SiGe-free strained Si on insulator by wafer bonding and layer transfer

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 24, 2003, Pages 4256-4258

  Langdo, T A ^a   Currie, M T ^a   Lochtefeld, A ^a   Hammond, R ^a   Carlin, J A ^a   Erdtmann, M ^a   Braithwaite, G ^a   Yang, V K ^a   Vineis, C J ^a   Badawi, H ^a   Bulsara, M T ^a  

^a AmberWave Systems Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; BONDING; HEAT TREATMENT; MICROELECTRONICS; RAMAN SPECTROSCOPY; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SILICON WAFERS; THERMODYNAMIC STABILITY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

WAFER BONDING;

SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

EID: 0038450159     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1581371     Document Type: Article

References (18)

1. M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2268 (2001).
2. T. Mizuno, S. Takagi, N. Sugiyama, H. Satake, A. Kurobe, and A. Toriumi, IEEE Electron Device Lett. 21, 230 (2000).
3. Z.-Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, J. L. Hoyt, and D. A. Antoniadis, IEEE Electron Device Lett. 22, 321 (2001).
4. L. J. Huang, J. O. Chu, S. A. Goma, C. P. D'Emic, S. J. Koester, D. F. Canaperi, P. M. Mooney, S. A. Cordes, J. L. Speidell, R. M. Anderson, and H.-S.-P. Wong, IEEE Electron Device Lett. 49, 1566 (2002).
5. S. Fukatsu, Y. Ishikawa, T. Saito, and N. Shibata, Appl. Phys. Lett. 72, 3485 (1998).
6. G. Taraschi, Z.-Y. Cheng, M. T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, M. L. Lee, A. Pitera, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, and E. A. Fitzgerald, Proceedings of the Tenth International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices, 2001, p. 27.
7. L. J. Huang, J. O. Chu, D. F. Canaperi, C. P. D'Emic, R. M. Anderson, S. J. Koester, and H.-S.-P. Wong, Appl. Phys. Lett. 78, 1267 (2001).
8. Z. Cheng, G. Taraschi, M. T. Currie, C. W. Leitz, M. L. Lee, A. Pitera, T. A. Langdo, J. L. Hoyt, D. A. Antoniadis, and E. A. Filzgerald, J. Electron. Mater. 30, L37 (2001).
9. T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 79, 1798 (2001).
10. T. A. Langdo, M. T. Currie, A. Lochtefeld, R. Hammond, V. K. Yang, J. A. Carlin, C. J. Vineis, G. Braithwaite, H. Badawi, M. T. Bulsara, and E. A. Fitzgerald, IEEE International SOI Conference Proceedings, 2002, p. 211.
11. M. Bruel, Electron. Lett. 31, 1201 (1995).
12. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
13. W. S. Liu, E. W. Lee, M.-A. Nicolet, V. Arbet-Engels, K. L. Wang, N. M. Abuhadba, and C. R. Aita, J. Appl. Phys. 71, 4015 (1992).
14. G. Taraschi, A. J. Pitera, L. M. McGill, Z. Y. Cheng, M. L. Lee, T. A. Langdo, and E. A. Fitzgerald, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 745, N4.7.1 (2002).
15. J. C. Tsang, P. M. Mooney, F. Dacol, and J. O. Chu, J. Appl. Phys. 75, 8098 (1994).
16. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
17. S. B. Samavedam, W. J. Taylor, J. M. Grant, J. A. Smith, P. J. Tobin, A. Dip, A. M. Phillips, and R. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1424 (1999).
18. S. J. Koester, K. Rim, J. O. Chu, P. M. Mooney, J. A. Ott, and M. A. Hargrove, Appl. Phys. Lett. 79, 2148 (2001).