Highly volatile, low-melting, fluorine-free precursors for MOCVD of lanthanide oxide-containing thin films

Chemical Vapor Deposition

Volumn 5, Issue 2, 1999, Pages 65-69

  Belot, John A ^a   Wang, Anchuan ^a   McNeely, Richard J ^a   Liable Sands, Louise ^b   Rheingold, Arnold L ^b   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b UNIVERSITY OF DELAWARE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0039772494     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(sici)1521-3862(199903)5:2<65::aid-cvde65>3.3.co;2-2     Document Type: Article

References (43)

1. a) R. E. Jones, Solid State Technol. 1997, 40, 201.
2. b) D. E. Kotecki, Semicond. Int. 1996, 19, 109.
3. T. Kodas, M. Hampden-Smith, The Chemistry of Metal CVD, VCH, Weinheim 1994.
4. a) T. J. Leedham, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, 415, 79.
5. b) W. A. Herrmann, N. W. Hubert, O. Runte, Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995, 34, 2187.
6. c) T. J. Marks, Pure Appl. Chem. 1995, 67, 313.
7. d) D. L. Schulz, T. J. Marks, Adv. Mater. 1994, 6, 719.
8. a) J. A. Belot, D. A. Neumayer, C. J. Reedy, D. B. Studebaker, B. J. Hinds. C. L. Stern, T. J. Marks, Chem. Mater. 1997, 9, 1638.
9. b) D. A. Neumayer, D. B. Studebaker, B. J. Hinds, C. L. Stern, T. J. Marks, Chem. Mater. 1994, 6, 878.
10. c) D. L. Schulz, B. J. Hinds, D. A. Neumayer, C. L. Stern, T. J. Marks, Chem. Mater. 1993, 5, 1605.
11. a) J. L. MacManus-Driscoll, Adv. Mater. 1997, 9, 457.
12. b) D. P. Norton, A. Goyal, J. D. Budai, D. K. Christen, D. M. Kroeger, E. D. Specht, Q. He, B. Saffian, M. Paranthaman, C. E. Klabunde, D. F. Lee, B. C. Sales, F. A. List, Science 1996, 274, 755.
13. c) X. D. Wu, S. R. Foltyn, P. N. Arendt, W. R. Blumenthal, I. H. Campbell, J. D. Cotton, J. Y. Coulter, W. L. Hults, M. P. Maley, H. F. Safar, J. L. Smith, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 2397.
14. a) M. Tiitta, L. Niinisto, Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 167.
15. b) X. Z. Wang, B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 518.
16. a) I. E. Graboy, N. V. Markov, V. V. Maleev, A. R. Kaul, S. N. Polyakov, V. L. Svetchnikov, H. W. Zandbergen, K. H. Dahmen, J. Alloys Compd. 1997, 251, 318.
17. b) B. W. Wessels, Annu. Rev. Mater. Sci. 1995, 25, 525.
18. S. Jin, T. H. Teifel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, L. H. Chen, Science 1994, 264, 413.
19. a) G. Malandrino, I. L. Fragala, S. Aime, W. Dastru, R. Gobetto, C. Benelli, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1998, 1509.
20. b) G. Malandrino, A. Frassica, I. L. Fragala, Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 306.
21. c) G. Malandrino, O. Incontro, F. Castelli, I. L. Fragala, C. Benelli, Chem. Mater. 1996, 8, 1292.
22. d) G. Malandrino, R. Licata, F. Castelli, I. L. Fragala, C. Benelli, Inorg. Chem. 1995, 34, 6233.
23. e) I. Baxter, S. R. Drake, M. B. Hursthouse, K. M. Abdul Malik, J. McAleese, D. J. Otway, J. C. Plakatouras, Inorg. Chem. 1995, 34, 1384.
24. a) M. Becht, F. Wang, J. G. Wen, T. Morishita, J. Cryst. Growth 1997, 170, 799.
25. b) M. Becht, T. Morishita, Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 191.
26. c) T. Inoue, Y. Yamamoto, M. Satoh, A. Ide, S. Katsumata, Thin Solid Films 1996, 281-282, 24.
27. d) Z. Lu, R. Hiskes, S. A. DiCarolis, A. Nel, R, K. Route, R. S. Feigelson, J. Cryst. Growth 1995, 156, 227.
28. e) S. Liang, C. S. Chern, Z. Q. Shi, P. Lu, Y. Lu, B. H. Kear, J. Cryst. Growth 1995, 151, 359.
29. f) M. Becht, T. Gerfin, K. H. Dahmen, Chem. Mater. 1993, 5, 137.
30. g) R. Hiskes, S. A. DiCarolis, R. D. Jacowitz, Z. Lu, R. S. Feigelson, R. K. Route, J. L. Young, J. Cryst. Growth 1993, 128, 781.
31. h) M. W. Denhoff, J. P. McCaffrey, J. Appl. Phys. 1991, 70, 3986.
32. i) X. D. Wu, R. C. Dye, R. E. Muenchausen, S. R. Foltyn, M. Maley, A. D. Rollet, A. R. Garcia, N. S. Nogar, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2165.
33. j) T. Gerfin, M. Becht, K. H. Dahmen, Ber. Bunsenges. Phys. Chem. 1991, 95, 1564.
34. a) J. McAleese, B. C. H. Steele, Corr. Sci. 1998, 40, 113.
35. b) J. McAleese, J. C. Plakatouras, B. C. H. Steele, Thin Solid Films 1996, 280, 152.
36. c) D. Chadwick, J. McAleese, K. Senkiw, B. C. H. Steele, Appl. Surf. Sci. 1996, 99, 417.
37. 3) complexes are well known, see: D. C. Bradley, J. S. Ghorta, F. A. Hart, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1973, 1021.
38. The use of amide synthons in lanthanide chemistry is well established, see: R. Anwander, Top. Curr. Chem. 1996, 179, 148.
39. -1, R(F) = 5.28 % for 22 312 observed independent reflections (4° < 2θ < 57°). The data was collected on a Siemens P4 diffractometer equipped with a CCD detector. All pertinent information has been deposited in the Cambridge Crystallographic Database (CCDC #114935).
40. P. Blech, C. Floriani, A. Chiesi-Villa, C. Guastini, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1990, 3557.
41. a) B. J. Hinds, R. J. McNeely, D. B. Studebaker, T. J. Marks, T. P. Hogan, J. L. Schindler, C. R. Kannewurf, X. F. Zhang, D. J. Miller, J. Mater. Res. 1997, 12, 1214.
42. b) B. J. Rappoli, W. J. DeSisto, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 2726.
43. c) F. Schmader, R. Huber, H. Oetzmann, G. Wahl, Appl. Surf. Sci. 1990, 46, 53.