Diradical mechanisms for the cycloaddition reactions of 1,3-butadiene, benzene, thiophene, ethylene, and acetylene on a Si(111)-7×7 surface

Journal of the American Chemical Society

Volumn 125, Issue 26, 2003, Pages 7923-7929

  Lu, Xin ^a   Wang, Xinlan ^a   Yuan, Qinghong ^a   Zhang, Qianer ^a  

^a XIAMEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CYCLOADDITION REACTIONS;

CHEMISORPTION; SILICON; STEREOCHEMISTRY;

HYDROCARBONS;

1,3 BUTADIENE; ACETYLENE; ALKADIENE; ALKENE; AROMATIC COMPOUND; BENZENE; ETHYLENE; HETEROCYCLIC COMPOUND; HYDROCARBON; SILICON; THIOPHENE;

ADSORPTION; ARTICLE; CALCULATION; CHEMICAL ANALYSIS; CHEMICAL BOND; CHEMICAL REACTION KINETICS; CHEMICAL STRUCTURE; CONJUGATION; CYCLOADDITION; DIMERIZATION; HYPOTHESIS; ORGANIC CHEMISTRY; REACTION ANALYSIS; STEREOCHEMISTRY; STRUCTURE ANALYSIS; SURFACE PROPERTY; THERMODYNAMICS;

EID: 0038202187     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja035329+     Document Type: Article

References (100)

1. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
2. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
3. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
4. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
5. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
6. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
7. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
8. For recent reviews on chemical functionalization of the surfaces of group IV semiconductors, see: (a) Waltenburg, H. N.; Yates, J. T., Jr. Chem. Rev. 1995, 95, 1589. (b) Hamers, R. J.; Wang, Y. Chem. Rev. 1996, 96, 1261. (c) Wolkow, R. A. Annu. Rev. Phys. Chem. 1999, 50, 413. (d) Buriak, J. M. Chem. Commun. 1999, 1051. (e) Hamers, R. J.; Coulter, S. K.; Ellison, M. D.; Hovis, J. S.; Padowitz, D. F.; Schwartz, M. P.; Greenlief, C. S.; Russell, J. N., Jr. Acc. Chem. Res. 2000, 33, 617. (f) Lu, X.; Lin, M. C. Int. Rev. Phys. Chem. 2002, 21, 137. (g) Bent, S. F. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2830. (h) Bent, S. F. Surf. Sci. 2002, 500, 879.
9. (a) Takayanagi, K.; Tanishiro, Y.; Takahashi, M.; Takahashi, S. J. Vac. Sci. Technol., A 1985, 3, 1502.
10. (b) Hamers, R. J.; Tromp, R. M.; Demuth, J. E. Phys. Rev. Lett. 1986, 56, 1972.
11. (c) Wolkow, R.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 1988, 60, 1049.
12. Tromp, R. M.; Hamers, R. J.; Demuth, J. E. Phys. Rev. Lett. 1985, 55, 1303.
13. Appelbaum, J. A.; Baraff, G. A.; Hamann, D. R. Phys. Rev. B 1976, 14, 588.
14. For examples of recent experiments on the adsorption of 1,3-dienes on Si(100), see: (a) Hovis, J. S.; Liu, H. B.; Hamers R. J. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 6873. (b) Teplyakov, A. V.; Kong, M. J.; Bent, S. F. J. Chem. Phys. 1998, 108, 4599.
15. For examples of recent experiments on the adsorption of 1,3-dienes on Si(100), see: (a) Hovis, J. S.; Liu, H. B.; Hamers R. J. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 6873. (b) Teplyakov, A. V.; Kong, M. J.; Bent, S. F. J. Chem. Phys. 1998, 108, 4599.
16. (a) Konecny, R.; Doren, D. J. Surf. Sci. 1998, 417, 169.
17. (b) Choi, C. H.; Gordon, M. S. J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 11311.
18. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
19. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
20. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
21. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
22. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
23. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
24. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(100), see: (a) Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Phys. Rev. B 2001, 61, 085314. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Patitsas, S. N.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A.; Seideman, T. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 5327. (c) Staufer, M.; Birkenheuer, U.; Belling, T.; Nortemann, F.; Rösch, N.; Widdra, W.; Kostov, K. L.; Moritz, T.; Menzel, D. J. Chem. Phys. 2000, 112, 2498. (d) Self, K. W.; Pelzel, R. I.; Owen, J. H. G.; Yan, C.; Widdra, W.; Weinberg, W. H. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1031. (e) Lopinski, G. P.; Fortier, T. M.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1998, 16, 1037. (f) Borovsky, B.; Krueger, M.; Ganz, E. Phys. Rev. B 1998, 57, R4269. (g) Gokhale, S.; Trischberger, P.; Menzel, D.; Widdra, W.; Droge, H.; Steinruck, H. P.; Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rösch, N. J. Chem. Phys. 1998, 108, 5554.
25. (a) Silvestrelli, P. L.; Ancilotto, F.; Toigo, F. Phys. Rev. B 2000, 62, 1596.
26. (b) Alavi, S.; Rousseau, R.; Seideman, T. J. Chem. Phys. 2000, 113, 4412.
27. (c) Birkenheuer, U.; Gutdeutsch, U.; Rosch, N. Surf. Sci. 1998, 409, 213.
28. (d) Wolkow, R. A.; Lopinski, G. P.; Moffatt, D. J. Surf. Sci. 1998, 416, L1107.
29. (e) Jeong, H. D.; Ryu, S.; Lee, Y. S.; Kim, S. Surf Sci. 1995, 344, L1226.
30. For examples of recent experiments on the adsorption of thiophene on Si(100), see: (a) Rousseau, G. B. D.; Dhanak, V.; Kadodwala, M. Surf. Sci. 2001, 494, 251. (b) Qiao, M. H.; Cao, Y.; Tao, F.; Liu, Q.; Deng, J. F.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11211. (c) Jeong, H. D.; Lee, Y. S.; Kim, S. J. Chem. Phys. 1996, 105, 5200.
31. For examples of recent experiments on the adsorption of thiophene on Si(100), see: (a) Rousseau, G. B. D.; Dhanak, V.; Kadodwala, M. Surf. Sci. 2001, 494, 251. (b) Qiao, M. H.; Cao, Y.; Tao, F.; Liu, Q.; Deng, J. F.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11211. (c) Jeong, H. D.; Lee, Y. S.; Kim, S. J. Chem. Phys. 1996, 105, 5200.
32. For examples of recent experiments on the adsorption of thiophene on Si(100), see: (a) Rousseau, G. B. D.; Dhanak, V.; Kadodwala, M. Surf. Sci. 2001, 494, 251. (b) Qiao, M. H.; Cao, Y.; Tao, F.; Liu, Q.; Deng, J. F.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11211. (c) Jeong, H. D.; Lee, Y. S.; Kim, S. J. Chem. Phys. 1996, 105, 5200.
33. (a) Lu, X.; Xu. X.; Wang, N.; Zhang, Q.; Lin, M. C. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 10069.
34. (b) Lu, X.; Lin, M. C.; Xu, X.; Wang, N.; Zhang, Q. PhysChemComm 2001, 13.
35. Lu, X.; Xu, X.; Wang, N.; Zhang, Q. New J. Chem. 2002, 26, 160.
36. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
37. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
38. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
39. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
40. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
41. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
42. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
43. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
44. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
45. For examples of recent experiments on the adsorption of benzene on Si(111), see: (a) Tomimoto, H.; Takehara, T.; Fukawa, K.; Sumii, R.; Sekitani, T.; Tanaka, K. Surf. Sci. 2003, 526, 343. (b) Kawasaki, T.; Sakai, D.; Kishimoto, H.; Akbar, A. A.; Ogawa, T.; Oshima, C. Surf. Interface Anal. 2001, 31, 126. (c) Cao, Y.; Wei, X. M.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Bernasek, S. L.; Xu, G. Q. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 5698. (d) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Phys. Rev. B 2000, 61, 8531. (e) Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Zanoni, R.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L. Surf. Sci. 1998, 407, 275. (f) Taguchi, Y.; Ohta, Y.; Katsumi, T.; Ichikawa, K.; Aita, O. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1998, 88, 671. (g) Brown, D. E.; Moffatt, D. J.; Wolkow, R. A. Science 1998, 279. 542. (h) Wolkow, R. A.; Moffatt, D. J. Chem. Phys. 1995, 103, 10696. (i) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 80, 217. (j) Taguchi, Y.; Fujisawa, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1991, 78, 363.
46. (a) Cao, Y.; Yong, K. S.; Wang, Z. H.; Deng, J. F.; Lai, Y. H.; Xu, G. Q. J. Chem. Phys. 2001, 115, 3287.
47. (b) Cao, Y.; Yong, K. S.; Wang, Z. Q.; Chin, W. S.; Lai, Y. H.; Deng, J. F.; Xu, G. Q. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 1812.
48. (c) Letarte, S.; Adnot, A.; Roy, D. Surf. Sci. 2000, 448, 212.
49. (d) Macpherson, C. D.; Leung, K. T. Phys. Rev. B 1995, 51, 17995.
50. (e) Macpherson, C. D.; Hu, D. Q.; Leung, K. T. Surf. Sci. 1992, 276, 156.
51. (f) Hu, D. Q.; Macpherson, C. D.; Leung, K. T. Solid State Commun. 1991, 78, 1077.
52. (a) Wang, Z. H.; Cao, Y.; Xu, G. Q. Chem. Phys. Lett. 2001, 338, 7.
53. (b) Li, Y. C.; Wang, W. N.; Cao, Y.; Fan, K. N. Acta Chim. Sin. 2002, 60, 653.
54. For experiments on the adsorption of ethylene on Si(111), see: (a) Rochet, F.; Jolly, F.; Bournel, F.; Dufour, G.; Sirotti, F.; Cantin, J. L. Phys. Rev. B 1998, 58, 11029. (b) Kusunoki, I.; Takagaki, T.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. Surf. Sci. 1997, 380, 131. (c) Carbone, M.; Zanoni, R.; Piancastelli, M. N.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L.; Mayner, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1995, 76, 271. (d) Piancastelli, M. N.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Balzarotti, A.; Decrescenzi, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 17892. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Solid State Commun. 1986, 60, 861.
55. For experiments on the adsorption of ethylene on Si(111), see: (a) Rochet, F.; Jolly, F.; Bournel, F.; Dufour, G.; Sirotti, F.; Cantin, J. L. Phys. Rev. B 1998, 58, 11029. (b) Kusunoki, I.; Takagaki, T.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. Surf. Sci. 1997, 380, 131. (c) Carbone, M.; Zanoni, R.; Piancastelli, M. N.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L.; Mayner, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1995, 76, 271. (d) Piancastelli, M. N.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Balzarotti, A.; Decrescenzi, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 17892. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Solid State Commun. 1986, 60, 861.
56. For experiments on the adsorption of ethylene on Si(111), see: (a) Rochet, F.; Jolly, F.; Bournel, F.; Dufour, G.; Sirotti, F.; Cantin, J. L. Phys. Rev. B 1998, 58, 11029. (b) Kusunoki, I.; Takagaki, T.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. Surf. Sci. 1997, 380, 131. (c) Carbone, M.; Zanoni, R.; Piancastelli, M. N.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L.; Mayner, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1995, 76, 271. (d) Piancastelli, M. N.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Balzarotti, A.; Decrescenzi, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 17892. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Solid State Commun. 1986, 60, 861.
57. For experiments on the adsorption of ethylene on Si(111), see: (a) Rochet, F.; Jolly, F.; Bournel, F.; Dufour, G.; Sirotti, F.; Cantin, J. L. Phys. Rev. B 1998, 58, 11029. (b) Kusunoki, I.; Takagaki, T.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. Surf. Sci. 1997, 380, 131. (c) Carbone, M.; Zanoni, R.; Piancastelli, M. N.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L.; Mayner, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1995, 76, 271. (d) Piancastelli, M. N.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Balzarotti, A.; Decrescenzi, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 17892. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Solid State Commun. 1986, 60, 861.
58. For experiments on the adsorption of ethylene on Si(111), see: (a) Rochet, F.; Jolly, F.; Bournel, F.; Dufour, G.; Sirotti, F.; Cantin, J. L. Phys. Rev. B 1998, 58, 11029. (b) Kusunoki, I.; Takagaki, T.; Ishidzuka, S.; Igari, Y.; Takaoka, T. Surf. Sci. 1997, 380, 131. (c) Carbone, M.; Zanoni, R.; Piancastelli, M. N.; Comtet, G.; Dujardin, G.; Hellner, L.; Mayner, A. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1995, 76, 271. (d) Piancastelli, M. N.; Motta, N.; Sgarlata, A.; Balzarotti, A.; Decrescenzi, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 17892. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Solid State Commun. 1986, 60, 861.
59. For experiments on the adsorption of acetylene on Si(111), see: (a) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino, U. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 90. (b) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino. U. Phys. Rev. B 2001, 64, 155305. (c) Rochet, F.; Dufour, G.; Prieto, P.; Sirotti, F.; Stedile, F. C. Phys. Rev. B 1997, 57, 6738. (d) Yoshinobu, J.; Fukushi, D.; Uda, M.; Nomura, E.; Aono, M. Phys. Rev. B 1992, 46, 9520. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1986, 130, 170.
60. For experiments on the adsorption of acetylene on Si(111), see: (a) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino, U. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 90. (b) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino. U. Phys. Rev. B 2001, 64, 155305. (c) Rochet, F.; Dufour, G.; Prieto, P.; Sirotti, F.; Stedile, F. C. Phys. Rev. B 1997, 57, 6738. (d) Yoshinobu, J.; Fukushi, D.; Uda, M.; Nomura, E.; Aono, M. Phys. Rev. B 1992, 46, 9520. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1986, 130, 170.
61. For experiments on the adsorption of acetylene on Si(111), see: (a) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino, U. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 90. (b) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino. U. Phys. Rev. B 2001, 64, 155305. (c) Rochet, F.; Dufour, G.; Prieto, P.; Sirotti, F.; Stedile, F. C. Phys. Rev. B 1997, 57, 6738. (d) Yoshinobu, J.; Fukushi, D.; Uda, M.; Nomura, E.; Aono, M. Phys. Rev. B 1992, 46, 9520. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1986, 130, 170.
62. For experiments on the adsorption of acetylene on Si(111), see: (a) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino, U. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 90. (b) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino. U. Phys. Rev. B 2001, 64, 155305. (c) Rochet, F.; Dufour, G.; Prieto, P.; Sirotti, F.; Stedile, F. C. Phys. Rev. B 1997, 57, 6738. (d) Yoshinobu, J.; Fukushi, D.; Uda, M.; Nomura, E.; Aono, M. Phys. Rev. B 1992, 46, 9520. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1986, 130, 170.
63. For experiments on the adsorption of acetylene on Si(111), see: (a) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino, U. Appl. Surf. Sci. 2001, 184, 90. (b) De Renzi, V.; Biagi, R.; del Pennino. U. Phys. Rev. B 2001, 64, 155305. (c) Rochet, F.; Dufour, G.; Prieto, P.; Sirotti, F.; Stedile, F. C. Phys. Rev. B 1997, 57, 6738. (d) Yoshinobu, J.; Fukushi, D.; Uda, M.; Nomura, E.; Aono, M. Phys. Rev. B 1992, 46, 9520. (e) Yshinobu, J.; Tsuda, H.; Onchi, M.; Nishijima, M. Chem. Phys. Lett. 1986, 130, 170.
64. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
65. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
66. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
67. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
68. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
69. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
70. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
71. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
72. For examples of recent experiments on the adsorption of ethylene on Si(100), see: (a) Yeom, H. W.; Baek, S. Y.; Kim, J. W.; Lee, H. S.; Koh, H. Phys. Rev. B 2002, 66, 115308. (b) Nagao, M.; Yamashita, Y.; Machida, S.; Hamaguchi, K.; Yasui, F.; Mukai, K.; Yoshinobu, J. Surf. Sci. 2002, 513, 413. (c) Shimomura, M.; Munakata, M.; Iwasaki, A.; Ikeda, M.; Abukawa, T.; Sato, K.; Kawawa, T.; Shimizu, H.; Nagashima, N.; Kono, S. Surf. Sci. 2002, 504, 19. (d) Casaletto, M. P.; Zanoni, R.; Carbone, M.; Piancastelli, M. N.; Aballe, L.; Weiss, K.; Horn, K. Phys. Rev. B 2000, 62, 17128. (e) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Matsuda, I.; Ohta, T. Phys. Rev. B 2000, 62, 5036. (f) Ikeda, M.; Maruoka, T.; Nagashima, N. Surf. Sci. 1998, 416, 240. (g) Matsui, F.; Yeom, H. W.; Imanishi, A.; Isawa, K.; Matsuda, I.; Ohta, T. Surf. Sci. 1998, 401, L413. (h) Liu, H. B.; Hamers, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 7593. (i) Ness, H.; Fisher, A. J. Phys. Rev. B 1997, 55, 10081.
73. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
74. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
75. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
76. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
77. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
78. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
79. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
80. For examples of recent experiments on the adsorption of acetylene on Si(100), see: (a) Terborg, R.; Polcik, M.; Hoeft, J. T.; Kittel, M.; Sayago, D. I.; Toomes, R. L.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2002, 66, 085333, (b) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Chung, J.; You, S. Y.; Hong, Y. K.; Koo, J. Y. Surf. Sci. 2002, 514, 376. (c) Kim, W.; Kim, H.; Lee, G.; Hong, Y. K.; Lee, K.; Hwang, C.; Kim, D. H.; Koo, J. Y. Phys. Rev. B 2001, 64, 193313. (d) Mezhenny, S.; Lyubinetsky, I.; Choyke, W. J.; Wolkow, R. A.; Yates, J. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 344, 7. (e) Terborg, R.; Baumgartel, P.; Lindsay, R.; Schaff, O.; Giessel, T.; Hoeft, J. T.; Polcik, M.; Toomes, R. L.; Kulkarni, S.; Bradshaw, A. M.; Woodruff, D. P. Phys. Rev. B 2000, 61, 16697. (f) Xu, S. H.; Keeffe, M.; Yang, Y.; Chen, C.; Yu, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E.; Denlinger, J.; Yates, J. T. Phys. Rev. Lett. 2000, 84, 939. (g) Xu, S. H.; Yang, Y.; Keeffe, M.; Lapeyre, G. J.; Rotenberg, E. Phys. Rev. B 1999, 60, 11586. (h) Li, L.; Tindall, C.; Takaoka, O.; Hasegawa, Y.; Sakurai, T. Phys. Rev. B 1997, 56, 4648.
81. In addition to the adsorption geometry specified in this manuscript, multiple adsorption geometries have been found for acetylene adsorption on the Si(100) surface.
82. Liu, Q.; Hoffmann, R. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 4082.
83. Lu, X. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 6384.
84. (a) Weiner, B.; Carmer, C. S.; Frenklach, M. Phys. Rev. B 1991, 43, 1678.
85. (b) Chu, S. Y.; Anderson, A. B. Surf. Sci. 1988, 194, 55.
86. Lu, X.; Xu, X.; Wang, N.; Zhang, Q.; Lin, M. C. Chem. Phys. Lett. 2002. 355, 365.
87. (a) Becke, A. D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 5648.
88. (b) Lee, C.; Yang, W.; Parr, R. G. Phys. Rev. B 1989, 37, 785.
89. Hay, P. J.; Wadt, W. R. J. Chem. Phys. 1985, 82, 270.
90. Francl, M. M.; Pietro, W. J.; Hehre, W. J.; Binkley, J. S.; Gordon, M. S.; DeFrees, D. J.; Pople, J. A. J. Chem. Phys. 1982, 77, 3654.
91. Dunning, T. H., Jr.; Hay, P. J. In Modern Theoretical Chemistry; Schaefer, H. F., III, Ed.: Plenum: New York, 1976; pp 1-28.
92. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Zakrzewski, V. G.; Montgomery, J. A., Jr.; Stratmann, R. E.; Burant, J. C.; Dapprich, S.; Millam, J. M.; Daniels, A. D.; Kudin, K. N.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Tomasi, J.; Barone, V.; Cossi, M.; Cammi, R.; Mennucci, B.; Pomelli, C.; Adamo, C.; Clifford, S.; Ochterski, J.; Petersson, G. A.; Ayala, P. Y.; Cui, Q.; Morokuma, K.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Cioslowski, J.; Ortiz, J. V.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Gomperts, R.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A.; Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Gonzalez, C.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B. G.; Chen, W.; Wong, M. W.; Andres, J. L.; Head-Gordon, M.; Replogle, E. S.; Pople, J. A. Gaussian, 98; Gaussian, Inc.: Pittsburgh, PA, 1998.
93. Wang, G. T.; Mui, C.; Musgrave, C. B.; Bent, S. F. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8990.
94. Goldstein, E.; Beno, B.; Houk, K. N. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 6036.
95. (a) Nendel, M.; Tolbert, L. M.; Herring, L. E.; Islam, M. N.; Houk, K. N. J. Org. Chem. 1999, 64, 976.
96. (b) Tian, J.; Houk, K. N.; Klarner, F. G. J. Phys. Chem. A 1998, 102, 7662.
97. (c) Firestone, R. A. Heterocycles 1987, 25, 61.
98. Johnson, B. G.; Gonzalez, C. A.; Gill, P. M. W.; Pople, J. A. Chem. Phys. Lett. 1994, 221, 100.
99. Dewar, M. J. S.; Holder, A. J. Heterocycles 1989, 28, 1135.
100. Cao, Y.; Wang, Z. H.; Deng, J. F.; Xu, G. Q. Angew. Chem., Int. Ed. 2000, 39, 2740.