl. Phys. Lett. 78, 2500 (2001).
36. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Berlin, 1984).